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(a) 다공성 다층 금속박막을 준비하는 단계;(b) 상기 다공성 다층 금속박막을 실리콘 기판에 접촉시키는 단계; 및(c) 실리콘 에칭액으로 상기 실리콘 기판을 에칭시키는 단계;를 포함하는 실리콘 나노선 어레이 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 (a) 단계는,일면에 복수의 구멍이 형성된 템플릿을 제공하는 단계;상기 템플릿의 일면에 제 1 금속을 증착시키는 단계;상기 제 1 금속 상에 제 2 금속을 증착시키는 단계; 및템플릿 에칭액으로 상기 템플릿만을 에칭시키는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 어레이 제조방법
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제 2항에 있어서,상기 템플릿 일면의 구멍의 단면은 원형, 타원형, 정사각형, 직사각형 및 정다각형으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나의 형상인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 어레이 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 템플릿의 재질은 알루미나이고,상기 템플릿 일면의 구멍은 알루미늄 아노다이징(anodizing)방법으로 형성된 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 어레이 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 템플릿만을 에칭시키는 단계 이후에 상기 다공성 다층 금속박막의 표면이 매끄럽게 되도록 상기 다공성 다층 금속박막의 표면을 연마하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 어레이 제조방법
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제 2항에 있어서,상기 제 1 금속 및 상기 제 2 금속은 서로 다른 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 어레이 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 (b) 단계는,상기 다공성 다층 금속박막을 이송용액 표면에 띄우는 단계;상기 이송용액의 표면과 접하는 다공성 다층 금속박막의 일면이 상기 실리콘 기판과 맞닿도록 접촉시키는 단계; 및상기 실리콘 기판에 잔존하는 상기 이송용액을 증발시키는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 어레이 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 이송용액은 상기 실리콘 에칭액과 동일한 성분이고,상기 실리콘 기판에 잔존하는 상기 이송용액을 증발시키는 단계는상기 다공성 다층 금속박막과 접촉한 부분에서 상기 이송용액에 의해 실리콘 기판이 일부 에칭되어 상기 다공성 다층 금속박막과 상기 실리콘 기판이 밀착되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 어레이 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 이송용액은 탈이온수 이고,상기 실리콘 기판에 잔존하는 상기 이송용액을 증발시키는 단계 이후에,상기 다공성 다층 금속박막이 이송된 실리콘 기판을 무수에탄올(C2H5OH)에 담지시키는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 어레이 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 (c) 단계는 상기 실리콘 에칭액에서 다공성 다층 금속박막이 촉매로 작용하여 상기 실리콘 기판을 습식에칭하여 나노선을 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 어레이 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 실리콘 에칭액은 HF, H2O2 및 H2O의 혼합액 또는 NH4F, H2O2 및 H2O의 혼합액인 것을 특징으로하는 실리콘 나노선 어레이 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 (c) 단계에서,상기 실리콘 에칭액은 HF, H2O2 및 H2O의 혼합액으로서, HF: H2O2: H2O = 1:x:2(여기서 x는 0
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제 1항에 있어서,상기 (c) 단계에서상기 실리콘 에칭액은 HF, H2O2 및 H2O의 혼합액이며,상기 혼합액으로 에칭시킨 후 상기 혼합액 중 HF의 농도를 낮춘 혼합액으로 추가적으로 에칭시켜 실리콘 나노선이 다공성 구조의 마디를 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 어레이 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 (c) 단계에서 실리콘 기판에 전압을 인가하여 상기 전압이 인가된 부분의 실리콘 나노선이 다공성 구조를 가져 실리콘 나노선이 다공성 구조의 마디를 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 어레이 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 (c) 단계에서 가열된 실리콘 에칭액을 사용하여 실리콘 나노선이 경사진 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 어레이 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 (c) 단계에서 H2O2의 농도가 다른 실리콘 에칭액에 번갈아 에칭함으로써 실리콘 나노선이 지그재그 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 어레이 제조방법
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