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나노구조 물질 기반 X-선관을 위한 게이트-집속전극 일체형 전극 구조

  • 기술번호 : KST2014035415
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 의한 나노구조 물질 기반의 X-선관을 위한 게이트-집속전극 일체형 전극 구조가 개시된다. 본 발명에 따른 나노구조 물질 기반의 X-선관을 위한 게이트-집속전극 일체형 전극 구조는 전자를 방출하는 나노구조 물질로 이루어진 나노 에미터; 상기 나노 에미터와 소정거리 이격되어, 상기 나노 에미터로부터 방출된 상기 전자의 일부 또는 전체를 추출하는 그리드 전극; 및 상기 그리드 전극의 일부에 결합되어, 추출된 상기 전자를 양극에 집속시키는 집속 전극을 포함한다. 이처럼, 본 발명은 그리드 전극과 집속 전극을 결합시켜 일체화함으로써, 제조 단가를 절감시키고 제조 공정을 단순화할 뿐만 아니라 전자를 보다 작은 영역에 집속시켜 X-선관의 효율을 향상시킬 수 있다. X-선관, 양극부, 음극부, 나노구조 물질, 에미터, 그리드 전극, 게이트, 집속 전극
Int. CL H01J 35/04 (2006.01) H01J 1/30 (2006.01)
CPC H01J 35/065(2013.01) H01J 35/065(2013.01) H01J 35/065(2013.01) H01J 35/065(2013.01) H01J 35/065(2013.01) H01J 35/065(2013.01) H01J 35/065(2013.01)
출원번호/일자 1020090042380 (2009.05.15)
출원인 한국전기연구원, 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1040536-0000 (2011.06.03)
공개번호/일자 10-2010-0123253 (2010.11.24) 문서열기
공고번호/일자 (20110616) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.05.15)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구
2 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김종욱 대한민국 서울특별시 양천구
2 조은주 대한민국 경기도 안산시 상록구
3 정순신 대한민국 경기도 안산시 상록구
4 최해영 대한민국 경기도 안산시 상록구
5 설승권 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2009-0291490-19
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2009.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0321862-38
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2009.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2009-0395103-71
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.11.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220117-37
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.12.08 수리 (Accepted) 9-1-2009-0067893-15
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207456-63
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.11.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0521397-15
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0035957-49
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.01.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0035959-30
11 등록결정서
Decision to grant
2011.05.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0250006-34
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전자를 방출하는 나노구조 물질로 이루어진 나노 에미터; 상기 나노 에미터와 이격되어, 상기 나노 에미터로부터 방출된 상기 전자의 일부 또는 전체를 추출하는 그리드 전극; 및 상기 그리드 전극의 가장자리의 상부에 결합되어, 추출된 상기 전자를 양극에 집속시키는 집속 전극을 포함하며, 상기 그리드 전극과 상기 집속 전극은 물리적으로 결합되어, 일체로 형성되는 나노구조 물질 기반의 X-선관을 위한 게이트-집속전극 일체형 전극 구조
2 2
삭제
3 3
제1 항에 있어서, 상기 집속 전극은, 그 일측에서, 상기 그리드 전극으로부터 상기 양극에 가까워질수록 그 내경이 점점 증가하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 나노구조 물질 기반의 X-선관을 위한 게이트-집속전극 일체형 전극 구조
4 4
제3 항에 있어서, 상기 집속 전극은, 상기 그리드 전극으로부터 상기 양극에 가까워질수록 그 내경이 점점 증가하도록 형성되고, 상기 집속 전극의 상부의 내경은 경사지게 형성되는 것을 특징으로 하는 나노구조 물질 기반의 X-선관을 위한 게이트-집속전극 일체형 전극 구조
5 5
제3 항에 있어서, 상기 집속 전극은, 상기 그리드 전극으로부터 상기 양극에 가까워질수록 그 내경이 점점 증가하도록 형성되고, 상기 집속 전극의 상부의 내경은 곡선 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노구조 물질 기반의 X-선관을 위한 게이트-집속전극 일체형 전극 구조
6 6
제3 항에 있어서, 상기 집속 전극은, 상기 그리드 전극으로부터 상기 양극에 가까워질수록 그 내경이 적어도 하나의 단을 갖도록 단차지게 형성되는 것을 특징으로 하는 나노구조 물질 기반의 X-선관을 위한 게이트-집속전극 일체형 전극 구조
7 7
제1 항에 있어서, 상기 집속 전극과 이격되어, 상기 집속 전극을 통과한 전자를 상기 양극에 집속시키는 보조 집속 전극을 더 포함하는 나노구조 물질 기반의 X-선관을 위한 게이트-집속전극 일체형 전극 구조
8 8
제1 항에 있어서, 상기 나노구조 물질은, 탄소나노튜브(carbon nano tube), 그래핀(graphene), nano-fiber, nano-rod, nano-needle, 및 nano-pin 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노구조 물질 기반의 X-선관을 위한 게이트-집속전극 일체형 전극 구조
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 서울특별시 경희대 산학협력단 서울시 산학연 협력사업(2007년 기술기반 구축 핵심사업) 나노 기반 차세대 방사선 진단기 연구단