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기판,상기 기판 위에 위치하고, TiN(질화티타늄)을 포함하는 중간층, 및상기 중간층 위에 위치하는 Co(코발트)/Pd(팔라듐) 다층 박막층을 포함하고,상기 Co/Pd 다층 박막층은 상기 중간층의 판면과 교차하는 방향으로 뻗은 복수의 주상정들을 포함하고, 상기 복수의 주상정들 중 둘 이상의 주상정들은 상호 분리되어 형성되고, 상기 주상정은 상기 Pd를 포함하는 자성 박막 부재
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제1항에 있어서,상기 Co/Pd 다층 박막층은, 상기 Co를 포함하는 제1층, 및 상기 제1층 위에 적층되고, 상기 Pd를 포함하는 제2층을 포함하고, 상기 제1층 및 상기 제2층이 반복 적층되어 형성되고, 상기 제2층의 두께는 상기 제1층의 두께보다 큰 자성 박막 부재
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제1항에 있어서,상기 TiN의 양은 15vol% 내지 20vol%인 자성 박막 부재
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제3항에 있어서,상기 Co/Pd 다층 박막층의 보자력은 상기 TiN의 양에 비례하는 자성 박막 부재
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제1항에 있어서,상기 중간층은 결정립들을 포함하고, 상기 결정립들의 평균 입도는 7nm 내지 11nm인 자성 박막 부재
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삭제
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삭제
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제1항에 있어서,상기 중간층은 또다른 Pd를 더 포함하는 자성 박막 부재
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기판을 제공하는 단계,상기 기판 위에 TiN을 포함하는 중간층을 증착하는 단계, 및상기 중간층 위에 Co/Pd 박막을 복수회 증착하여 다층 박막을 제공하는 단계를 포함하고,상기 다층 박막을 제공하는 단계에서, 상기 다층 박막은 상기 중간층의 판면과 교차하는 방향으로 뻗은 복수의 주상정들을 포함하고, 상기 복수의 주상정들 중 둘 이상의 주상정들은 상호 분리되어 형성되고, 상기 주상정은 상기 Pd를 포함하는 자성 박막 부재의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 다층 박막을 제공하는 단계는, 상기 Co를 포함하는 제1 박막을 제공하는 제1 단계, 상기 제1 박막 위에 상기 Pd를 포함하는 제2 박막을 제공하는 제2 단계, 및 상기 제1 단계 및 상기 제2 단계를 반복하는 제3 단계를 포함하는 자성 박막 부재의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 중간층을 증착하는 단계에서, 상기 중간층은 또다른 Pd를 더 포함하고,상기 중간층을 증착하는 단계는, 상기 또다른 Pd의 증착량을 고정하는 단계, 및 상기 TiN의 증착율을 변화시키는 단계를 포함하는 자성 박막 부재의 제조 방법
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