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반도체 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014037656
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 자기정렬된 다단구조의 게이트, 상기 게이트와 일부가 겹치는 패러데이 실드, 선택적 에피성장을 통해 다층구조로 형성되어 소스측과 드레인측에 적층되는 접합박막 및 저농도의 p-well과 고농도의 p-well을 구비하는 이중확산된 p-well을 포함하여 이루어지는 것으로서, 이러한 구조를 통하여 성능이 우수한 반도체 소자를 손쉬운 방법으로 제조할 수 있다.반도체, T형 게이트, 이중확산된 p-well, 패러데이 실드
Int. CL H01L 21/8238 (2006.01.01)
CPC H01L 21/823807(2013.01)
출원번호/일자 1020090095629 (2009.10.08)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1148279-0000 (2012.05.10)
공개번호/일자 10-2011-0038368 (2011.04.14) 문서열기
공고번호/일자 (20120521) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.10.08)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 심규환 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 조덕호 대한민국 서울특별시 강동구
3 최철종 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인리온 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ***, *층(반포동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0616920-29
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2010-5245806-20
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.04.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.05.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0041986-13
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0274621-55
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0573252-44
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.07.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0573233-87
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0058047-81
9 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2012.03.02 수리 (Accepted) 7-1-2012-0010371-05
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2012.04.02 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0263239-57
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2012-0263226-64
12 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2012.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0272328-23
13 등록결정서
Decision to Grant Registration
2012.05.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0266646-98
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판: 상기 기판 상부에 형성되는 에피층;상기 에피층내에 형성되는 제1 p-well 및 상기 제1 p-well 보다 높은 농도를 갖는 제2 p-well을 구비하는 이중확산된 p-well;상기 에피층의 상부에 선택적 에피성장을 통해 다층구조로 형성되어 소스측과 드레인측에 각각 적층되는 접합박막;상기 접합박막 상부 측에 형성되는 소스 및 드레인측 전극;상기 기판 상부에 형성되는 자기정렬된 다단구조의 게이트 전극; 및상기 게이트를 감싸는 형태로 형성되는 패러데이 실드를 포함하며,상기 접합박막은, 결정질의 하층박막, 다결정의 중간층박막 및 다결정의 상층박막을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
2 2
제 1항에 있어서, 상기 게이트 전극은,하층 폴리박막, 상층 폴리박막, 금속 실리사이드 박막 및 금속이 증착된 T형의 다단구조로 자기정렬되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
3 3
제 1항에 있어서,상기 패러데이 실드는,상기 게이트 전극과 상기 드레인 전극 사이에서의 피드백 신호에 의한 발진을 방지하며, 기생 커패시턴스도 작게 하기 위해, 상기 게이트 전극와 패러데이터 실드가 부분적으로 겹쳐지도록 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
4 4
제 1항에 있어서,상기 이중확산된 p-well은,측면확산되어 형성된 상기 제1 p-well 내에, 상기 제2 p-well이 측면확산되어 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
5 5
삭제
6 6
기판에 에피층을 형성하는 단계;상기 기판의 상부에 자기정렬된 다단구조의 게이트를 형성하는 단계;상기 기판의 에피층 내에 이중 확산을 통해 제1 p-well 및 상기 제1 p-well 보다 높은 농도를 갖는 제2 p-well을 구비하는 이중확산된 p-well을 형성하는 단계;상기 기판의 상부에 선택적 에피성장을 통해 다층구조로 형성되어 소스측과 드레인측에 적층되는 접합박막을 형성하는 단계; 및상기 게이트를 감싸도록 패러데이 실드를 형성하는 단계를 포함하며,상기 접합박막을 형성하는 단계는, 결정질의 하층박막, 다결정의 중간층박막 및 다결정의 상층박막을 순차적으로 적층하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
7 7
제6항에 있어서,상기 게이트를 형성하는 단계는,하층 폴리박막, 상층 폴리박막, 금속 실리사이드 게이트 및 금속을 T형의 다단구조로 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
8 8
제6항에 있어서,상기 패러데이 실드를 형성하는 단계는,상기 게이트와 드레인 사이에서의 피드백 신호에 의한 발진을 방지하며, 기생 커패시턴스도 작게 하기 위해, 상기 게이트와 패러데이터 실드가 부분적으로 겹쳐지도록 상기 패러데이 실드를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
9 9
제6항에 있어서,상기 이중확산된 p-well을 형성하는 단계는,이온 주입, 열처리 및 측면확산을 통하여 상기 제1 p-well을 형성하는 단계; 및상기 제1 p-well 내에, 상기 제1 p-well에 주입된 이온보다 높은 농도의 이온 주입, 열처리 및 측면확산을 통하여, 상기 제1 p-well 내에 상기 제2 p-well을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
10 10
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학부, 학술진흥재단 전북대학교 차세대 반도체의 환경의료 응용기반 연구 차세대에너지소재소자