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가스 센서

  • 기술번호 : KST2014037893
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 일 실시예에 따른 가스 센서는 기판 상에 형성된 전도성 박막 패턴, 상기 전도성 박막 패턴을 둘러싸는 가스 감지막 및 상기 가스 감지막에 전원을 인가하는 전극 쌍을 포함한다. 상기 전도성 박막 패턴은 소정의 감지 대상 가스에 대한 상기 가스 감지막의 감지 반응을 촉진하는 촉매 작용을 한다.
Int. CL G01N 27/12 (2006.01.01) G01N 27/407 (2006.01.01) G01N 27/30 (2006.01.01)
CPC G01N 27/125(2013.01) G01N 27/125(2013.01) G01N 27/125(2013.01) G01N 27/125(2013.01) G01N 27/125(2013.01)
출원번호/일자 1020090040083 (2009.05.08)
출원인 군산대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1044306-0000 (2011.06.20)
공개번호/일자 10-2010-0121098 (2010.11.17) 문서열기
공고번호/일자 (20110701) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.05.08)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 군산대학교산학협력단 대한민국 전라북도 군산시 대학로 *** (

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 선호정 대한민국 경기도 구리시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남정길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)(특허법인(유한)아이시스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 이승철 대전광역시 동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0276447-58
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.08.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.09.10 수리 (Accepted) 9-1-2010-0055040-85
4 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0836940-50
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0061082-16
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2011-0151460-58
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0151459-12
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2011.05.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0239967-71
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0331688-27
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.04 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0331689-73
11 등록결정서
Decision to grant		 2011.05.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0257513-89
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2012-5023436-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.10.28 수리 (Accepted) 4-1-2015-5142778-85
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038912-94
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153535-17
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
가스 센서에 있어서, 기판 상에 형성된 전도성 박막 패턴; 상기 전도성 박막 패턴을 둘러싸는 가스 감지막; 및 상기 가스 감지막에 전원을 인가하는 전극 쌍을 포함하되, 상기 전도성 박막 패턴은 감지 대상 가스에 대한 상기 가스 감지막의 감지 반응을 촉진하는 촉매 작용을 하고, 상기 전도성 박막 패턴은 루테늄산화물(RuO2), 이리듐산화물(IrO2), 란타늄니켈산화물(LaNiO3), 란타늄스트론튬망간산화물(La(SrMn)O3), 스트론튬루테늄산화물(SrRuO3) 또는 이들의 합금을 포함하는 가스 센서
2 2
가스 센서에 있어서, 기판 상에 형성된 전도성 박막 패턴; 상기 전도성 박막 패턴을 둘러싸는 가스 감지막; 및 상기 가스 감지막에 전원을 인가하는 전극 쌍을 포함하되, 상기 전도성 박막 패턴은 상기 전극 쌍 사이의 상기 가스 감지막 내부에 적어도 하나 이상 배치되며, 상기 전도성 박막 패턴의 상부에 위치하는 상기 가스 감지막의 두께는 상기 전도성 박막 패턴이 존재하지 않는 기판 상에 위치하는 상기 가스 감지막의 두께보다 얇고, 상기 전도성 박막 패턴은 상기 가스 감지막 내의 전하를 띤 캐리어에 대하여, 상기 전극 쌍 사이의 빠른 전도길(conduction path)을 제공하는, 가스 센서
3 3
제2 항에 있어서, 상기 전도성 박막 패턴은 이리듐(Ir), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 루테늄산화물(RuO2), 이리듐산화물(IrO2), 란타늄니켈산화물(LaNiO3), 란타늄스트론튬망간산화물(La(SrMn)O3) 및 스트론튬루테늄산화물(SrRuO3) 으로 이루어지는 그룹에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 가스 센서
4 4
제1 항 또는 제2 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가스 감지막은 주석산화물, 아연산화물, 티타늄산화물 및 철산화물로 이루어진 반도체금속산화물 그룹에서 선택된 어느 하나인 가스 센서
5 5
제1 항에 있어서, 상기 전도성 박막 패턴은 상기 전극 쌍 사이에 적어도 하나 이상 배치되며, 상기 전극 쌍 사이에서 전하를 띤 캐리어의 빠른 전도길(conduction path)을 제공하는 가스 센서
6 6
가스 센서를 제조하는 방법에 있어서, 기판 상에 전도성 박막 패턴을 형성하는 단계; 상기 전도성 박막 패턴을 둘러싸는 가스 감지막을 형성하는 단계; 및 상기 가스 감지막에 전원을 인가하는 전극 쌍을 상기 기판 상에 형성하는 단계를 포함하되, 상기 전도성 박막 패턴은 상기 가스 감지막과 소정의 감지 대상 가스 사이의 반응을 촉진하는 촉매 역할을 하며, 상기 전도성 박막 패턴을 형성하는 단계는 루테늄산화물(RuO2), 이리듐산화물(IrO2), 란타늄니켈산화물(LaNiO3), 란타늄스트론튬망간산화물(La(SrMn)O3) 및 스트론튬루테늄산화물(SrRuO3)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 박막을 증착하는 단계; 및 상기 박막을 패터닝하는 단계를 포함하는 가스 센서를 제조하는 방법
7 7
제6 항에 있어서, 상기 전도성 박막 패턴은 상기 전극 쌍 사이에 적어도 하나 이상 형성되며, 상기 전극 쌍 사이에서 전하를 띤 캐리어의 빠른 전도길(conduction path)을 제공하는 가스 센서를 제조하는 방법
8 8
가스 센서를 제조하는 방법에 있어서, 기판 상에 전도성 박막 패턴을 형성하는 단계; 상기 전도성 박막 패턴을 둘러싸는 가스 감지막을 형성하는 단계; 및 상기 가스 감지막에 전원을 인가하는 전극 쌍을 상기 기판 상에 형성하는 단계를 포함하되, 상기 전도성 박막 패턴은 상기 전극 쌍 사이의 상기 가스 감지막 내부에 적어도 하나 이상 형성되며, 상기 전도성 박막 패턴의 상부에 위치하는 상기 가스 감지막의 두께는 상기 전도성 박막 패턴이 존재하지 않는 기판 상에 위치하는 상기 가스 감지막의 두께보다 얇도록 형성되며, 상기 전도성 박막 패턴은 상기 가스 감지막 내의 전하를 띤 캐리어에 대하여, 상기 전극 쌍 사이의 빠른 전도길(conduction path)을 제공하는, 가스 센서의 제조 방법
9 9
제8 항에 있어서, 상기 전도성 박막 패턴은 이리듐(Ir), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 루테늄산화물(RuO2), 이리듐산화물(IrO2), 란타늄니켈산화물(LaNiO3), 란타늄스트론튬망간산화물(La(SrMn)O3) 및 스트론튬루테늄산화물(SrRuO3) 으로 이루어지는 그룹에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 가스 센서의 제조 방법
10 10
제6 항 또는 제8항에 있어서, 상기 전도성 박막 패턴을 둘러싸는 가스 감지막을 형성하는 단계는 주석산화물, 아연산화물, 티타늄산화물 및 철산화물로 이루어진 반도체금속산화물 그룹에서 선택된 적어도 하나의 박막을 상기 전도성 박막 패턴 상에 형성하는 단계를 포함하는 가스 센서의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국과학기술연구원 소재원천기술개발사업 In-Situ 공정에 의한 나노구조체 지능형 소개기술