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신경전극 어레이 제작 및 신경신호 기록 시스템 기술

  • 기술번호 : KST2014035262
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 폴리디라이신(Poly-D-lysine)의 결합을 이용한 미세패턴 형성방법에 관한 것으로 더욱 상세하게는 뉴런세포의 특정영역에서의 성장을 유도하기 위한 폴리디라이신의 결합을 이용한 미세패턴 형성방법에 관한 것이다. 신경세포 접착물질인 폴리디라이신의 공유결합을 이용하여 장시간 세포성장을 유도할 수 있는 미세패턴 형성방법을 제공하는데 있다.
Int. CL G03F 7/26 (2006.01) G03F 7/00 (2006.01)
CPC G03F 7/26(2013.01) G03F 7/26(2013.01)
출원번호/일자 1020110130323 (2011.12.07)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0063776 (2013.06.17) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.10.06)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용희 대한민국 대전광역시 서구
2 백남섭 대한민국 대전광역시 유성구
3 한영환 대한민국 대전광역시 중구
4 정명애 대한민국 대전광역시 유성구
5 정상돈 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0972312-99
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2015-0036857-09
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2015.10.06 수리 (Accepted) 1-1-2015-0967818-10
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.10.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0967817-64
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0511107-20
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-0901662-94
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.09.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0901676-22
9 등록결정서
Decision to grant
2016.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0885510-33
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
OH 작용기가 형성된 기판을 준비하는 단계;상기 기판 표면을 APTES(3-aminopropyltriethoxysilane)으로 화학 결합시키는 단계;상기 기판 상에 포토레지스트를 도포 후 패터닝 하는 단계;패터닝된 상기 포토레지스트 상에 글루타르알데히드와 폴리디라이신을 형성하는 단계; 및상기 패터닝된 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 폴리디라이신의 결합을 이용한 미세패턴 형성방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 포토레지스트를 패터닝하는 것은 상기 APTES의 일부분을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성하는 것을 포함하고,상기 패터닝된 상기 포토레지스트 상에 글루타르알데히드와 폴리디라이신을 형성하는 것은:상기 APTES의 상기 일부분의 상부면 상에 글루타르알데히드를 형성하는 것; 및상기 패터닝된 상기 포토레지스트의 상부면 및 상기 글루타르알데히드 상에 폴리디라이신을 형성하는 것을 포함하는 폴리디라이신의 결합을 이용한 미세패턴 형성방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 APTES의 상기 일부분의 상기 상부면 상에 상기 글루타르알데히드를 형성하는 것은 상기 글루타르알데히드로부터 상기 패터닝된 상기 포토레지스트를 노출시키는 것을 포함하는 폴리디라이신의 결합을 이용한 미세패턴 형성방법
4 4
제 2 항에 있어서,상기 패터닝된 상기 포토레지스트의 상부면 및 상기 글루타르알데히드 상에 폴리디라이신을 형성하는 것은 상기 폴리디라이신이 상기 글루타르알데히드와 화학 결합하는 것을 포함하는 폴리디라이신의 결합을 이용한 미세패턴 형성방법
5 5
제 2 항에 있어서,상기 포토레지스트를 제거하는 것은 상기 APTES의 상기 일부분의 상기 상부면 상에 형성된 상기 글루타르알데히드와 결합된 상기 폴리디라이신을 남기는 것을 포함하는 폴리디라이신의 결합을 이용한 미세패턴 형성방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 OH 작용기가 형성된 상기 기판을 준비하는 것은 상기 기판을 NH3:H2O2:H2O=1:4:20 혼합용액에 넣어 표면처리 하는 것을 포함하는 폴리디라이신의 결합을 이용한 미세패턴 형성방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 기판은 ITO 기판 또는 SiO2 기판인 폴리디라이신의 결합을 이용한 미세패턴 형성방법
8 8
기판을 준비하는 것;상기 기판 상에 포토레지스트를 형성하는 것;상기 포토레지스트에 리소그래피 공정을 이용하여 상기 기판의 일부를 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성하는 것;상기 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 상기 기판의 일부분 상에 글루타르알데히드를 형성하는 것;상기 글루타르알데히드 및 상기 포토레지스트 패턴의 상부면 상에 폴리디라이신을 형성하는 것; 및상기 포토레지스트 패턴을 제거하여, 상기 기판의 상기 일부분 상에 형성된 상기 폴리디라이신을 남기는 것을 포함하되,상기 폴리디라이신을 형성하는 것은 상기 글루타르알데히드 상에 상기 폴리디라이신을 결합하는 것을 포함하는 폴리디라이신의 결합을 이용한 미세패턴 형성방법
9 9
삭제
10 10
제 8 항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴을 형성하기 전에, 상기 기판의 상기 일부를 APTES(3-aminopropyltriethoxysilane)으로 화학 결합시키는 것을 더 포함하는 폴리디라이신의 결합을 이용한 미세패턴 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.