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커패시터 유전체용 조성물

  • 기술번호 : KST2014036700
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 대면적으로 증착이 가능하면서 저온 열처리로 고용량 캐패시터를 구현할 수 있는 조성물과 그 조성물로부터 구현되는 박막형 고용량 캐패시터 및 그 제조 방법이 개시되어 있다. 조성물은 아세트산 비스무트(bismuth acteate) 또는 질산 비스무트(bismuth nitrate) 원료를 소정의 유기 용매 및 소정의 니오븀 에톡사이드(niobium ethoxide)에 혼합하여 합성된다.유전체, 커패시터, 박막
Int. CL H01L 27/108 (2006.01) H01B 3/02 (2006.01)
CPC H05K 1/162(2013.01) H05K 1/162(2013.01) H05K 1/162(2013.01) H05K 1/162(2013.01)
출원번호/일자 1020090045840 (2009.05.26)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1155377-0000 (2012.06.05)
공개번호/일자 10-2010-0127408 (2010.12.06) 문서열기
공고번호/일자 (20120619) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.05.26)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유명재 대한민국 서울특별시 광진구
2 박성대 대한민국 서울특별시 송파구
3 이규복 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍순우 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, 영진벤처빌딩 *층 (서초동)(라온국제특허법률사무소)
2 김해중 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, 영진벤처빌딩 *층 라온국제특허법률사무소 (서초동)
3 윤석운 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, 영진벤처빌딩 *층 라온국제특허법률사무소 (서초동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2009-0315176-39
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.07.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.08.13 수리 (Accepted) 9-1-2010-0049274-65
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.06.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0319267-84
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.08.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0617803-12
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0711608-09
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.10.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0782583-98
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.10.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0782589-61
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0177016-89
10 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2012.04.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2012-0019459-78
11 등록결정서
Decision to grant
2012.06.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0324137-10
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
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번호 청구항
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유전체용 조성물을 준비하는 단계;플렉시블 기판 상에 상기 조성물을 사용하여 유전체 박막을 형성하는 단계;상기 유전체 박막 상에 전극을 형성하는 단계;상기 유전체 박막 및 전극이 형성된 플렉시블 기판을 400℃ 이하의 온도에서 열처리하는 단계를 포함하고,상기 조성물은 아세트산 비스무트(bismuth acteate) 또는 질산 비스무트(bismuth nitrate) 원료를 유기 용매 및 니오븀 에톡사이드(niobium ethoxide)에 혼합하여 합성되고, 400℃ 이하의 온도에서 열처리된 유전체 박막은 주파수 변화에 따라 유전율이 변화하지 않는 상유전성을 가지는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 유기 용매는 메톡시 에탄올(methoxy ethanol)을 포함하는 커패시터 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 조성물은 자력 교반기(magnetic strirrer)을 이용하여 혼합하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 혼합은 상기 유기 용매를 끊는점 이하의 온도로 가열하여 혼합하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 혼합은 환류(reflux) 공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 유전체 박막을 형성하는 단계는, 딥 코팅(dip coating) 공정, 스프레이 코팅(spray coating) 공정, 스핀 코팅(spin coating) 공정, 및 슬립 코팅(slip coating) 공정 중 어느 한 공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조 방법
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제 10 항에 있어서, 상기 유전체 박막을 형성하는 단계는, 유전체 박막의 두께를 조절하기 위해, 상기 조성물을 상기 플렉시블 기판상에 증착하는 증착 단계 및 상기 플렉시블 기판상에 증착된 조성물을 건조하는 건조 단계를 반복적으로 수행하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 전극은 스퍼터(Sputter) 공정을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 특징으로 커패시터 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 전자부품연구원 차세대지능형정보전자핵심기술개발사업 다기능 flexible appliance 기술 개발