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유기 태양전지 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014035588
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 제1전극과 전자주게층 사이에 정공수송층이 형성되고, 형성된 정공 수송층은 전자주게층에 비해 HOMO 에너지 레벨을 낮거나 같게 형성하고, 이동도는 전자주게층보다 높게 형성한 유기 태양전지 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이에 따르면 정공의 추출, 주입 및 이동특성을 향상시키고, 결과적으로 최대개방전압을 향상시킬 수 있게 되어, 본 발명의 유기 태양전지 소자를 이용하여 태양전지를 제조한 경우, 보다 효율성이 높은 유기 태양전지를 제조할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 51/42 (2014.01)
CPC H01L 51/4246(2013.01) H01L 51/4246(2013.01)
출원번호/일자 1020110013699 (2011.02.16)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1133973-0000 (2012.03.30)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120409) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.02.16)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권장혁 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 박정수 대한민국 서울특별시 성동구
3 전우식 대한민국 서울특별시 성북구
4 손영훈 대한민국 서울특별시 광진구
5 최진우 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김희곤 대한민국 대전시 유성구 문지로 ***-*(문지동) *동(웰쳐국제특허법률사무소)
2 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)
3 박용순 대한민국 서울특별시 송파구 법원로*길 **, **층 D-****호(문정동)(주심국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0110678-09
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.12.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.01.17 수리 (Accepted) 9-1-2012-0005397-21
4 등록결정서
Decision to grant
2012.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0164401-50
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1전극; 전자주게층;상기 전자주게층과 연결되는 전자받게층;상기 전자받게층과 연결되는 제2전극;일측이 상기 제1전극과 연결되고, 타측이 상기 전자주게층과 연결되는 정공수송층; 을 포함하고,상기 정공수송층의 HOMO (highest occupied molecular orbital) 에너지 레벨은 상기 전자주게층의 HOMO (highest occupied molecular orbital) 에너지 레벨보다 낮거나 같게 형성되고,상기 정공수송층의 이동도(mobility)는 상기 전자주게층의 이동도(mobility)보다 큰 값을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 태양전지 소자
2 2
제1전극; 전자주게층과 전자받게층이 혼합되어 형성된 활성층;상기 활성층과 연결되는 제2전극;일측이 상기 제1전극과 연결되고, 타측이 상기 활성층과 연결되는 정공수송층; 을 포함하고,상기 정공수송층의 HOMO (highest occupied molecular orbital) 에너지 레벨은 상기 전자주게층의 HOMO (highest occupied molecular orbital) 에너지 레벨보다 낮거나 같게 형성되고,상기 정공수송층의 이동도(mobility)는 상기 전자주게층의 이동도(mobility)보다 큰 값을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 태양전지 소자
3 3
청구항 1 또는 2에 있어서,상기 정공수송층의 이동도(mobility)는 10-5cm2/Vs 내지 10-1cm2/Vs 인 것을 특징으로 하는 유기 태양전지 소자
4 4
청구항 1 또는 2에 있어서,상기 정공수송층의 HOMO (highest occupied molecular orbital) 에너지 레벨은, 상기 제1전극의 일함수 에너지 레벨보다 높거나 같게 형성되는 것을 특징으로 유기 태양전지 소자
5 5
청구항 4에 있어서,상기 전자주게층의 HOMO 에너지 레벨과 상기 제1전극의 일함수 에너지 레벨간의 차이는 0eV 초과 1
6 6
청구항 1 또는 2에 있어서,상기 정공수송층의 LUMO (lowest occupied molecular orbital) 에너지 레벨은 상기 전자주게층의 LUMO (lowest occupied molecular orbital) 에너지 레벨보다 낮거나 같게 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 태양전지 소자
7 7
청구항 6에 있어서,상기 정공수송층의 LUMO 에너지 레벨은 1eV 내지 3eV 인 것을 특징으로 하는 유기 태양전지 소자
8 8
청구항 1 또는 2에 있어서,상기 정공수송층은, 상기 전자주게층의 에너지 밴드갭보다 큰 에너지 밴드갭을 갖는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 태양전지 소자
9 9
제1전극상에 정공수송층을 형성하는 정공수송층 형성단계;상기 정공수송층상에 전자주게층을 형성하는 전자주게층 형성단계;상기 전자주게층상에 전자받게층을 형성하는 전자받게층 형성단계;상기 전자받게층상에 제2전극을 형성하는 제2전극형성단계;를 포함하고,상기 정공수송층 형성단계에서, 상기 정공수송층의 HOMO (highest occupied molecular orbital) 에너지 레벨은 상기 전자주게층의 HOMO (highest occupied molecular orbital) 에너지 레벨보다 낮거나 같게 형성되고,상기 정공수송층의 이동도(mobility)는 상기 전자주게층의 이동도(mobility)보다 큰 값을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 태양전지 소자 제조방법
10 10
제2전극상에 전자받게층을 형성하는 전자받게층 형성단계;상기 전자받게층상에 전자주게층을 형성하는 전자주게층 형성단계;상기 전자주게층상에 정공수송층을 형성하는 정공수송층 형성단계;상기 정공수송층상에 제1전극을 형성하는 제1전극형성단계;를 포함하고,상기 정공수송층 형성단계에서, 상기 정공수송층의 HOMO (highest occupied molecular orbital) 에너지 레벨은 상기 전자주게층의 HOMO (highest occupied molecular orbital) 에너지 레벨보다 낮거나 같게 형성되고,상기 정공수송층의 이동도(mobility)는 상기 전자주게층의 이동도(mobility)보다 큰 값을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 태양전지 소자 제조방법
11 11
청구항 9 또는 10에 있어서,상기 정공수송층의 이동도(mobility)는 10-5cm/Vs 내지 10-1cm/Vs 로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 태양전지 소자 제조방법
12 12
청구항 9 또는 10에 있어서, 상기 정공수송층 형성단계에서,상기 정공수송층의 HOMO (highest occupied molecular orbital) 에너지 레벨은 상기 제1전극의 일함수 에너지 레벨보다 높거나 같도록 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 태양전지 소자 제조방법
13 13
청구항 12에 있어서, 상기 전자주게층의 HOMO 에너지 레벨과 상기 제1전극의 일함수 에너지 레벨간의 차이는 0eV 초과 1
14 14
청구항 9 또는 10에 있어서, 상기 정공수송층 형성단계에서,상기 정공수송층의 LUMO (lowest occupied molecular orbital) 에너지 레벨은 상기 전자주게층의 LUMO (lowest occupied molecular orbital) 에너지 레벨보다 낮거나 같도록 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 태양전지 소자 제조방법
15 15
청구항 14에 있어서,상기 정공수송층의 LUMO 에너지 레벨은 1eV 내지 3eV 로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 태양전지 소자 제조방법
16 16
청구항 9 또는 10에 있어서, 상기 정공수송층 형성단계에서,상기 정공수송층은, 상기 전자주게층의 에너지 밴드갭보다 큰 에너지 밴드갭을 갖는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 태양전지 소자 제조방법
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