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ZrO2, ZrSiO4, KZr2(PO4)3, 또는 이들의 혼합물을 함유하는 지르코늄 원광 및 금속 분말인 환원제를 포함하는 원료를 자전연소합성(SHS : Self-Propagating High Temperature Synthesis)하여 ZrxSiy(x=1~5인 실수, y=1~4인 실수)를 제조한 후, 상기 ZrxSiy을 전해정련하여 고순도 Zr을 회수하는 것을 특징으로 하는 고순도 지르코늄 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 원광은 ZrSiO4를 함유하는 원광이며, 상기 원료는 지르코늄 산화물을 더 함유하는 것을 특징으로 하는 고순도 지르코늄 제조방법
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ZrO2, ZrSiO4, KZr2(PO4)3, 또는 이들의 혼합물을 함유하는 지르코늄 원광 및 금속 분말인 환원제를 포함하는 원료를 질소의 존재하에 자전연소합성(SHS : Self-Propagating High Temperature Synthesis)하여 HfN 및 ZrN 혼합물을 제조한 후, 상기 HfN 및 ZrN 혼합물을 전해정련하여 고순도 Zr을 회수하는 것을 특징으로 하는 고순도 지르코늄 제조방법
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제 3항에 있어서,상기 자전연소합성시 Si3N4가 휘발 제거되는 것을 특징으로 하는 고순도 지르코늄 제조방법
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제 1항 내지 제 4항에서 선택된 어느 한 항에 있어서,상기 환원제는 Al, Mg, 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 고순도 지르코늄 제조방법
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제 1항 내지 제 4항에서 선택된 어느 한 항에 있어서,상기 자전연소합성시 분위기 기체의 압력은 2 내지 250 atm인 것을 특징으로 하는 고순도 지르코늄 제조방법
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제 1항 내지 제 4항에서 선택된 어느 한 항에 있어서,상기 자전연소합성시 액상이 형성되는 것을 특징으로 하는 고순도 지르코늄 제조방법
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제 1항 내지 제 4항에서 선택된 어느 한 항에 있어서,상기 자전연소합성 후, 산 침출을 이용하여 상기 환원제가 산화되어 생성된 금속 산화물을 제거하는 단계가 더 수행되는 것을 특징으로 하는 고순도 지르코늄 제조방법
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제 1항 내지 제 4항에서 선택된 어느 한 항에 있어서,상기 전해정련은 LiCl-KCl 공융염에 3 내지 10 중량%로 할로겐화지르코늄이 첨가된 용융염을 이용하여 수행되는 용융염 전해정련인 것을 특징으로 하는 고순도 지르코늄 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 전해정련시, 셀전위는 0
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제 9항에 있어서,상기 전해정련시, 용융염내 Hf4+/Zr4+ 또는 Hf3+/Zr3+의 몰비는 0
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제 1항 내지 제 4항에서 선택된 어느 한 항에 있어서,상기 전해정련에 의해 회수되는 고순도 지르코늄은 Hf농도가 100 중량 ppm 이하인 것을 특징으로 하는 고순도 지르코늄 제조방법
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제 9항에 있어서,상기 용융염은 초크랄스키법에 의해 정제되어 재활용되는 것을 특징으로 하는 고순도 지르코늄 제조방법
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