맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

박막태양전지

  • 기술번호 : KST2014036133
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 ZnO 박막 형성시 전구체들의 주입량 비율을 조절하는 것을 통해 박막의 결정 성장방향을 003c#0002003e# 방향에서 003c#1120003e# 방향으로 유도함과 함께 입자크기 및 증착속도를 효과적으로 제어하여 ZnO 박막의 표면 요철 구조의 재현성을 향상시킬 수 있는 ZnO 박막 성장방법 그리고 이를 이용한 박막태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 ZnO 박막 성장방법은 MOCVD(metal-organic chemical vapor deposition) 방법을 이용하여 ZnO 박막을 성장시키며, 전구체는 003c#산소를 포함하는 물질003e#과 003c#아연을 포함하는 물질003e#로 구성되며, 상기 003c#산소를 포함하는 물질003e#과 003c#아연을 포함하는 물질003e#의 주입량의 비율을 변화시켜 ZnO 박막의 결정 성장방향을 003c#0002003e# 방향에서 003c#1120003e# 방향으로 변화시키는 것을 특징으로 한다.
Int. CL C23C 16/18 (2014.01) C23C 16/44 (2014.01) C23C 16/40 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC C23C 16/18(2013.01) C23C 16/18(2013.01) C23C 16/18(2013.01) C23C 16/18(2013.01) C23C 16/18(2013.01)
출원번호/일자 1020100115988 (2010.11.22)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1064517-0000 (2011.09.06)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20110915) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.11.22)
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 백영준 대한민국 서울특별시 노원구
2 정증현 대한민국 서울특별시 관악구
3 박종극 대한민국 서울특별시 서초구
4 김원목 대한민국 서울특별시 노원구
5 이경석 대한민국 경상북도 포항시 남구
6 이택성 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0759643-65
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2011.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0047070-93
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2011.01.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2011.01.28 수리 (Accepted) 9-1-2011-0006308-12
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0135181-96
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.04.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0247459-85
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2011-0247457-94
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.06.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0303224-13
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.07.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0522030-31
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.07.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0522029-95
11 등록결정서
Decision to grant		 2011.09.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0499030-47
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
MOCVD(metal-organic chemical vapor deposition) 방법을 이용하여 ZnO 박막을 성장시키며, 전구체는 003c#H2O003e#과 003c#아연을 포함하는 물질003e#로 구성되며, 상기 003c#H2O003e#과 003c#아연을 포함하는 물질003e#의 주입량의 비율을 변화시켜 ZnO 박막의 결정 성장방향을 003c#0002003e# 방향에서 003c#1120003e# 방향으로 변화시키는 것을 특징으로 하는 ZnO 박막 성장방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 003c#H2O003e#과 003c#아연을 포함하는 물질003e#의 주입량의 비율은 003c#H2O003e#/003c#아연을 포함하는 물질003e# = 0
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 003c#아연을 포함하는 물질003e#은 DEZ(diethylzinc) 또는 DMZ(dimethylzinc)인 것을 특징으로 하는 ZnO 박막 성장방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 ZnO 박막의 증착온도는 80∼230℃인 것을 특징으로 하는 ZnO 박막 성장방법
6 6
삭제
7 7
기판을 준비하는 단계; 및상기 기판 상에 표면 요철 구조를 갖는 ZnO 박막을 증착시키는 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 ZnO 박막은 MOCVD 방법을 이용하여 증착시키며, 전구체는 003c#H2O003e#과 003c#아연을 포함하는 물질003e#로 구성되며, 상기 003c#H2O003e#과 003c#아연을 포함하는 물질003e#의 주입량의 비율을 변화시켜 ZnO 박막의 결정 성장방향을 003c#0002003e# 방향에서 003c#1120003e# 방향으로 변화시키는 것을 특징으로 하는 ZnO 박막 성장방법을 이용한 박막태양전지 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 기판은 상기 ZnO 박막 증착시 공정온도인 80∼120℃에서 변형이 발생되지 않는 고분자 기판인 것을 특징으로 하는 ZnO 박막 성장방법을 이용한 박막태양전지 제조방법
9 9
제 7 항에 있어서, 상기 003c#H2O003e#과 003c#아연을 포함하는 물질003e#의 주입량의 비율은 003c#H2O003e#/003c#아연을 포함하는 물질003e# = 0
10 10
제 7 항에 있어서, 상기 003c#아연을 포함하는 물질003e#은 DEZ(diethylzinc) 또는 DMZ(dimethylzinc)인 것을 특징으로 하는 ZnO 박막 성장방법을 이용한 박막태양전지 제조방법
11 11
삭제
12 12
제 7 항에 있어서, 상기 ZnO 박막의 증착온도는 80∼230℃인 것을 특징으로 하는 ZnO 박막 성장방법을 이용한 박막태양전지 제조방법
13 13
삭제
14 14
삭제
15 15
삭제
16 16
삭제
17 17
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.