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페이스트 또는 잉크를 이용한 구리인듐셀렌계 또는 구리인듐갈륨셀렌계 박막의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014036130
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지용 CIGS(구리인듐갈륨셀렌)계 또는 CIS(구리인듐셀렌)계 박막의 제조에 관한 것으로서, (1) Cu, In 및 Ga의 전구체들을 용매 중에서 혼합하고, 고분자 바인더를 첨가하여 페이스트 또는 잉크를 수득하는 단계; (2) 수득된 CIG 전구체 페이스트를 이용하여 프린팅, 스핀코팅, 또는 스프레이 방법으로 전도성 기판에 코팅한 후 이를 공기 또는 산소 기체 분위기에서 열처리 하여 잔존 유기물을 제거하고 CIG 산화물 박막을 수득하는 단계; (3) 수득된 CIG 산화물 박막을 황화 또는 수소 기체 분위기에서 열처리를 하여 환원된 CIG 박막을 수득하는 단계; (4) 환원 또는 황화된 CIG 박막을 셀레늄 기체 분위기에서 열처리 하여 CIGS 박막을 수득하는 단계를 포함하는 것을 특징이며, 종래 페이스트 코팅법의 가장 큰 문제인 유기첨가물에 기인한 잔존 탄소를 획기적으로 줄일 수 있을 뿐만 아니라 CIGS 결정립의 크기를 향상시킬 수 있어 궁극적으로 프린팅 방법에 의해 제조되는 CIGS 태양전지의 효율을 향상 시키는 효과를 얻을 수 있다.
Int. CL B05D 3/02 (2014.01) H01L 31/042 (2014.01) C09D 11/52 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020100096381 (2010.10.04)
출원인 한국과학기술연구원, 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1075873-0000 (2011.10.17)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20111025) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.10.04)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
2 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 민병권 대한민국 서울특별시 성북구
2 박세진 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
2 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2010-0639690-19
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2011.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0501571-83
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.07.27 수리 (Accepted) 9-1-2011-0063066-38
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0663339-51
6 등록결정서
Decision to grant		 2011.09.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0507585-08
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(1) Cu, In 및 Ga의 전구체들을 용매 중에서 혼합하고, 고분자 바인더를 첨가하여 페이스트 또는 잉크를 수득하는 단계; (2) 수득된 CIG 전구체 페이스트를 이용하여 프린팅, 스핀 코팅, 또는 스프레이 방법으로 전도성 기판에 코팅한 후 이를 공기 또는 산소 기체 분위기에서 열처리 하여 잔존 유기물을 제거하고 CIG 산화물 박막을 수득하는 단계; 및 3) 수득된 CIG 산화물 박막을 수소 또는 황화 기체 분위기에서 열처리를 하여 환원된 CIG 박막 또는 황화된 CIG 박막을 수득하는 단계; 및(4) 수득된 환원된 CIG 박막 또는 황화된 CIG 박막을 셀레늄 증기 분위기에서 열처리를 하여 CIGS 박막을 수득하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 Cu, In 또는 Ga 전구체는 용매 중에서 각 금속 이온을 생성할 수 있는 것으로서, 각 금속 이온들 또는 이들 혼합물의 수산화물, 질산염, 황산염, 아세트산염, 염화물, 아세틸아세토네이트, 포름산염 또는 산화물 중에서 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 Cu, In 또는 Ga 전구체는 1 : 0
4 4
제 1항에 있어서, 상기 단계 (1)에서 사용되는 용매는 물, 알코올, 아세톤 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 바인더는 에틸 셀룰로스, 팔미트산, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리프로필렌카보네이트 또는 이들의 혼합물 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 단계 (1)에서 분산제를 더 첨가하는 것을 특징으로 하는 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법
7 7
제 6항에 있어서, 상기 분산제는 α-터피에놀, 에틸렌글리콜, 티오아세트아미드, 에틸렌다이아민, 모노에틸렌아민 또는 이들의 혼합물 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법
8 8
제 1항에 있어서, 상기 단계 (1) 또는 단계 (2)에서 Na, K, Ni, P, As, Sb, 또는 Bi 성분, 또는 이들의 혼합물을 도펀트 (dopant)로 첨가하는 것을 특징으로 하는 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법
9 9
제 1항에 있어서, 상기 단계 (2)에서, 상기 페이스트를 닥터 블레이드 코팅, 스핀 코팅, 스크린 프린팅 또는 스프레이 방법에 의해 코팅하는 것을 특징으로 하는 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법
10 10
제 1항에 있어서, 상기 단계 (2)에서, 상기 열처리는 200 내지 900℃ 범위의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법
11 11
제 1항에 있어서, 상기 단계 (3)에서, 수소 또는 황을 포함하는 기체 분위기에서 각각 또는 순차적으로 열처리를 하는 것을 특징으로 하는 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법
12 12
제 1항에 있어서, 상기 단계 (3)에서, 수소 또는 황을 포함하는 기체는 H2, H2S, S 증기, 또는 이들과 불활성 기체의 혼합 기체 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법
13 13
제 1항에 있어서, 상기 단계 (3)에서, 상기 열처리는 400 내지 900℃ 범위의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법
14 14
제 1항에 있어서, 상기 단계 (4)에서, 셀레늄을 포함하는 기체는 H2Se, Se 증기, 또는 이들과 불활성 기체의 혼합 기체 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법
15 15
제 1항에 있어서, 상기 단계 (4)에서, 상기 열처리는 400 내지 900℃ 범위의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법
16 16
제 1항에 따른 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법에 의해 제조되며, 잔존 탄소량이 1 at% 이하인 것을 특징으로 하는 태양전지용 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막
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1 US2012080091 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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