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OH 작용기가 형성된 기판을 준비하는 단계;상기 기판 표면을 APTES(3-aminopropyltriethoxysilane)으로 화학 결합시키는 단계;상기 기판 상에 포토레지스트를 도포 후 패터닝 하는 단계;패터닝된 상기 포토레지스트 상에 글루타르알데히드와 폴리디라이신을 형성하는 단계; 및상기 패터닝된 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 폴리디라이신의 결합을 이용한 미세패턴 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 포토레지스트를 패터닝하는 것은 상기 APTES의 일부분을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성하는 것을 포함하고,상기 패터닝된 상기 포토레지스트 상에 글루타르알데히드와 폴리디라이신을 형성하는 것은:상기 APTES의 상기 일부분의 상부면 상에 글루타르알데히드를 형성하는 것; 및상기 패터닝된 상기 포토레지스트의 상부면 및 상기 글루타르알데히드 상에 폴리디라이신을 형성하는 것을 포함하는 폴리디라이신의 결합을 이용한 미세패턴 형성방법
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제 2 항에 있어서,상기 APTES의 상기 일부분의 상기 상부면 상에 상기 글루타르알데히드를 형성하는 것은 상기 글루타르알데히드로부터 상기 패터닝된 상기 포토레지스트를 노출시키는 것을 포함하는 폴리디라이신의 결합을 이용한 미세패턴 형성방법
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제 2 항에 있어서,상기 패터닝된 상기 포토레지스트의 상부면 및 상기 글루타르알데히드 상에 폴리디라이신을 형성하는 것은 상기 폴리디라이신이 상기 글루타르알데히드와 화학 결합하는 것을 포함하는 폴리디라이신의 결합을 이용한 미세패턴 형성방법
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제 2 항에 있어서,상기 포토레지스트를 제거하는 것은 상기 APTES의 상기 일부분의 상기 상부면 상에 형성된 상기 글루타르알데히드와 결합된 상기 폴리디라이신을 남기는 것을 포함하는 폴리디라이신의 결합을 이용한 미세패턴 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 OH 작용기가 형성된 상기 기판을 준비하는 것은 상기 기판을 NH3:H2O2:H2O=1:4:20 혼합용액에 넣어 표면처리 하는 것을 포함하는 폴리디라이신의 결합을 이용한 미세패턴 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 ITO 기판 또는 SiO2 기판인 폴리디라이신의 결합을 이용한 미세패턴 형성방법
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기판을 준비하는 것;상기 기판 상에 포토레지스트를 형성하는 것;상기 포토레지스트에 리소그래피 공정을 이용하여 상기 기판의 일부를 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성하는 것;상기 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 상기 기판의 일부분 상에 글루타르알데히드를 형성하는 것;상기 글루타르알데히드 및 상기 포토레지스트 패턴의 상부면 상에 폴리디라이신을 형성하는 것; 및상기 포토레지스트 패턴을 제거하여, 상기 기판의 상기 일부분 상에 형성된 상기 폴리디라이신을 남기는 것을 포함하되,상기 폴리디라이신을 형성하는 것은 상기 글루타르알데히드 상에 상기 폴리디라이신을 결합하는 것을 포함하는 폴리디라이신의 결합을 이용한 미세패턴 형성방법
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삭제
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제 8 항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴을 형성하기 전에, 상기 기판의 상기 일부를 APTES(3-aminopropyltriethoxysilane)으로 화학 결합시키는 것을 더 포함하는 폴리디라이신의 결합을 이용한 미세패턴 형성방법
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