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베이스 기판;상기 베이스 기판 위에 형성된 질화물계 에피층;상기 에피층 위에 형성된 소스 전극;상기 에피층 위에 형성되며 상기 소스 전극과 일정 간격을 두고 형성된 드레인 전극;을 포함하며,상기 소스 전극 및 드레인 전극은 각각,상기 에피층 위에 형성된 Au계열의 제1 오믹 접합;채널을 형성하는 쪽의 상기 제1 오믹 접합 부분을 덮도록 형성된 Al계열의 제2 오믹 접합;을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 제2 오믹 접합은,적어도 상기 채널을 형성하는 쪽에 위치하는 상기 제1 오믹 접합의 측면 부분을 덮도록 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 제2 오믹 접합은,상기 채널을 형성하는 쪽에 위치하는 상기 제1 오믹 접합의 측면과, 상기 측면에 이웃하는 상기 제1 오믹 접합의 상부면의 적어도 일부를 덮도록 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자
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제2항 또는 제3항에 있어서,상기 제1 오믹 접합은 Ti/Al/M/Au 순으로 적층되고(여기서 M은 Ni, Ti, Pt, Mo 및 Ta 중에 하나),상기 제2 오믹 접합은 Ti/Al 순으로 적층된 것을 특징으로 질화물계 반도체 소자
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제4항에 있어서,상기 제2 오믹 접합은 Al 위에 적층된 Ni, Ti, Pt, Mo 및 Ta 중에 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 소스 전극 및 드레인 전극은,제1 오믹 금속과 제2 오믹 금속을 증착한 이후에 열처리하여 상기 제1 및 제2 오믹 접합을 형성하거나, 제1 오믹 금속을 증착한 이후에 열처리하여 상기 제1 오믹 접합을 형성하고 제2 오믹 금속을 증착한 후 열처리하여 상기 제2 오믹 접합을 형성한 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 상기 에피층 위에 형성된 게이트 전극;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 질화물계 에피층은,상기 베이스 기판 위에 형성된 GaN층;상기 GaN층 위에 형성되어 상기 GaN층과 계면 부분에 2-차원 전자 가스(2DEG)층을 형성하는 AlGaN층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자
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베이스 기판을 준비하는 준비 단계;상기 베이스 기판 위에 질화물계 에피층을 형성하는 에피층 형성 단계;상기 에피층 위에 일정 간격을 두고 Au계열의 한 쌍의 제1 오믹 금속을 형성하는 제1 오믹 금속 형성 단계;상기 한 쌍의 제1 오믹 금속 중 채널을 형성하는 쪽의 제1 오믹 금속 부분을 덮도록 Al계열의 한 쌍의 제2 오믹 금속을 형성하는 제2 오믹 금속 형성 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
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베이스 기판을 준비하는 준비 단계;상기 베이스 기판 위에 질화물계 에피층을 형성하는 에피층 형성 단계;상기 에피층 위에 일정 간격을 두고 Au계열의 한 쌍의 제1 오믹 접합을 형성하는 제1 오믹 접합 형성 단계;상기 한 쌍의 제1 오믹 접합 중 채널을 형성하는 쪽의 제1 오믹 접합 부분을 덮도록 Al계열의 한 쌍의 제2 오믹 접합을 형성하여 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 제2 오믹 접합 형성 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 제1 오믹 접합 형성 단계는,상기 에피층 위에 일정 간격을 두고 Au계열의 한 쌍의 제1 오믹 금속을 형성하는 제1 오믹 금속 형성 단계와, 상기 한 쌍의 제1 오믹 금속을 열처리하는 단계를 포함하고,상기 제2 오믹 접합 형성 단계는,상기 한 쌍의 제1 오믹 금속 중 채널을 형성하는 쪽의 제1 오믹 금속 부분을 덮도록 Al계열의 한 쌍의 제2 오믹 금속을 형성하는 제2 오믹 금속 형성 단계와, 상기 한 쌍의 제2 오믹 금속을 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
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제9항 또는 11항에 있어서, 상기 제2 오믹 금속 형성 단계에서,상기 한 쌍의 제1 오믹 금속 중 채널을 형성하는 쪽은 상기 한 쌍의 제1 오믹 금속이 서로 마주보는 쪽인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
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제9항 또는 제11항에 있어서, 상기 제2 오믹 금속 형성 단계에서,상기 채널을 형성하는 쪽에 위치하는 상기 제1 오믹 금속의 측면과, 상기 측면에 이웃하는 상기 제1 오믹 금속의 상부면의 적어도 일부를 덮도록 상기 제2 오믹 금속을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 제2 오믹 금속 형성 단계 이후에 수행되는,상기 제1 및 제2 오믹 금속을 열처리하여 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
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제9항 또는 10항에 있어서, 상기 에피층 형성 단계는,상기 베이스 기판 위에 GaN층을 형성하는 단계; 상기 GaN층과 계면 부분에 2-차원 전자 가스(2DEG)층을 형성하는 AlGaN층을 상기 GaN층 위에 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
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