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고밀도의 압전 후막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014036395
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 (1) 바인더 및 마찰 분쇄된 세라믹 입자를 포함하는 압전 세라믹 입자를 함유하는 페이스트를 준비하는 단계; (2) 상부 표면에 하부 전극이 형성되어 있는 기판 상에 상기 페이스트를 스크린 프린팅하는 단계; (3) 상기 스크린 프린팅된 페이스트로부터 바인더를 제거하는 단계; 및 (4) 바인더가 제거된 기판을 어닐링하는 단계를 포함하는 압전 세라믹 후막의 제조 방법을 제공한다. 또한, 상기 단계 (3)의 전 또는 후에, 냉간 등방향 정압 프레스(CIP) 단계 (3')을 더 포함하는 것인 압전 세라믹 후막의 제조 방법을 제공한다. 압전 후막, 압전 세라믹 입자, 냉간 등방향 정압 프레스, 스크린 프린팅, 마찰 분쇄, 급속열처리
Int. CL H01L 41/187 (2006.01) C04B 35/505 (2006.01) C04B 35/453 (2006.01)
CPC H01L 41/1876(2013.01) H01L 41/1876(2013.01) H01L 41/1876(2013.01) H01L 41/1876(2013.01) H01L 41/1876(2013.01)
출원번호/일자 1020090083182 (2009.09.03)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1059750-0000 (2011.08.22)
공개번호/일자 10-2011-0024976 (2011.03.09) 문서열기
공고번호/일자 (20110826) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.09.03)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤석진 대한민국 서울특별시 도봉구
2 송현철 대한민국 서울특별시 성북구
3 최지원 대한민국 서울특별시 성동구
4 강종윤 대한민국 서울특별시 서초구
5 김진상 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2009-0544547-80
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0114346-96
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2011-0326580-88
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0348385-96
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.05.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0348390-14
7 등록결정서
Decision to grant
2011.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0457995-07
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(1) 마찰 분쇄된 세라믹 입자를 포함하는 압전 세라믹 입자 및 바인더를 함유하는 페이스트를 준비하는 단계, (2) 상부 표면에 하부 전극이 형성되어 있는 기판 상에 상기 페이스트를 스크린 프린팅하는 단계 (3) 상기 스크린 프린팅된 페이스트로부터 바인더를 제거하는 단계, 및 (4) 바인더가 제거된 기판을 어닐링하는 단계를 포함하고, 상기 단계 (3)의 전 또는 후에, (3') 페이스트가 스크린 프린팅된 기판을 플라스틱 필름으로 밀봉한 상태에서 냉간 등방향 정압 프레스하는 냉간 등방향 정압 프레스 단계, 또는 페이스트가 스크린 프린팅된 기판 상에 포토 레지스트를 도포한 후 냉간 등방향 정압프레스하고 포토 레지스트를 제거하는 냉간 등방향 정압 프레스 단계를 포함하는, 압전 세라믹 후막의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 마찰 분쇄된 세라믹 입자는 상기 압전 세라믹 입자와 동일한 성분인 것인 압전 세라믹 후막의 제조 방법
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 압전 세라믹 입자는 압전 세라믹 조성의 0
6 6
제1항에 있어서, 상기 마찰 분쇄된 세라믹 입자는 입자 크기가 0
7 7
제1항에 있어서, 상기 기판은 세라믹 기판 또는 금속 기판인 것인 압전 세라믹 후막의 제조 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 세라믹 기판은 실리콘 웨이퍼(Si)이고, 상기 금속 기판은 알루미나 기판(Al2O3)인 것인 압전 세라믹 후막의 제조 방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 기판과 상기 하부전극 사이에 산화물층 또는 완충막을 더 포함하는 것인 압전 세라믹 후막의 제조 방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 하부 전극은 금, 은 또는 백금 전극인 것인 압전 세라믹 후막의 제조 방법
11 11
제1항에 있어서, 상기 단계 (4)에서는 600 - 1000℃에서 급속 열처리하는 것을 포함하는 압전 세라믹 후막의 제조 방법
12 12
제1항에 있어서, 상기 단계 (2)의 완료 후에 전극을 형성시키고, 단계 (2) 및 전극의 형성 과정을 반복적으로 수행하여 페이스트와 전극이 교대로 적층되는 적층형의 압전 세라믹 후막을 얻는 것인 압전 세라믹 후막의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.