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양극 주변에 영구자석 자장을 인가하여 성능개선을 한 공동형 플라즈마 토치

기술번호 : KST2014037101
담당센터 : 서울동부기술혁신센터
전화번호 : 02-2155-3662

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 대용량의 폐기체 처리 등 열분해 공정에 사용되는 공동형 플라즈마 토치에 관한 것으로, 토치의 양극 주변 특정 위치에 영구자석을 장착하여 인가된 축방향의 자기장과 토치 내부에 형성되어 있는 반경방향 전류성분의 결합으로부터 발생되는 원주방향 로렌쯔힘을 이용하여 아크와 열플라즈마를 강하게 회전시켜서 전극의 침식을 완화하여 수명을 연장시키고, 토치 외부의 반응기 영역에서 열플라즈마 불꽃과 처리 대상물 간의 혼합을 용이하게 함으로써, 추가적인 전력소모 없이 열분해 효율을 향상시키기 위하여 고안되었다.
Int. CL	H05H 1/40 (2006.01.01) H05H 1/34 (2006.01.01) H05H 1/34 (2006.01.01)
CPC	H05H 1/40(2013.01) H05H 1/40(2013.01) H05H 1/40(2013.01) H05H 1/40(2013.01)
출원번호/일자	1020100024946 (2010.03.19)
출원인	서울대학교산학협력단
등록번호/일자	10-1179650-0000 (2012.08.29)
공개번호/일자	10-2011-0105674 (2011.09.27) 문서열기
공고번호/일자	(20120904) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2010.03.19)
심사청구항수	3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	서울대학교산학협력단	대한민국	서울특별시 관악구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	홍상희	대한민국	서울특별시 관악구
2	최수석	대한민국	서울특별시 관악구
3	김성우	대한민국	서울특별시 관악구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	김성헌	대한민국	서울특별시 강남구 도곡로 *** 비봉빌딩 *층(장백국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	서울대학교산학협력단		서울특별시 관악구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2010.03.19	수리 (Accepted)	1-1-2010-0177348-16
2	보정요구서 Request for Amendment	2010.03.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2010-0028689-02
3	[출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment	2010.04.20	수리 (Accepted)	1-1-2010-0251709-10
4	[출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment	2010.04.23	수리 (Accepted)	1-1-2010-0262124-68
5	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2010.12.22	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
6	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2011.01.19	수리 (Accepted)	9-1-2011-0005647-17
7	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2011.06.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0352184-12
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2011.08.29	수리 (Accepted)	1-1-2011-0671223-07
9	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2011.08.29	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2011-0671225-98
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.09.27	수리 (Accepted)	4-1-2011-5195109-43
11	등록결정서 Decision to grant	2011.11.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0709262-48
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2013.01.14	수리 (Accepted)	4-1-2013-5007213-54
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.03.17	수리 (Accepted)	4-1-2015-5033829-92
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.05.13	수리 (Accepted)	4-1-2015-5062924-01
15	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.05.13	수리 (Accepted)	4-1-2019-5093546-10
16	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.05.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5101798-31
17	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.08.02	수리 (Accepted)	4-1-2019-5154561-59

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 양극 자장인가식 공동형 플라즈마 토치로서, 안정적인 아크방전을 유지하면서 토치 출구면 근처에서 양극 아크점을 회전시켜 전극 침식을 막고 반응기로 분출되는 열플라즈마 불꽃의 와류운동을 발생시킴으로서,양극 수명을 연장시키고 반응기에서 열플라즈마와 처리 대상물 간의 혼합을 증가시키기 위하여,공동형 플라즈마 토치의 양극 노즐 외주에 링 형태의 영구자석을 장착하고상기 영구 자석은 플라즈마 토치의 음극과 양극 사이에 위치하는 기체주입구로부터 토치 출구 방향으로 양극 노즐 길이의 절반((l/2 ) 이상 떨어진 곳에 위치된 것을 특징으로 하는, 양극 자장인가식 공동형 플라즈마 토치
2	2 삭제
3	3 제 1항에 있어서, 원주 방향으로 등 간격으로 소정의 각도록 경사지게 뚫린 복수개의 구멍을 구비한 기체주입링에 의해 방전기체가 와류운동을 하면서 주입 될 때,토치 출구면에서 토치 내부를 바라보았을때,상기 와류 운동의 방향이 반시계 방향이면, 상기 영구자석의 S극이 토치 출구방향을 향하도록 위치시키고
4	4 제 3항에 있어서,양극 아크점이 위치하는 양극 노즐 내벽에서, 상기 영구자석에 의한 외부 인가 자기장의 축방향 세기가 1000 가우스 미만으로 제한되도록 하는, 양극 자장인가식 공동형 플라즈마 토치

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-1179650-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20100319 출원 번호 : 1020100024946 공고 연월일 : 20120904 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20111130 청구범위의 항수 : 3 유별 : H05H 1/26 발명의 명칭 : 양극 주변에 영구자석 자장을 인가하여 성능개선을 한 공동형 플라즈마 토치 존속기간(예정)만료일 : 20190830

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	121,500 원	2012년 08월 30일	납입
제 4 년분	금 액	74,200 원	2015년 07월 30일	납입
제 5 년분	금 액	74,200 원	2016년 02월 12일	납입
제 6 년분	금 액	74,200 원	2017년 07월 24일	납입
제 7 년분	금 액	107,000 원	2018년 07월 20일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2010.03.19	수리 (Accepted)	1-1-2010-0177348-16
2	보정요구서	2010.03.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2010-0028689-02
3	[출원서등 보정]보정서	2010.04.20	수리 (Accepted)	1-1-2010-0251709-10
4	[출원서등 보정]보정서	2010.04.23	수리 (Accepted)	1-1-2010-0262124-68
5	선행기술조사의뢰서	2010.12.22	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
6	선행기술조사보고서	2011.01.19	수리 (Accepted)	9-1-2011-0005647-17
7	의견제출통지서	2011.06.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0352184-12
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2011.08.29	수리 (Accepted)	1-1-2011-0671223-07
9	[명세서등 보정]보정서	2011.08.29	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2011-0671225-98
10	출원인정보변경(경정)신고서	2011.09.27	수리 (Accepted)	4-1-2011-5195109-43
11	등록결정서	2011.11.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0709262-48
12	출원인정보변경(경정)신고서	2013.01.14	수리 (Accepted)	4-1-2013-5007213-54
13	출원인정보변경(경정)신고서	2015.03.17	수리 (Accepted)	4-1-2015-5033829-92
14	출원인정보변경(경정)신고서	2015.05.13	수리 (Accepted)	4-1-2015-5062924-01
15	출원인정보변경(경정)신고서	2019.05.13	수리 (Accepted)	4-1-2019-5093546-10
16	출원인정보변경(경정)신고서	2019.05.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5101798-31
17	출원인정보변경(경정)신고서	2019.08.02	수리 (Accepted)	4-1-2019-5154561-59


기술번호	KST2014037101
자료제공기관	NTB
기술공급기관	서울대학교
기술명	양극 주변에 영구자석 자장을 인가하여 성능개선을 한 공동형 플라즈마 토치
기술개요	본 발명은 대용량의 폐기체 처리 등 열분해 공정에 사용되는 공동형 플라즈마 토치에 관한 것으로, 토치의 양극 주변 특정 위치에 영구자석을 장착하여 인가된 축방향의 자기장과 토치 내부에 형성되어 있는 반경방향 전류성분의 결합으로부터 발생되는 원주방향 로렌쯔힘을 이용하여 아크와 열플라즈마를 강하게 회전시켜서 전극의 침식을 완화하여 수명을 연장시키고, 토치 외부의 반응기 영역에서 열플라즈마 불꽃과 처리 대상물 간의 혼합을 용이하게 함으로써, 추가적인 전력소모 없이 열분해 효율을 향상시키기 위하여 고안되었다.
개발상태	기술개발진행중
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형	라이센스
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1345121456
세부과제번호	2008-0062247
연구과제명	플라즈마 대면부품 재료 기초 연구
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	서울대학교 산학협력단
성과제출연도	2010
연구기간	200809~201502
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	ET(환경기술)

특허성과

[1020100024947]	플라즈마 토치 기반의 고열부하 시험 장치 및 운전법	새창보기
[1020100024946]	양극 주변에 영구자석 자장을 인가하여 성능개선을 한 공동형 플라즈마 토치	새창보기

중요키워드

이전대상기술 뷰 페이지 관련기술 표
[KST2015135117][서울대학교]	플라즈마 발생 시스템	새창보기
[KST2015160503][서울대학교]	양의 바이어스 전극에 의한 인출구 주변 국부 방전을 이용한 고휘도 플라즈마 이온빔 발생장치	새창보기

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