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기판;상기 기판상에 형성되는 하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성되는 Cs2CO3층;상기 Cs2CO3층 상에 형성되는 활성층(Active Layer);상기 활성층 상에 진공 증착된 MoO3층;상기 MoO3층 상에 형성되는 상부 전극;으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 인버티드 전극 구조를 갖는 유기 박막 태양전지
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청구항 1에 있어서,상기 하부 전극은,ITO(Indium Tin Oxide)전극인 것을 특징으로 하는 인버티드 전극 구조를 갖는 유기 박막 태양전지
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청구항 1에 있어서,상기 활성층은,P3HT:PCBM인 것을 특징으로 하는 인버티드 전극 구조를 갖는 유기 박막 태양전지
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4
청구항 1에 있어서,상기 MoO3층의 두께는,1 내지 3nm인 것을 특징으로 하는 인버티드 전극 구조를 갖는 유기 박막 태양전지
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5
청구항 1에 있어서,상기 상부 전극은,Al 또는 Ag 전극인 것을 특징으로 하는 인버티드 전극 구조를 갖는 유기 박막 태양전지
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6
청구항 1에 있어서,상기 상부 전극 상에 소자 보호를 위해 형성된 패시베이션(Passivation)층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인버티드 전극 구조를 갖는 유기 박막 태양전지
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7
청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판은,연성(Flexible)기판인 것을 특징으로 하는 인버티드 전극 구조를 갖는 유기 박막 태양전지
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8
(A) 기판상에 하부 전극을 형성하는 단계;(B) 상기 하부 전극 상에 Cs2CO3층을 형성하는 단계;(C) 상기 Cs2CO3층 상에 P3HT:PCBM 물질을 혼합하여 활성층(Active Layer)을 형성하는 단계;(D) 상기 활성층 상에 진공 증착을 통해 MoO3층을 형성하는 단계;(E) 상기 MoO3층 상에 상부 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 인버티드 전극 구조를 갖는 유기 박막 태양전지 제조 방법
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9
청구항 8에 있어서,상기 (A) 단계의 상부 전극은,ITO(Indium Tin Oxide) 전극인 것을 특징으로 하는 인버티드 전극 구조를 갖는 유기 박막 태양전지 제조 방법
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10
청구항 8에 있어서,상기 (B) 단계는,용액 공정을 통해 스핀 코팅(Spin Coating)된 Cs2CO3층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 인버티드 전극 구조를 갖는 유기 박막 태양전지 제조 방법
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11
청구항 8에 있어서,상기 (D) 단계는,1 내지 3nm의 두께로 MoO3층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 인버티드 전극 구조를 갖는 유기 박막 태양전지 제조 방법
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12
청구항 8에 있어서,상기 (E) 단계는,Al 또는 Ag 전극으로 하부 전극을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 인버티드 전극 구조를 갖는 유기 박막 태양전지 제조 방법
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13
청구항 8에 있어서,상기 (E) 단계 이후에,(F) 상기 상부 전극 상에 소자 보호를 위한 패시베이션(Passivation)층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인버티드 전극 구조를 갖는 유기 박막 태양전지 제조 방법
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14
청구항 8 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 있어서,상기 (A) 단계의 기판은,연성(Flexible)기판인 것을 특징으로 하는 인버티드 전극 구조를 갖는 유기 박막 태양전지 제조 방법
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