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박막 형성 방법 및 발광 소자

  • 기술번호 : KST2014036752
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 형성 방법 및 발광 소자에 관한 것으로, GaAs가 도핑된 ZnO 타겟을 이용한 펄스 레이저 증착에 의해 갈륨 및 아세닉이 코도핑된 ZnO 박막을 형성함으로써 p형 ZnO 박막을 형성한다. 또한, 갈륨 및 아세닉이 코도핑된 ZnO 박막을 투명 전극으로 이용함으로써 UV 광 소자의 발광 효율 및 수명을 향상시킬 수 있다. GaAs, 코도핑, p형 반도체, ZnO, PLD
Int. CL H01L 33/02 (2014.01)
CPC H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01)
출원번호/일자 1020080071017 (2008.07.22)
출원인 동의대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0970180-0000 (2010.07.07)
공개번호/일자 10-2010-0010154 (2010.02.01) 문서열기
공고번호/일자 (20100714) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.07.22)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동의대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 부산진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이원재 대한민국 부산광역시 부산진구
2 신병철 대한민국 부산 부산진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남승희 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동의대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 부산진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0524803-71
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.09.23 수리 (Accepted) 4-1-2009-5184999-34
3 등록결정서
Decision to grant		 2010.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0275959-15
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5081860-22
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.26 수리 (Accepted) 4-1-2015-0010968-18
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번호 청구항
1 1
GaAs가 도핑된 ZnO 타겟을 펄스 레이저 증착 챔버에 장착한 후 기판을 상기 챔버에 로딩하는 단계; 상기 타겟에 펄스 레이저를 조사하여 상기 기판상에 갈륨 및 아세닉이 코도핑된 ZnO 박막을 형성하는 단계를 포함하는 박막 형성 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 갈륨 및 아세닉은 0
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 타겟은 GaAs 파우더와 ZnO 파우더를 유성 밀링 시스템(planetary milling system)에서 볼을 갖는 플라스틱 콘테이너를 이용하여 혼합한 후 단축 가압 및 상온 정수합 성형하여 제작하는 박막 형성 방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 타겟을 1000 내지 1300℃의 퍼니스에서 3 내지 5시간 소결하는 박막 형성 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 챔버는 50 내지 200mTorr의 압력과 산소 분위기 및 100 내지 600℃의 기판 온도를 유지하는 박막 형성 방법
6 6
기판 상부의 소정 영역에 순차적으로 형성된 양극, 발광층 및 음극을 포함하며, 상기 양극은 갈륨 및 아세닉이 코도핑된 ZnO 박막으로 형성된 발광 소자
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 갈륨 및 아세닉이 코도핑된 ZnO 박막은 4
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.