요약 | 본 발명은 LED 구조 내 활성층과 금속 코어-절연체 쉘 구조를 갖는 나노입자 간의 표면 플라즈몬 공명에 의하여 개선된 발광 효율을 구현할 수 있는 발광 다이오드에 관한 것이다. |
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Int. CL | H01L 33/04 (2014.01) |
CPC | H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020100038380 (2010.04.26) |
출원인 | 전북대학교산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1134191-0000 (2012.03.30) |
공개번호/일자 | 10-2011-0118956 (2011.11.02) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20120409) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2010.04.26) |
심사청구항수 | 14 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 전북대학교산학협력단 | 대한민국 | 전라북도 전주시 덕진구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 이인환 | 대한민국 | 전라북도 전주시 완산구 |
2 | 장이운 | 대한민국 | 전라북도 순창군 |
3 | 유주완 | 대한민국 | 전라북도 전주시 덕진구 |
4 | 조동섭 | 대한민국 | 전라북도 전주시 완산구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 최재승 | 대한민국 | 경기도 성남시 분당구 판교역로 ***, 에스동 ***호(삼평동,에이치스퀘어)(특허법인도담) |
2 | 이준혁 | 대한민국 | 경기도 수원시 팔달구 중부대로 *** B동 *층(우만동, 신아빌딩)(유니크국제특허법률사무소) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 전북대학교산학협력단 | 전라북도 전주시 덕진구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2010.04.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0266825-48 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2010.12.28 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5245806-20 |
3 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2011.04.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
4 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2011.05.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0042748-21 |
5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.08.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0450915-57 |
6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.10.10 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0787139-01 |
7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.10.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0787143-84 |
8 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.03.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0154806-58 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.10.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5206243-46 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2016.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2016-5013206-34 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.02.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5038917-11 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.07.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5146986-17 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.07.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5146985-61 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.10.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5219602-91 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.07.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5149086-79 |
번호 | 청구항 |
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1 |
1 제1 도전형 반도체 영역;제2 도전형 반도체 영역; 상기 제1 도전형 반도체 영역과 제2 도전형 반도체 영역 사이에 형성된 활성층 영역; 및금속 코어-절연체 쉘 구조의 나노입자 함유 영역;을 포함하고,상기 나노입자의 금속 코어와 상기 활성층 영역 간에 표면 플라즈몬 공명이 일어나는 것을 특징으로 하는 LED 소자 |
2 |
2 아래로부터 제1 도전형 반도체 영역; 활성층 영역; 및제2 도전형 반도체 영역;을 포함하고, (i) 상기 제2 도전형 반도체 영역 위, (ii) 상기 제1 도전형 반도체 영역과 상기 활성층 영역 사이, 또는 (iii) 상기 활성층 영역과 상기 제2 도전형 반도체 영역 사이에 형성된 금속 코어-절연체 쉘 구조의 나노입자 함유 영역을 포함하고,상기 나노입자의 금속 코어와 상기 활성층 영역 간에 표면 플라즈몬 공명이 일어나는 것을 특징으로 하는 LED 소자 |
3 |
3 상호 이격되어 배열되고, 아래로부터 순차적으로 제1 도전형 반도체 영역, 활성층 영역 및 제2 도전형 반도체 영역을 포함하는 복수의 로드 구조;상기 복수의 로드 사이 또는 로드 상에 형성된 금속 코어-절연체 쉘 구조의 나노입자 함유 영역을 포함하고,상기 나노입자의 금속 코어와 상기 활성층 영역 간에 표면 플라즈몬 공명이 일어나는 것을 특징으로 하는 LED 소자 |
4 |
4 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 도전형 반도체 및 상기 제2 도전형 반도체는 각각 n-형 또는 p-형 반도체이고, 상호 반대되는 도전 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 LED 소자 |
5 |
5 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속은 팔라듐(Pd), 알루미늄(Al), 은(Ag), 백금(Pt), 구리(Cu), 금(Au), 크롬(Cr) 또는 이의 조합인 것을 특징으로 하는 LED 소자 |
6 |
6 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 코어의 직경이 10 내지 300 nm 범위인 것을 특징으로 하는 LED 소자 |
7 |
7 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 절연체는 실리카(SiO2), 티타니아(TiO2), 지르코니아(ZrO2), 알루미나(Al2O3) 또는 이의 조합인 것을 특징으로 하는 LED 소자 |
8 |
8 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 절연체 쉘의 두께가 5 내지 300 nm 범위인 것을 특징으로 하는 LED 소자 |
9 |
9 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 코어와 상기 활성층 영역 간의 거리가 5 내지 300 nm의 범위인 것을 특징으로 하는 LED 소자 |
10 |
10 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 활성층 영역은 다중양자우물 또는 단일양자우물 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 LED 소자 |
11 |
11 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 도전형 반도체 영역이 하부 도전형 반도체 영역으로서, 그 하측에 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 소자 |
12 |
12 제11항에 있어서,상기 기판은 사파이어, 실리콘 카바이드(SiC), 갈륨비소(GaAs), 질화갈륨(GaN), 실리콘(Si), 갈륨인(GaP), 인듐인(InP), 산화아연(ZnO), MgAl2O4 MgO, LiAlO2, 또는 LiGaO2인 것을 특징으로 하는 LED 소자 |
13 |
13 제2항에 있어서,상기 제2 도전형 반도체 영역 위에 금속 코어-절연체 쉘 구조의 나노입자 함유 영역이 형성된 경우, 상기 나노입자 함유 영역 상에 투명 전도성 영역을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 소자 |
14 |
14 제3항에 있어서, 상기 복수의 로드 구조 상에 투명 전도성 영역을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 소자 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
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1 | 교육과학기술부 | 전북대학교 | 중견연구자 지원사업 (핵심연구사업) | InA1GaN 질화물반도체의 양자구조제어 및 표면플라즈몬공명결합을 통한 고효율 자외선발광소자 제작 기술 |
특허 등록번호 | 10-1134191-0000 |
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표시번호 | 사항 |
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1 |
출원 연월일 : 20100426 출원 번호 : 1020100038380 공고 연월일 : 20120409 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20120316 청구범위의 항수 : 14 유별 : H01L 33/04 발명의 명칭 : 코어-쉘 나노입자를 이용한 표면 플라즈몬 공명-기반 발광 다이오드 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
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1 |
(권리자) 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 295,500 원 | 2012년 03월 30일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 243,600 원 | 2015년 03월 24일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 243,600 원 | 2016년 03월 17일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 243,600 원 | 2017년 03월 08일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 442,400 원 | 2018년 02월 08일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 316,000 원 | 2019년 02월 11일 | 납입 |
제 9 년분 | 금 액 | 334,960 원 | 2020년 05월 08일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2010.04.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0266825-48 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2010.12.28 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5245806-20 |
3 | 선행기술조사의뢰서 | 2011.04.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
4 | 선행기술조사보고서 | 2011.05.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0042748-21 |
5 | 의견제출통지서 | 2011.08.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0450915-57 |
6 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.10.10 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0787139-01 |
7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.10.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0787143-84 |
8 | 등록결정서 | 2012.03.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0154806-58 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.10.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5206243-46 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2016.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2016-5013206-34 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.02.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5038917-11 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.07.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5146986-17 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.07.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5146985-61 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.10.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5219602-91 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.07.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5149086-79 |
기술번호 | KST2014035224 |
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자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 전북대학교 |
기술명 | 코어-쉘 나노입자를 이용한 표면 플라즈몬 공명-기반 발광 다이오드 |
기술개요 |
본 발명은 LED 구조 내 활성층과 금속 코어-절연체 쉘 구조를 갖는 나노입자 간의 표면 플라즈몬 공명에 의하여 개선된 발광 효율을 구현할 수 있는 발광 다이오드에 관한 것이다. |
개발상태 | 기술개발진행중 |
기술의 우수성 | |
응용분야 | 전기 |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | 기술매매,라이센스,기술협력,기술지도, |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제고유번호 | 1345079441 |
---|---|
세부과제번호 | 2007-521-D00296 |
연구과제명 | 2차원측면성장된 GaN microfacet을 이용한 다중파장방출 InGaN/GaN 양자우물구조 제어: 형광체없는 백색 LED 구현을 위한 MOCVD 성장 기술 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
연구주관기관명 | 전북대학교 |
성과제출연도 | 2008 |
연구기간 | 200708~201007 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345118216 |
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세부과제번호 | 2007-0053658 |
연구과제명 | InAlGaN 질화물반도체의 양자구조제어 및 표면플라즈몬공명결합을 통한 고효율 자외선발광소자 제작 기술 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 전북대학교 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 200705~201102 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1415109160 |
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세부과제번호 | KI002148 |
연구과제명 | Al-Nitride 기반 280 nm 자외선 LED 칩 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
연구주관기관명 | 한국광기술원 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 200903~201402 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1345118216 |
---|---|
세부과제번호 | 2007-0053658 |
연구과제명 | InAlGaN 질화물반도체의 양자구조제어 및 표면플라즈몬공명결합을 통한 고효율 자외선발광소자 제작 기술 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 전북대학교 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 200705~201102 |
기여율 | 0.25 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345169967 |
---|---|
세부과제번호 | 2010-0026614 |
연구과제명 | 나노 아키텍처 기반 질화물반도체-양자점 하이브리드 발광다이오드 연구 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 전북대학교 |
성과제출연도 | 2012 |
연구기간 | 201009~201308 |
기여율 | 0.25 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1345172033 |
---|---|
세부과제번호 | 2010-0024973 |
연구과제명 | Non-polar GaN 에피 성장 및 Enhancement-mode AlGaN/GaN HFET 제작 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 전북대학교 |
성과제출연도 | 2012 |
연구기간 | 201009~201308 |
기여율 | 0.25 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1345173361 |
---|---|
세부과제번호 | 2010-0019626 |
연구과제명 | UV2IR 나노 광전자소자 연구실 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 전북대학교 |
성과제출연도 | 2012 |
연구기간 | 201009~201508 |
기여율 | 0.25 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | ET(환경기술) |
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