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산화아연 막이 코팅된 산화주석 나노와이어의 제조방법 및 이에 의하여 제조되는 산화아연 막이 코팅된 산화주석 나노와이어

  • 기술번호 : KST2014035895
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 오염 및 산화방지와 형광특성 향상을 위한 산화아연 막이 코팅된 산화주석 나노와이어의 제조방법 및 이에 의하여 제조되는 산화주석 나노와이어에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 주석(Sn) 분말을 열 기화시켜 산화주석 나노와이어를 형성하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 형성된 산화주석(SnO2)나노와이어에 산화아연(ZnO)을 코팅하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2에 의하여 산화아연 막이 코팅된 산화주석 나노와이어를 환원성 분위기에서 열처리하는 단계(단계 3)를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연 막이 코팅된 산화주석 나노와이어의 제조방법 및 이에 의하여 제조되는 산화주석 나노와이어를 제공함으로써, 향상된 발광특성을 나타내며, 수명과 신뢰성을 개선함으로써 산화주석 나노와이어를 이용하여 우수한 광전자 소자 또는 전자소자를 제작할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL C01G 19/02 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020100091560 (2010.09.17)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1242577-0000 (2013.03.06)
공개번호/일자 10-2012-0029639 (2012.03.27) 문서열기
공고번호/일자 (20130319) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.17)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종무 대한민국 경기도 고양시 일산동구
2 진창현 대한민국 인천광역시 남구
3 박성훈 대한민국 인천광역시 부평구
4 백경준 대한민국 경기도 고양시 일산동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 동주 경기도 부천시 수
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0607137-09
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.08.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0466061-24
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0795977-12
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.09.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0795978-57
5 등록결정서
Decision to grant		 2013.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0145802-00
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
주석(Sn) 분말을 기판에 증착된 금(Au) 박막을 촉매로 사용하여 산소 공급하에 열 기화시켜 산화주석 나노와이어를 형성하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 형성된 산화주석 나노와이어에 산화아연(ZnO)을 코팅하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2에 의하여 산화아연 막이 코팅된 산화주석 나노와이어를 N2 /3 mol%H2인 혼합가스에 의해 조성되는 환원성 분위기에서 400 내지 700 ℃ 의 온도범위에서 열처리하는 단계(단계 3)를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자용 산화아연 막이 코팅된 산화주석 나노와이어의 제조방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 단계 2의 산화아연 코팅은 화학기상증착법, 원자 층 증착법 및 스퍼터링 법으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나의 방법에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 발광소자용 산화아연 막이 코팅된 산화주석 나노와이어의 제조방법
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제1항의 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 발광소자용 산화아연 막이 코팅된 산화주석 나노와이어
7 7
제6항에 있어서, 상기 산화주석 나노와이어에 코팅된 산화아연 막의 두께는 2 내지 10 nm인 것을 특징으로 하는 발광소자용 산화아연 막이 코팅된 산화주석 나노와이어
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 인하대학교 산학협력단 도약연구지원사업 나노다공성 실리콘 기반 차세대 암진단 및 치료기술