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LDMOS 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2014035545
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 LDMOS 트랜지스터에 관한 것으로서, 반도체 기판, 반도체 기판에 배열된 게이트 리드 메탈, 게이트 리드 메탈의 중심에 게이트 리드 메탈과 수직하게 연결된 게이트 메탈, 중앙부가 게이트 메탈에 수직하게 접속되는 게이트 핑거, 게이트 핑거 사이에 게이트 핑거와 평행하게 배열되는 드레인 핑거, 드레인 핑거의 한쪽 끝을 드레인 핑거와 수직이 되도록 전기적으로 접속한 드레인 리드 메탈 및 게이트 핑거를 감싸고 형태로 형성된 메탈 클램프를 포함하고, 게이트 리드 메탈 아래에는 게이트 메탈과 게이트 핑거의 접속을 위한 콘택 홀(contact hole) 형성을 위해 사용되는 절연막 및 필드산화막이 형성되어 있어, 차단 주파수 ft와 최대 진동 주파수 fmax가 높일 수 있으며, 소자를 격리시켜 서로 다른 기능을 하는 칩들과의 누화를 방지하고 선형성을 증가시킬 수 있는 것이다. LDMOS 트랜지스터, RF power 트랜지스터, 셀가드링, 칩가드링
Int. CL H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/06 (2006.01.01) H01L 29/78 (2006.01.01)
CPC H01L 29/66681(2013.01) H01L 29/66681(2013.01) H01L 29/66681(2013.01) H01L 29/66681(2013.01)
출원번호/일자 1020090094961 (2009.10.07)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1099931-0000 (2011.12.21)
공개번호/일자 10-2011-0037489 (2011.04.13) 문서열기
공고번호/일자 (20111228) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.10.07)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 심규환 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 조덕호 대한민국 서울특별시 강동구
3 최철종 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인리온 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ***, *층(반포동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.10.07 수리 (Accepted) 1-1-2009-0613212-08
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2010-5245806-20
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.04.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0201289-00
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.06.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0449666-12
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0449659-92
6 등록결정서
Decision to grant
2011.11.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0653954-88
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판; 상기 반도체 기판에 배열된 게이트 리드 메탈; 상기 게이트 리드 메탈의 중심에 상기 게이트 리드 메탈과 수직하게 연결된 게이트 메탈; 중앙부가 상기 게이트 메탈에 수직하게 접속되는 게이트 핑거; 상기 게이트 핑거 사이에 상기 게이트 핑거와 평행하게 배열되는 드레인 핑거; 상기 드레인 핑거의 한쪽 끝을 전기적으로 접속하며 상기 드레인 핑거와 수직이 되도록 형성된 드레인 리드 메탈; 및 상기 게이트 핑거를 감싸는 형태로 형성된 메탈 클램프;를 포함하고, 상기 게이트 리드 메탈 아래에는, 상기 게이트 메탈과 상기 게이트 핑거의 접속을 위한 콘택 홀(contact hole) 형성을 위해 사용되는 절연막 및 필드산화막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 LDMOS 트랜지스터
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 절연막과 필드산화막의 두께의 합은 1㎛ 이상이고 20㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 LDMOS 트랜지스터
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제 1항에 있어서, 상기 LDMOS 트랜지스터의 단위 셀들을 소자 격리하고, 상기 단위 셀들의 밖을 소자격리하여 LDMOS 칩을 외부 소자로부터 격리하는 것을 특징으로 하는 LDMOS 트랜지스터
5 5
제 4항에 있어서, 상기 소자격리는 P+ 가드링으로 수행하는 것을 특징으로 하는 LDMOS 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.