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염료감응형 태양전지로서, 홈(구멍)이 형성된 전도성막의 표면에 부착되는 반도체 입자들 및 이들 상에 적층되는 반도체 입자들을 상기 홈 내 또는 홈 상부에 구비하는 나노 산화물 전극층을 포함하고, 상기 나노 산화물 전극층은, 염료가 흡착된 복수 개의 반도체 입자들을 포함하되, 상기 나노 산화물 전극층의 크기는 적어도 하나의 반도체 입자의 직경보다 크고, 반도체 입자들 각각은 띠간격 에너지가 큰 반도체 나노결정 산화물인, 염료감응형 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 홈의 반경은, 20 마이크로미터 이하인, 염료감응형 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 홈의 깊이는, 20 마이크로미터 이상인, 염료감응형 태양전지
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 홈은, 벽 구조, 격벽 구조, 기둥 구조 중 어느 하나인, 염료감응형 태양전지
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염료감응형 태양전지의 제조 방법으로서, a) 유리기판 위에 전도성막을 입히는 단계; b) 상기 전도성막에 적어도 하나의 홈(구멍)을 형성하는 단계; 및 c) 상기 홈 내 또는 상기 홈의 상부까지 나노 산화물 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 염료감응형 태양전지의 제조 방법
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염료감응형 태양전지의 제조 방법으로서, a) 유리기판 위에 적어도 하나의 홈(구멍)을 형성하는 단계; b) 상기 홈의 측면 및 상기 홈의 하부에 전도성막을 입히는 단계; 및 c) 상기 홈 내 또는 상기 홈의 상부까지 나노 산화물 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 염료감응형 태양전지의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 단계 b)에서 상기 홈의 기둥 상부에 전도성막을 추가적으로 입히는, 염료감응형 태양전지의 제조 방법
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제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 홈의 반경은, 20 마이크로미터 이하이고, 상기 홈의 깊이는, 20 마이크로미터 이상이며, 상기 홈은, 벽 구조, 격벽 구조, 기둥 구조 중 어느 하나인, 염료감응형 태양전지의 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 나노 산화물 전극층은, 염료가 흡착된 복수 개의 반도체 입자들을 포함하되, 상기 나노 산화물 전극층의 크기는 적어도 하나의 반도체 입자의 직경보다 크고, 반도체 입자들 각각은 띠간격 에너지가 큰 반도체 나노결정 산화물인, 염료감응형 태양전지의 제조 방법
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