1 |
1
전자를 방출하는 나노구조 물질로 이루어진 나노 에미터;
상기 나노 에미터와 이격되어, 상기 나노 에미터로부터 방출된 상기 전자의 일부 또는 전체를 추출하는 그리드 전극; 및
상기 그리드 전극의 가장자리의 상부에 결합되어, 추출된 상기 전자를 양극에 집속시키는 집속 전극을 포함하며,
상기 그리드 전극과 상기 집속 전극은 물리적으로 결합되어, 일체로 형성되는 나노구조 물질 기반의 X-선관을 위한 게이트-집속전극 일체형 전극 구조
|
2 |
2
삭제
|
3 |
3
제1 항에 있어서,
상기 집속 전극은,
그 일측에서, 상기 그리드 전극으로부터 상기 양극에 가까워질수록 그 내경이 점점 증가하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 나노구조 물질 기반의 X-선관을 위한 게이트-집속전극 일체형 전극 구조
|
4 |
4
제3 항에 있어서,
상기 집속 전극은,
상기 그리드 전극으로부터 상기 양극에 가까워질수록 그 내경이 점점 증가하도록 형성되고, 상기 집속 전극의 상부의 내경은 경사지게 형성되는 것을 특징으로 하는 나노구조 물질 기반의 X-선관을 위한 게이트-집속전극 일체형 전극 구조
|
5 |
5
제3 항에 있어서,
상기 집속 전극은,
상기 그리드 전극으로부터 상기 양극에 가까워질수록 그 내경이 점점 증가하도록 형성되고, 상기 집속 전극의 상부의 내경은 곡선 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노구조 물질 기반의 X-선관을 위한 게이트-집속전극 일체형 전극 구조
|
6 |
6
제3 항에 있어서,
상기 집속 전극은,
상기 그리드 전극으로부터 상기 양극에 가까워질수록 그 내경이 적어도 하나의 단을 갖도록 단차지게 형성되는 것을 특징으로 하는 나노구조 물질 기반의 X-선관을 위한 게이트-집속전극 일체형 전극 구조
|
7 |
7
제1 항에 있어서,
상기 집속 전극과 이격되어, 상기 집속 전극을 통과한 전자를 상기 양극에 집속시키는 보조 집속 전극을 더 포함하는 나노구조 물질 기반의 X-선관을 위한 게이트-집속전극 일체형 전극 구조
|
8 |
8
제1 항에 있어서,
상기 나노구조 물질은,
탄소나노튜브(carbon nano tube), 그래핀(graphene), nano-fiber, nano-rod, nano-needle, 및 nano-pin 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노구조 물질 기반의 X-선관을 위한 게이트-집속전극 일체형 전극 구조
|