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태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014035217
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지의 p-type 실리콘기판과 Ag 금속간의 접촉저항 감소 및 고효율 방법에 관한 것이다. 본 발명의 접촉저항 감소방법은, texture 기판을 P(인산) 도핑한 후, 인실리사이드 유리층을 식각한 기판위에 잉크젯 프린터를 이용하여 Ag 금속배선층 위치에 C(탄소)가 포함된 인산을 분사하여 건조시킨 후, 반사방지막의 층을 증착한다. 반사막위에 도포된 Ag 도포액이 열처리공정으로 Si 표면에 접촉되어지고 고농도로 도핑된 선택적 에미터는 C(탄소)가 전자를 포함하게 하여 전자의 통로를 제공 옴접촉(ohmic contact)이 가능하여 고효율 태양전지를 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/068(2013.01) H01L 31/068(2013.01) H01L 31/068(2013.01) H01L 31/068(2013.01)
출원번호/일자 1020100095130 (2010.09.30)
출원인 전북대학교산학협력단, (유)에스엔티
등록번호/일자 10-1090124-0000 (2011.11.30)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20111207) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.30)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 (유)에스엔티 대한민국 경기도 화성시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김근주 대한민국 전라북도 전주시 완산구
2 김종진 대한민국 전라북도 김제시
3 허윤성 대한민국 경기도 안양시 동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이정현 대한민국 경기도 안산시 단원구 광덕서로 **, ***호(고잔동, 한남법조빌딩)(엔아이피씨국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 (유)에스엔티 대한민국 경기도 화성시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0631880-12
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2010-5245806-20
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2011.03.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0166210-02
4 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2011.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0215720-14
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.08.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0069870-60
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0658140-02
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.11.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0903426-99
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0688135-10
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.11.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0935358-76
11 등록결정서
Decision to grant
2011.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0699993-14
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판;상기 기판 전면의 표면 내에 형성된 저농도 도핑층;상기 기판의 전면에 형성된 탄소 도핑층;상기 탄소 도핑층과 접촉하는 전면 전극; 및상기 기판 후면의 적어도 일부분과 접촉하는 후면 전극을 포함하여 이루어지는 태양전지
2 2
반도체 기판;상기 기판 전면의 표면 내에 형성된 저농도 도핑층;상기 기판의 전면에 형성된 탄소 도핑층;상기 기판 전면의 일부분 내에 선택적으로 형성된 고농도 도핑영역;상기 고농도 도핑영역과 접촉하는 전면 전극; 및상기 기판 후면의 적어도 일부분과 접촉하는 후면 전극을 포함하여 이루어지는 태양전지
3 3
제 2항에 있어서, 상기 저농도 도핑층은 두께가 1~2㎛이고, 상기 고농도 도핑영역은 두께가0
4 4
제 2항에 있어서,상기 저농도 도핑층 및 고농도 도핑영역은 인(P)을 함유한 것을 특징으로 하는 태양전지
5 5
반도체 기판을 준비하는 단계; 반도체 기판의 표면을 텍스쳐링(texturing)하는 단계; 반도체 기판에 불순물 원자를 도입하여 상기 반도체 기판의 표면에 확산막을 형성하는 단계; 상기 확산막을 형성하면서 형성된 부산물층(PSG)을 제거하는 단계; 상기 반도체 기판의 전면과 후면의 확산막을 서로 전기적으로 분리하는 단계와; 상기 반도체 기판의 전면에 반사방지막을 형성하는 단계; 상기 반도체 기판의 전면에 전면전극을 인쇄하는 단계; 상기 반도체 기판의 후면에 후면전극을 인쇄하는 단계; 상기 반도체 기판을 열처리하여 상기 전면전극 및 하면전극을 상기 반도체 기판의 내부로 침투시키는 단계로 이루어진 태양전지의 제조방법에 있어서, 상기 부산물층을 제거한 후에, 반도체 기판의 전면 내에 탄소도핑층을 플라즈마 표면처리하는 단계를 포함하여 이루어지는 태양전지의 제조 방법
6 6
제 5항에 있어서,상기 탄소도핑층의 전극배선위치에서 인산도핑을 수행하는 공정을 포함하여 이루어지는 태양전지의 제조방법
7 7
제 6항에 있어서,상기 인산도핑은 잉크젯 프린팅 공정을 통하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조 방법
8 8
제 6항에 있어서, 상기 인산 도핑은, 인(P)을 함유한 물질을 0
9 9
제 6항에 있어서, 상기 탄소도핑과 인산도핑 공정을 잉크젯 프린팅 공정으로 동시에 수행하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조 방법
10 10
제 9항에 있어서,상기 잉크젯 프린팅 공정에 사용되는 잉크는 인산 성분과 탄소성분을 포함하는 액체형태의 소재를 사용하여 도핑물질층 및 도핑물질패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 (유)에스엔티 신재생에너지기술개발사업 결정질 실리콘 태양전지 저가.고효율화 및 제조 장비 개발