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자성 박막 부재 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014036480
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 자성 박막 부재 및 그 제조 방법을 제공한다. 자성 박막 부재는 i) 모재, 및 ii) 모재 위에 위치하고, FePtSn 합금으로 된 자성 박막층을 포함한다. 자성 박막층에 포함된 Sn의 양은 0.1at% 내지 10at%이다. 자성 박막 부재, FePtSn, Sn
Int. CL H01F 10/14 (2006.01) H01F 41/20 (2006.01) G11B 5/31 (2006.01) H01F 41/22 (2006.01)
CPC H01F 10/131(2013.01) H01F 10/131(2013.01) H01F 10/131(2013.01) H01F 10/131(2013.01) H01F 10/131(2013.01)
출원번호/일자 1020090035710 (2009.04.23)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1078872-0000 (2011.10.26)
공개번호/일자 10-2010-0116993 (2010.11.02) 문서열기
공고번호/일자 (20111101) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.04.23)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 천동원 대한민국 서울 마포구
2 김성만 대한민국 서울 도봉구
3 정원용 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0248171-51
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.03.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0023927-73
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0080270-83
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0274671-81
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.05.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0361805-21
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0361804-86
9 등록결정서
Decision to grant
2011.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0608216-67
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
모재, 및 상기 모재 위에 위치하고, FePtSn 합금으로 된 자성 박막층 을 포함하고, 상기 자성 박막층에 포함된 Sn의 양은 0
2 2
제1항에 있어서, 상기 자성 박막층은 0 보다 크고 100㎚ 이하의 두께를 가지고, L10 규칙화 구조를 가지는 자성 박막 부재
3 3
제1항에 있어서, 상기 모재와 상기 자성 박막층 사이에 MgO, Ag, CrRu, RuAl 및 Cr로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소를 포함하는 중간층을 더 포함하는 자성 박막 부재
4 4
제1항에 있어서, 상기 모재는 Si(실리콘), MgO(산화마그네슘) 및 쿼츠(quartz)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소를 포함하는 자성 박막 부재
5 5
삭제
6 6
모재를 제공하는 단계, 상기 모재 위에 철(Fe), 백금(Pt) 및 주석(Sn)을 동시에 증착시켜 FePtSn 합금으로 된 자성 박막층을 제공하는 단계, 및 상기 자성 박막층이 증착된 모재를 300℃ 내지 600℃에서 열처리하는 단계 를 포함하고, 상기 자성 박막을 제공하는 단계에서, 상기 자성 박막에 포함된 Sn의 양은 0
7 7
제6항에 있어서, 상기 모재 및 상기 자성 박막층 사이에 중간층을 제공하는 단계를 더 포함하는 자성 박막 부재의 제조 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 중간층은 MgO, Ag, CrRu, RuAl 및 Cr로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소를 포함하는 자성 박막 부재의 제조 방법
9 9
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.