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인가되는 바이어스 전류에 의해 광 신호를 발생하는 이득 매질;상기 이득 매질과 결합하여 거울면을 형성하고, 상기 인가되는 바이어스 전류가 임계값 이상이 되는 경우 상기 거울면 내에서 발진(Lasing)을 일으키는 광도파로 구조물; 및상기 인가되는 바이어스 전류에 고주파 신호를 더하여 상기 광 신호의 동작 속도를 조절하는 고주파 전송매질;을 포함하는 직접 결합형 파장 가변 외부 공진기형 레이저
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제1항에 있어서,상기 고주파 전송매질은 상기 고주파 신호를 이용하여 상기 광 신호의 광 파워를 조절하는 것을 특징으로 하는 직접 결합형 파장 가변 외부 공진기형 레이저
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제2항에 있어서,상기 고주파 전송매질은 상기 고주파 신호를 상기 광 파워에 의하여 정의되는 디지털 신호로 변조하는 것을 특징으로 하는 직접 결합형 파장 가변 외부 공진기형 레이저
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제1항에 있어서, 상기 고주파 전송매질은,유전체;상기 유전체와 결합하여 전송선로를 형성하는 금속박막선; 및상기 이득 매질의 저항값에 더해져 신호 정합 기능을 수행하는 매칭 저항부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 직접 결합형 파장 가변 외부 공진기형 레이저
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제1항에 있어서,상기 광도파로 구조물의 온도를 조절하는 열전 냉각기;상기 이득 매질의 온도를 측정하는 써미스터; 및상기 이득 매질의 광 신호를 모니터링하는 광검출기;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 직접 결합형 파장 가변 외부 공진기형 레이저
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제1항에 있어서, 상기 광도파로 구조물은,지지 기판;상기 지지 기판 상에 형성되고, 코어 및 클래딩층을 포함하는 광도파로;상기 광도파로 상에 증착되고, 상기 코어 및 상기 클래딩층의 온도를 조절하는 박막 히터; 및상기 광도파로 상에 증착되고, 발진 파장의 위상을 조절하는 위상 조절부;를 포함하고,상기 코어 또는 상기 클래딩층은 브래그 격자를 포함하는 것을 특징으로 하는 직접 결합형 파장 가변 외부 공진기형 레이저
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제6항에 있어서,상기 브래그 격자는 상기 코어 또는 상기 클래딩층에 주기적으로 배열되어 직렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 직접 결합형 파장 가변 외부 공진기형 레이저
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제1항에 있어서, 상기 이득 매질은,능동 도파로를 포함하는 능동 도파로 영역;상기 능동 도파로에 대해 일정 각도만큼 기울어져 있는 수동 도파로를 포함하는 수동 도파로 영역;상기 능동 도파로 영역 측 이득 매질의 일면에 고반사 코팅된 고반사막; 및상기 수동 도파로 영역 측 이득 매질의 타면에 저반사 코팅된 저반사막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 직접 결합형 파장 가변 외부 공진기형 레이저
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제8항에 있어서, 상기 이득 매질은,상기 수동 도파로의 끝단의 폭을 테이퍼링시키거나 증가시켜 모드 크기를 변화시키는 모드 크기 변환기;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 직접 결합형 파장 가변 외부 공진기형 레이저
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제8항에 있어서, 상기 능동 도파로 영역은,p형 전극과 n형 전극;이득 매질층, 상기 이득 매질층의 상하부에 형성되는 두 개의 SCH(Separate Confinement Heterostructure)층을 포함하는 상기 능동 도파로;상기 능동 도파로를 피복하는 상부 클래딩층과 하부 클래딩층;상기 상부 클래딩층과 상기 p형 전극 사이의 저항을 감소시켜주는 오믹층;상기 능동 도파로의 양 측면에 배치되고, 헤테로 구조로 이루어져 있어 상기 능동 도파로를 중심으로 양쪽에 트렌치가 형성되어 있는 전류 차단층; 및상기 트렌치를 덮는 유전체 박막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 직접 결합형 파장 가변 외부 공진기형 레이저
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제8항에 있어서, 상기 능동 도파로 영역은,n형 전극;상기 n형 전극 상의 하부 클래딩층;상기 하부 클래딩층 상에 형성되고, 이득 매질층, 상기 이득 매질층의 상하부에 형성되는 두 개의 SCH(Separate Confinement Heterostructure)층을 포함하는 상기 능동 도파로;상기 능동 도파로 상에 형성되는 상부 클래딩층;상기 상부 클래딩층 상에 형성되는 오믹층;상기 오믹층 상에 배치되는 p형 전극; 및상기 상부 클래딩층과 상기 p형 전극 사이에 배치되는 유전체층과 폴리이미드층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 직접 결합형 파장 가변 외부 공진기형 레이저
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제8항에 있어서, 상기 능동 도파로 영역은,n형 전극;상기 n형 전극 상에 형성되는 하부 클래딩층;상기 하부 클래딩층 상에 형성되고, 이득 매질층, 상기 이득 매질층의 상하부에 형성되는 두 개의 SCH(Separate Confinement Heterostructure)층을 포함하는 상기 능동 도파로;상기 능동 도파로 상에 형성되는 상부 클래딩층;상기 상부 클래딩층 상에 형성되는 p형 전극;상기 상부 클래딩층의 양 측면과 상기 능동 도파로의 상부면을 따라 형성되는 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막; 및상기 실리콘 산화막 또는 상기 실리콘 질화막을 덮으면서 상기 p형 전극과 상기 능동 도파로 사이에 형성되는 폴리이미드층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 직접 결합형 파장 가변 외부 공진기형 레이저
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제1항에 있어서,상기 광도파로 구조물과 상기 이득 매질의 정렬시 상기 이득 매질의 지지 기판 또는 상기 광도파로 구조물의 지지 기판 중 바닥 높이가 높은 재료에 열 패드를 부착하여 단차를 조절하는 것을 특징으로 하는 직접 결합형 파장 가변 외부 공진기형 레이저
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제13항에 있어서,상기 광 도파로 구조물과 상기 이득 매질을 정렬하기 전에, 상기 광도파로 구조물의 지지 기판에 수용성 접착제를 이용하여 구조물을 덧대어 폴리싱한 후, 상기 구조물을 제거하는 것을 특징으로 하는 직접 결합형 파장 가변 외부 공진기형 레이저
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제13항에 있어서,상기 이득 매질의 지지 기판과 상기 광도파로 구조물의 지지 기판 사이에 자외선 경화 에폭시를 선택적으로 도포하여 반사율을 조절 가능한 것을 특징으로 하는 직접 결합형 파장 가변 외부 공진기형 레이저
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