| 1 |
1
유기용매에 니오븀 전구체, 탄탈륨 전구체, 티타늄 전구체 및 지르코늄 전구체로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 0
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
청구항 1에 있어서, 상기 유기용매는 N,N-디메틸포름아미드인 것을 특징으로 하는 음극전기도금과 양극산화에 의해 복합 산화물 유전체가 형성된 알루미늄 박막의 제조방법
|
| 4 |
4
청구항 1에 있어서,상기 니오븀 전구체로는 NbCl5 또는 NbOCl3을 사용하며, 탄탈륨 전구체로는 TaCl4을 사용하며, 티타늄 전구체로는 TiCl4을 사용하며, 지르코늄 전구체로는 ZrOCl2·8H2O을 사용하는 것을 특징으로 하는 음극전기도금과 양극산화에 의해 복합 산화물 유전체가 형성된 알루미늄 박막의 제조방법
|
| 5 |
5
청구항 1에 있어서,상기 단계 2에서 음극전기도금은 1～20 ℃에서 1～50 mA/cm2의 전류밀도를 가하여 10분 내지 1시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 음극전기도금과 양극산화에 의해 복합 산화물 유전체가 형성된 알루미늄 박막의 제조방법
|
| 6 |
6
청구항 1에 있어서,상기 단계 2에서 알루미늄 박막에 형성되는 고유전체층은 20～200 nm 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 음극전기도금과 양극산화에 의해 복합 산화물 유전체가 형성된 알루미늄 박막의 제조방법
|
| 7 |
7
청구항 1에 있어서,상기 단계 2에서 양극판으로 백금 전극막을 사용하는 것을 특징으로 하는 복합 산화물 유전체가 형성된 알루미늄 박막의 제조방법
|
| 8 |
8
청구항 1에 있어서,상기 단계 3에서 양극산화과정은 상기 전해액에 붕산(H3BO3)을 첨가한 후 1～10 mA/cm2 조건에서 100～600 V의 전압을 인가하여 수행되는 것을 특징으로 하는 음극전기도금과 양극산화에 의해 복합 산화물 유전체가 형성된 알루미늄 박막의 제조방법
|
| 9 |
9
청구항 1에 있어서,상기 단계 3에서 양극산화과정은 상기 전해액에 아디픽산 암모늄을 첨가한 후 5～10 mA/cm2 조건에서 100～200 V의 전압을 인가하여 수행되는 것을 특징으로 하는 음극전기도금과 양극산화에 의해 복합 산화물 유전체가 형성된 알루미늄 박막의 제조방법
|
| 10 |
10
청구항 1에 있어서,상기 단계 3에서 양극산화과정은 상기 전해액에 인산 암모늄을 첨가한 후 1～10 mA/cm2 조건에서 100～200 V의 전압을 인가하여 수행되는 것을 특징으로 하는 음극전기도금과 양극산화에 의해 복합 산화물 유전체가 형성된 알루미늄 박막의 제조방법
|
| 11 |
11
청구항 1에 있어서,상기 단계 4에서 알루미늄 박막에 대한 열처리하는 과정은 전기로에서 400～560℃에서 1～4 시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 음극전기도금과 양극산화에 의해 복합 산화물 유전체가 형성된 알루미늄 박막의 제조방법
|
