| 1 |
1
베어기판(bare substrate)을 준비하는 단계;
상기 베어기판 상에 산화막을 형성하는 단계;
상기 산화막 상에 투명도전막을 형성하는 단계;
상기 투명도전막에 제1식각공정을 적용하여 나노 사이즈의 구(nanosphere)를 형성하는 단계;
상기 나노사이즈의 구(nanosphere) 하부면의 상기 산화막을 제2식각공정을 적용하여 나노 사이즈의 식각마스크로 형성하는 단계;
상기 나노사이즈의 식각마스크에 제3식각공정을 적용하여 상기 베어기판상에 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 질화물계 반도체 발광 소자의 기판 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,
상기 나노 사이즈의 구를 형성하기 위한 투명도전막은 SnOx, InxOy, AlxOy, ZnO, ZrOx, HfOx, TiOx, TaxOy, GaxO등 중에 어느 하나 또는 두 개 이상의 조성물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 기판 제조방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,
상기 투명도전막이 ITO인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 기판 제조방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,
상기 제1식각공정은 염산(HCl), 질산(HNO3), 인산(H3PO4), 옥살산(oxalic acid), 황산(H2SO4), 불산(HF) 등의 산성용액 중에 하나 이상을 적용하여 식각하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 기판 제조방법
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,
상기 산성용액의 산도(pH)는 0
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,
상기 투명도전막은 열처리를 거치지 않은 다결정질 상태로서 결합력이 약한 결정 경계(grain boundary)를 가지며, 상기 산화막과의 결합력이 약한 계면에서 활발한 식각에 의해 나노 사이즈의 구를 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 기판 제조방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,
상기 투명도전막의 두께는 50nm ~ 600nm 이며, 상기 두께를 조절함에 따라 생성되는 나노 사이즈의 구의 평균적인 크기를 조절하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 기판 제조방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,
상기 산화막은 SiOx, SixNy 등의 조성물 중에서 하나 혹은 두 개 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 기판 제조방법
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,
상기 제1식각공정 이후에 나노 사이즈의 구의 열처리 경화단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 기판 제조방법
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,
상기 제1식각공정 이후에 나노 사이즈의 구의 형태를 변화시키는 ICP처리 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 기판 제조방법
|
| 11 |
11
제1항에 있어서,
상기 제2식각공정은 습식식각인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 기판 제조방법
|
| 12 |
12
제1항에 있어서,
상기 제2식각공정은 건식식각인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 기판 제조방법
|
| 13 |
13
제1항에 있어서,
상기 제3식각공정은 황산과 인산이 3:1의 부피비로 혼합된 산성용액을 사용하여 식각하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 기판 제조방법
|
| 14 |
14
제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제3식각공정은 식각온도가 270 ~ 280 ℃인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자의 기판 제조방법
|
| 15 |
15
제1항에 있어서,
상기 베어기판은 일면에 요철이 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 기판 제조방법
|
| 16 |
16
삭제
|
| 17 |
17
삭제
|
