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MOS(metal-oxide semiconductor) 트랜지스터의 전압강하값을 산출하여 상기 MOS 트랜지스터에 흐르는 전류를 감지 하는 회로에 있어서,증폭기, PMOS(p-channel metal-oxide semiconductor) 트랜지스터, 제1 저항 및 제2 저항을 포함하되,상기 제1 저항은 일단에 상기 MOS 트랜지스터의 소스(source)가 연결되고 타단에 상기 증폭기의 네거티브(negative) 입력단과 상기 PMOS 트랜지스터의 소스가 연결되며, 상기 제2 저항은 그라운드(ground)와 상기 PMOS 트랜지스터의 드레인(drain) 사이에 연결되고,상기 증폭기의 포지티브(positive) 입력단은 상기 MOS 트랜지스터의 드레인에 연결되고, 상기 증폭기의 출력은 상기 PMOS 트랜지스터의 게이트(gate)에 연결되고,상기 전류 감지 회로는 상기 PMOS 트랜지스터의 드레인 전압인 감지전압, 상기 제1 저항 값 및 상기 제2 저항 값을 이용하여 상기 전압강하값을 산출하는 것을 특징으로 하는 전류 감지 회로
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제 1항에 있어서,상기 전류 감지 회로는 하기의 수학식을 이용하여 상기 MOS 트랜지스터의 전압강하값을 산출하는 것을 특징으로 하는 전류 감지 회로
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제 1항 및 제 3항에 있어서,상기 MOS 트랜지스터는 딥 트라이오드(deep triode) 영역에서 동작하고, 상기 MOS 트랜지스터의 저항값은 수학식에 의하여 근사저항값으로 근사화되는 것을 특징으로 하는 전류 감지 회로
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제 4항에 있어서,상기 전류 감지 회로는 수학식 에 의하여 상기 MOS 트랜지스터에 흐르는 전류를 감지 하는 것을 특징으로 전류 감지 회로
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MOS 트랜지스터의 전압강하값을 산출하여 상기 MOS 트랜지스터에 흐르는 전류를 감지 하는 회로에 있어서,일단이 상기 MOS 트랜지스터의 소스에 연결된 제1 저항;일단이 그라운드(GND)에 연결된 제2 저항;상기 제1 저항의 타단과 상기 제2 저항의 타단을 연결하며, 상기 제1 저항을 흐르는 전류와 동일 크기의 전류가 상기 제2 저항을 흐르도록 제어하고, 입력 단자를 통해 상기 MOS 트랜지스터의 드레인 전압을 입력받아 상기 제1 저항의 타단의 전압이 상기 드레인 전압과 같도록 제어하는 제어부를 포함하되,상기 제1 저항의 타단의 전압과 상기 드레인 전압이 같아진 경우 상기 제2 저항에 의한 전압 강하를 기초로 하여 상기 MOS 트랜지스터에 흐르는 전류를 감지하는 전류 감지 회로
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제 6항에 있어서,상기 제2 저항의 의한 전압 강하를 감지 전압으로 산출하되,하기의 수학식에 의하여 상기 MOS 트랜지스터의 전압강하값을 산출하는 것을 특징으로 하는 전류 감지 회로
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제 6항 및 제 7항에 있어서,상기 제어부는 네거티브 피드백(negative feedback)을 이용하여 상기 제1 저항의 타단의 전압이 상기 드레인 전압과 같도록 제어하는 것을 특징으로 하는 전류 감지 회로
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제 8항에 있어서,상기 MOS 트랜지스터는 딥 트라이오드(deep triode) 영역에서 동작하고, 상기 MOS 트랜지스터의 저항값은 수학식에 의하여 근사저항값으로 근사화되는 것을 특징으로 하는 전류 감지 회로
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제 9항에 있어서, 수학식 에 의하여 상기 MOS 트랜지스터에 흐르는 전류를 감지하는 것을 특징으로 하는 전류 감지 회로
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