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투과 전자 현미경에 장착되어 관찰 대상인 시료를 지지하는 그리드 구조체에 있어서,격자 형태로 직조된 그리드 메쉬;상기 그리드 메쉬 상에 위치하며 상기 시료를 지지하는 그래핀막; 및상기 그리드 메쉬와 상기 그래핀막의 가장자리를 고정하는 고정 홀더를 포함하고,상기 그래핀막은 단층 그래핀과 이층 그래핀 및 다층 그래핀 중 적어도 하나를 포함하는 투과 전자 현미경 관찰용 그리드 구조체
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제1항에 있어서,상기 그래핀막에 상기 단층 그래핀과 상기 이층 그래핀 및 상기 다층 그래핀 중 적어도 2개가 부분적으로 존재하는 투과 전자 현미경 관찰용 그리드 구조체
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실리콘 산화막이 형성된 실리콘 웨이퍼 상에 금속 촉매를 형성하는 단계;열화학기상증착 공정을 이용하여 상기 금속 촉매 상에 그래핀을 합성하여 그래핀막을 형성하는 단계;상기 금속 촉매로부터 상기 그래핀막을 분리시키는 단계; 및상기 그래핀막을 그리드 메쉬 위로 전사하는 단계를 포함하는 투과 전자 현미경 관찰용 그리드 구조체의 제조 방법
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제4항에 있어서,상기 금속 촉매는 전자빔 증착법으로 형성된 니켈(Ni) 촉매와, 호일 형태의 구리(Cu) 촉매 중 어느 하나를 포함하는 투과 전자 현미경 관찰용 그리드 구조체의 제조 방법
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제4항에 있어서,상기 그래핀막 형성 단계에서,상기 금속 촉매가 형성된 상기 실리콘 웨이퍼를 퀄츠 튜브에 장입하고,상기 퀄츠 튜브의 내부를 진공 상태로 만든 후 아르곤(Ar)과 수소(H2)의 혼합 가스를 흘려주며 대기압 상태로 만들고,상기 퀄츠 튜브의 내부를 합성 온도까지 가열한 후 원료 가스를 투입하여 상기 그래핀을 합성하는 투과 전자 현미경 관찰용 그리드 구조체의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 합성 온도까지 가열하고 상기 원료 가스를 투입하기 전, 상기 금속 촉매를 열처리하는 단계를 더 포함하는 투과 전자 현미경 관찰용 그리드 구조체의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 금속 촉매의 열처리는 900℃ 내지 1,100℃의 온도에서 5분 내지 60분 수행되는 투과 전자 현미경 관찰용 그리드 구조체의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 그래핀은 900℃ 내지 1,100℃의 합성 온도에서 1분 내지 30분 합성되는 투과 전자 현미경 관찰용 그리드 구조체의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 그래핀 합성시 원료 가스는 메탄(CH4)이며, 상기 메탄(CH4) 가스와 수소(H2) 가스를 1sccm 내지 30sccm: 1,500sccm의 유량 비로 투입하는 투과 전자 현미경 관찰용 그리드 구조체의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 그래핀 합성 후 상기 실리콘 웨이퍼와 상기 금속 촉매 및 상기 그래핀막을 냉각하는 단계를 더 포함하는 투과 전자 현미경 관찰용 그리드 구조체의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 냉각 단계에서 상기 퀄츠 튜브 내부로 아르곤(Ar) 가스를 주입하며, 냉각 속도는 2℃/min 내지 8℃/min인 투과 전자 현미경 관찰용 그리드 구조체의 제조 방법
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제4항에 있어서,상기 그래핀막 분리 단계에서,상기 실리콘 산화막을 식각하여 상기 그래핀막과 상기 금속 촉매로부터 상기 실리콘 웨이퍼를 분리시키고,상기 금속 촉매의 식각액을 이용하여 상기 금속 촉매를 제거함으로써 상기 그래핀막을 남기는 투과 전자 현미경 관찰용 그리드 구조체의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 그래핀막을 전사하는 단계에서,상기 금속 촉매의 식각액에 떠 있는 상기 그래핀막을 수거하여 상기 그리드 메쉬 위로 전사하는 투과 전자 현미경 관찰용 그리드 구조체의 제조 방법
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