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질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014037672
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 반도체층의 최하층부에 내부가 비어있는 돔이 일정한 곡률반경을 가지고 형성되어, 기판 표면에서의 광산란이 증가하여 광추출 효율이 향상된다.
Int. CL H01L 33/20 (2014.01)
CPC H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01)
출원번호/일자 1020100056166 (2010.06.14)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1136064-0000 (2012.04.05)
공개번호/일자 10-2011-0136284 (2011.12.21) 문서열기
공고번호/일자 (20120418) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.06.14)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형구 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 홍창희 대한민국 서울특별시 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 동원 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, ****호 (서초동, 현대전원오피스텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2010-0381225-84
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2010-5245806-20
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.07.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0389135-30
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.08.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0661786-00
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0661784-19
6 등록결정서
Decision to grant
2012.03.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0133182-29
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
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번호 청구항
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기판을 준비하는 단계;기판 상에 산화물층을 형성하는 단계;상기 산화물층 상에 PR 마스크를 형성하는 단계;상기 PR 마스크를 베이킹하는 단계;상기 산화물을 식각하여 산화물 패턴을 형성하는 단계; 상기 산화물 패턴 상에 반도체층을 성장시키는 단계;상기 산화물 패턴을 식각하는 단계;를 포함하며,상기 베이킹된 PR 마스크가 단면이 돔형인 다수의 직선으로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
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제16항에 있어서,상기 다수의 돔 단면의 직경이 두 가지 이상인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
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