| 1 |
1
(a) 기판 위에 게이트 전극을 형성하는 단계, (b) 상기 게이트 전극 위에 알루미늄 옥사이드 전구체 용액을 코팅한 후, 가열하여 절연막을 형성하는 단계, 및(c) 상기 절연막 위에 데이터 라인을 형성한 후, 상기 절연막과 상기 데이터 라인 사이에 p 타입 유기물 용액 및 n 타입 유기물 용액을 이용하여 잉크젯 프린팅 기술로 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 용액 공정을 이용한 유기 CMOS 회로 제작 방법
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
청구항 1에 있어서, 상기 p 타입 유기물 용액은 TIPS(Triisopropylsilylethynyl) pentacene 용액인 것을 특징으로 하는 용액 공정을 이용한 유기 CMOS 회로 제작 방법
|
| 4 |
4
청구항 1에 있어서, 상기 n 타입 유기물 용액은 PDI8CN2(N,N0-bis(n-octyl)-(1,70026#1,6)-dicyanoperyline-3,4,:9,10bis(dicarboximide)) 용액인 것을 특징으로 하는 용액 공정을 이용한 유기 CMOS 회로 제작 방법
|
| 5 |
5
청구항 3에 있어서, 상기 n 타입 유기물 용액은 PDI8CN2(N,N0-bis(n-octyl)-(1,70026#1,6)-dicyanoperyline-3,4,:9,10bis(dicarboximide)) 용액인 것을 특징으로 하는 용액 공정을 이용한 유기 CMOS 회로 제작 방법
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
청구항 1에 있어서, 상기 기판은 플라스틱(plastic) 재질인 것을 특징으로 하는 용액 공정을 이용한 유기 CMOS 회로 제작 방법
|
| 8 |
8
청구항 1에 있어서, 상기 게이트 전극은 몰리브덴(Mo)이고, 상기 데이터 라인은 금(Au)인 것을 특징으로 하는 용액 공정을 이용한 유기 CMOS 회로 제작 방법
|
| 9 |
9
청구항 1에 있어서, 상기 (b) 단계의 가열은 100℃이상 250℃미만의 온도로 가열하는 것을 특징으로 하는 용액 공정을 이용한 유기 CMOS 회로 제작 방법
|
| 10 |
10
청구항 1의 용액 공정을 이용한 유기 CMOS 회로 제작 방법으로 제작된 인버터
|
| 11 |
11
청구항 1의 용액 공정을 이용한 유기 CMOS 회로 제작 방법으로 제작된 시프트 레지스터 회로 제작 방법
|
