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열 플레이트의 온도와 냉각 플레이트의 온도를 센싱하여 계산하고 상기 열 플레이트의 온도와 냉각 플레이트의 온도가 같으면 전기전도도를 측정하는 전기전도도 측정 단계;상기 열 플레이트와 냉각 플레이트간 온도차가 소정 증감값이 더해진 증감값 추가 온도차가 되도록 상기 열 플레이트와 냉각 플레이트에 각각 다른 전원을 인가하는 전원 인가 단계;상기 열 플레이트와 냉각 플레이트 사이에 위치되는 열전소자 시편의 열전도도, 양단 전압차를 측정하는 열전도도 및 전압차 측정 단계; 상기 증감값 추가 온도차가 설정된 증감값 추가 온도차인지를 판단하는 판단 단계; 판단 결과, 설정된 증감값 추가 온도차이면, 제벡 계수를 산출하는 제벡 계수 산출 단계; 및 상기 제벡 계수, 전기전도도, 열전도도 및 양단 전압차를 이용하여 상기 열전 소자 시편의 열전발전 능력을 평가하기 위한 무차원계수인 열전성능지수를 산출하는 열전성능지수 산출 단계 를 포함하되, 상기 열전성능지수는 다음식,(여기서, ZT는 열전성능지수, S는 제벡(Seebeck) 계수, σ는 전기 전도도, T는 절대온도, 그리고 k는 열전도도를 나타냄)을 이용하여 산출하는 것을 특징으로 하는 열전소자 평가 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 열 플레이트의 온도와 냉각 플레이트의 온도는 각각 변경되되, 상기 열 플레이트의 온도와 냉각 플레이트의 온도의 합에 대한 평균온도는 최초 설정된 값으로 유지되는 것을 특징으로 하는 열전소자 평가 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 열전성능지수를 이용하여 상기 열전 소자 시편의 열전 발전 효율을 산출하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열전소자 평가 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 전기 전도도는 다음식, (여기서, σ는 전기 전도도, ρ는 저항, σpair는 N형 반도체 1개와 P형 반도체 1개로 이루어진 쌍의 전기 전도도, lp는 P형 반도체의 길이, ln은 N형 반도체의 길이, np는 P형 반도체 개수, nn은 N형 반도체 개수, I는 전류, a는 P형 또는 N형 반도체의 단면적, vp는 P형 반도체에 걸린 전압강하, vn은 N형 반도체에 걸린 전압강하를 나타냄)을 이용하여 산출되고, 상기 열전도도는 다음식, (여기서, k는 열전도도를, ΔT는 열전소자 시편의 양단에 걸린 온도편차를, Qin은 총 유입 열에너지를, A는 열에너지가 흘러가는 단면적을, d는 열전소자 시편의 두께를, npair,in은 열에너지가 유입된 N형 반도체 1개와 P형 반도체 1개로 이루어진 쌍의 개수를, qpair,in은 N형 반도체 1개와 P형 반도체 1개로 이루어진 쌍에 유입된 열에너지를, apair는 N형 반도체 1개와 P형 반도체 1개로 이루어진 쌍의 단면적을, m
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제 4 항에 있어서,상기 열전성능지수는 다음식, (여기서, ZT는 열전성능지수, S는 제벡(Seebeck) 계수, σ는 전기 전도도, T는 절대온도, 그리고 k는 열전도도, Spair는 N형 반도체 1개와 P형 반도체 1개로 이루어진 쌍의 제벡 계수, npair는 N형 반도체 1개와 P형 반도체 1개로 이루어진 쌍의 개수, σpair는 N형 반도체 1개와 P형 반도체 1개로 이루어진 쌍의 전기 전도도, kpair는 N형 반도체 1개와 P형 반도체 1개로 이루어진 쌍의 열전도도, ZpairT는 N형 반도체 1개와 P형 반도체 1개로 이루어진 쌍의 열전성능지수를 나타냄) 및 (여기서, ZpairT는 N형 반도체 1개와 P형 반도체 1개로 이루어진 쌍의 열전성능지수, (ZT)measured는 열전성능지수를 측정한 값, npair는 N형 반도체 1개와 P형 반도체 1개로 이루어진 쌍의 개수를 나타냄)을 이용하여 산출되는 것을 특징으로 하는 열전소자 평가 방법
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