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반사율을 저감시키는 표면 구조를 가지는 태양 전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014036414
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반사율을 저감시키는 표면 구조를 가지는 태양 전지 및 그 제조 방법을 제공한다. 태양 전지는 실리콘 기판을 포함한다. 실리콘 기판은, i) 광이 입사되는 제1 표면, 및 ii) 제1 표면과 반대 방향을 향하는 제2 표면을 포함한다. 제1 표면에는 제2 표면을 향하여 뻗은 하나 이상의 개구부가 형성되고, 제1 개구부가 뻗은 방향은 제1 표면에 대해 경사진다. 태양 전지, 에칭, 결함, 광반사 방지막, 실리콘 기판
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/02363(2013.01) H01L 31/02363(2013.01)
출원번호/일자 1020090072760 (2009.08.07)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1101374-0000 (2011.12.26)
공개번호/일자 10-2011-0015176 (2011.02.15) 문서열기
공고번호/일자 (20120102) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.07)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 우태기 대한민국 경기도 성남시 수정구
2 김성일 대한민국 서울특별시 노원구
3 김용태 대한민국 경기도 성남시 분당구
4 김춘근 대한민국 서울특별시 강남구
5 김영환 대한민국 서울특별시 노원구
6 안효석 대한민국 경기도 성남시 분당구
7 조승목 대한민국 경기도 성남시 중원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.08.07 수리 (Accepted) 1-1-2009-0483389-08
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.12.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.01.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0003897-67
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0129252-43
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0343030-32
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2011-0417362-43
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.06.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0417363-99
9 등록결정서
Decision to grant		 2011.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0756537-90
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판을 포함하는 태양 전지로서, 상기 실리콘 기판은, 광이 입사되는 제1 표면, 및 상기 제1 표면과 반대 방향을 향하는 제2 표면 을 포함하고, 상기 제1 표면에는 상기 제2 표면을 향하여 뻗은 하나 이상의 개구부가 형성되고, 상기 개구부가 뻗은 방향은 상기 제1 표면에 대해 경사지며, 상기 실리콘 기판이 003c#100003e# 방향으로 성장한 경우, 상기 개구부는 (111) 면에 형성된 태양 전지
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 개구부가 뻗은 방향과 상기 제1 표면이 이루는 각은 5˚ 내지 70˚인 태양 전지
4 4
제3항에 있어서, 상기 개구부가 뻗은 방향과 상기 제1 표면이 이루는 각은 54˚ 내지 55˚인 태양 전지
5 5
제1항에 있어서, 상기 제1 표면에는 상기 개구부가 뻗은 방향과 교차하는 방향으로 뻗어서 상기 개구부와 연통되는 또다른 개구부가 형성된 태양 전지
6 6
제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 개구부는 복수의 개구부들을 포함하고, 상기 제1 표면에 상기 복수의 개구부들 중 둘 이상의 개구부들을 상호 연결하는 에칭 영역이 형성된 태양 전지
7 7
제1항에 있어서, 상기 실리콘 기판은 도핑 영역을 포함하는 태양 전지
8 8
제1항에 있어서, 상기 실리콘 기판 위에 위치한 반사 방지막을 더 포함하는 태양 전지
9 9
실리콘 기판을 제공하는 단계, 상기 실리콘 기판의 표면을 기계적으로 연마하는 단계, 및 상기 기계적으로 연마된 실리콘 기판의 표면을 에칭하는 단계 를 포함하고, 상기 실리콘 기판의 표면을 에칭하는 단계에서, 상기 실리콘 기판이 003c#100003e# 방향으로 성장한 경우, 상기 표면 중 (111) 면에 에칭 영역을 형성하는 태양 전지의 제조 방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 실리콘 기판의 표면을 기계적으로 연마하는 단계에서, 상기 실리콘 기판을 일방향으로 기계적 연마하는 태양 전지의 제조 방법
11 11
제9항에 있어서, 상기 실리콘 기판의 표면을 에칭하는 단계에서, 등방성 에칭 용액을 사용하여 상기 에칭 영역을 형성하는 태양 전지의 제조 방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 실리콘 기판의 표면을 10초 내지 60분 동안 에칭하는 태양 전지의 제조 방법
13 13
제11항에 있어서, 상기 등방성 에칭 용액은 HF 및 HNO3를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 등방성 에칭 용액은 CH3COOH를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
15 15
제9항에 있어서, 상기 실리콘 기판의 표면을 기계적으로 연마하는 단계에서 상기 (111) 면에 결정학적 결함이 형성되고, 상기 실리콘 기판의 표면을 에칭하는 단계에서 상기 결정학적 결함이 선택적으로 에칭되는 태양 전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.