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에피택셜 성장 방법

기술번호 : KST2014038090
담당센터 : 부산기술혁신센터
전화번호 : 051-606-6561

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 격자상수가 서로 다른 단결정 기판 상에 에피택셜층을 성장시킴에 있어 에피택셜층 내에 생성된 결함을 최소화하여 안정적인 광학적 특성 및 전기적 특성을 담보할 수 있는 에피택셜 성장 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 에피택셜 성장 방법은 단결정 기판을 준비하는 (a) 단계와, 상기 단결정 기판과 상이한 격자상수를 갖는 제 1 에피택셜층을 상기 단결정 기판 상에 성장시키는 (b) 단계와, 상기 제 1 에피택셜층 상에 양자점을 형성하는 (c) 단계와, 상기 양자점이 표면 에너지의 차이에 의해 상기 제 1 에피택셜층의 스텝으로 이동하는 (d) 단계 및 상기 제 1 에피택셜층 상에 제 2 에피택셜층을 성장시키는 (e) 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Int. CL	C30B 25/16 (2006.01.01) C30B 29/42 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC	C30B 25/16(2013.01)C30B 25/16(2013.01)C30B 25/16(2013.01)
출원번호/일자	1020070049040 (2007.05.21)
출원인	한양대학교 산학협력단
등록번호/일자	10-0833897-0000 (2008.05.26)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20080602) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2007.05.21)
심사청구항수	10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한양대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 성동구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	오재응	대한민국	경기도 용인시 수지구
2	김문덕	대한민국	경기 성남시 분당구
3	노영균	대한민국	대전 서구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	김영철	대한민국	서울특별시 종로구 종로길 , *층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	주식회사 아이브이웍스		대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2007.05.21	수리 (Accepted)	1-1-2007-0369649-53
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2007.10.05	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2007.11.09	수리 (Accepted)	9-1-2007-0068493-54
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2008.01.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0022601-61
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2008.01.25	수리 (Accepted)	1-1-2008-0063489-91
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2008.01.25	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2008-0063488-45
7	[출원인변경]권리관계변경신고서 [Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status	2008.02.27	수리 (Accepted)	1-1-2008-0144117-55
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.03.11	수리 (Accepted)	4-1-2008-5037763-28
9	등록결정서 Decision to grant	2008.05.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0271669-27
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.06.05	수리 (Accepted)	4-1-2014-5068294-39
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.16	수리 (Accepted)	4-1-2015-5022074-70
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.08.05	수리 (Accepted)	4-1-2019-5155816-75
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.08.06	수리 (Accepted)	4-1-2019-5156285-09

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 단결정 기판을 준비하는 (a) 단계;상기 단결정 기판과 상이한 격자상수를 갖는 제 1 에피택셜층을 상기 단결정 기판 상에 성장시키는 (b) 단계;상기 제 1 에피택셜층 상에 양자점을 형성하는 (c) 단계;상기 양자점이 표면 에너지의 차이에 의해 상기 제 1 에피택셜층의 스텝으로 이동하는 (d) 단계; 및상기 제 1 에피택셜층 상에 제 2 에피택셜층을 성장시키는 (e) 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 에피택셜 성장 방법
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 에피택셜층의 격자상수는 상기 제 1 에피택셜층의 격자상수에 상응한 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 에피택셜 성장 방법
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 양자점의 격자상수는 상기 제 1 에피택셜층의 격자상수보다 큰 것을 특징으로 하는 에피택셜 성장 방법
4	4 제 1 항에 있어서, 상기 (c) 단계는, 원자층 적층법(Atomic Layer Epitaxy), S-K(Stranski-Krastanov) 성장법 중 어느 하나를 이용하여 상기 양자점을 형성하는 것을 특징으로 하는 에피택셜 성장 방법
5	5 제 1 항에 있어서, 상기 양자점은 5nm∼10㎛의 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 에피택셜 성장 방법
6	6 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 에피택셜층 및 제 2 에피택셜층은 분자선 결정성장법(MBE, Molecular Beam Epitaxy), 금속-유기 화학기상증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 중 어느 하나를 이용하여 성장시키는 것을 특징으로 하는 에피택셜 성장 방법
7	7 제 1 항에 있어서, 상기 (b) 단계 내지 (e) 단계를 복수 번 반복하는 것을 특징으로 하는 에피택셜 성장 방법
8	8 제 1 항에 있어서, 상기 단결정 기판은 InAs 단결정 기판, GaAs 단결정 기판, GaN 단결정 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 에피택셜 성장 방법
9	9 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 에피택셜층은 실리콘(Si) 또는 사파이어(Al2O3)로 구성되는 것을 특징으로 하는 에피택셜 성장 방법
10	10 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 에피택셜층은 실리콘(Si) 또는 사파이어(Al2O3)로 구성되는 것을 특징으로 하는 에피택셜 성장 방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-0833897-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20070521 출원 번호 : 1020070049040 공고 연월일 : 20080602 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20080521 청구범위의 항수 : 10 유별 : C30B 25/02 발명의 명칭 : 에피택셜 성장 방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한양대학교 산학협력단 서울 성동구...
2	(의무자) 한양대학교 산학협력단 서울 성동구...
2	(권리자) 오재응 경기도 용인시 수지구...
3	(권리자) 주식회사 아이브이웍스 대전광역시 유성구...
3	(의무자) 오재응 경기도 용인시 수지구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	258,000 원	2008년 05월 27일	납입
제 4 년분	금 액	260,000 원	2011년 04월 11일	납입
제 5 년분	금 액	260,000 원	2012년 05월 24일	납입
제 6 년분	금 액	260,000 원	2013년 05월 10일	납입
제 7 년분	금 액	480,000 원	2014년 05월 23일	납입
제 8 년분	금 액	566,400 원	2015년 11월 25일	납입
제 9 년분	금 액	523,200 원	2016년 08월 25일	납입
제 10 년분	금 액	790,000 원	2017년 05월 26일	납입
제 11 년분	금 액	884,800 원	2018년 09월 04일	납입
제 12 년분	금 액	790,000 원	2019년 04월 04일	납입
제 13 년분	금 액	910,000 원	2020년 05월 11일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2007.05.21	수리 (Accepted)	1-1-2007-0369649-53
2	선행기술조사의뢰서	2007.10.05	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2007.11.09	수리 (Accepted)	9-1-2007-0068493-54
4	의견제출통지서	2008.01.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0022601-61
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2008.01.25	수리 (Accepted)	1-1-2008-0063489-91
6	[명세서등 보정]보정서	2008.01.25	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2008-0063488-45
7	[출원인변경]권리관계변경신고서	2008.02.27	수리 (Accepted)	1-1-2008-0144117-55
8	출원인정보변경(경정)신고서	2008.03.11	수리 (Accepted)	4-1-2008-5037763-28
9	등록결정서	2008.05.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0271669-27
10	출원인정보변경(경정)신고서	2014.06.05	수리 (Accepted)	4-1-2014-5068294-39
11	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.16	수리 (Accepted)	4-1-2015-5022074-70
12	출원인정보변경(경정)신고서	2019.08.05	수리 (Accepted)	4-1-2019-5155816-75
13	출원인정보변경(경정)신고서	2019.08.06	수리 (Accepted)	4-1-2019-5156285-09


기술번호	KST2014038090
자료제공기관	NTB
기술공급기관	울산테크노파크
기술명	에피택셜 성장 방법
기술개요	본 발명은 격자상수가 서로 다른 단결정 기판 상에 에피택셜층을 성장시킴에 있어 에피택셜층 내에 생성된 결함을 최소화하여 안정적인 광학적 특성 및 전기적 특성을 담보할 수 있는 에피택셜 성장 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 에피택셜 성장 방법은 단결정 기판을 준비하는 (a) 단계와, 상기 단결정 기판과 상이한 격자상수를 갖는 제 1 에피택셜층을 상기 단결정 기판 상에 성장시키는 (b) 단계와, 상기 제 1 에피택셜층 상에 양자점을 형성하는 (c) 단계와, 상기 양자점이 표면 에너지의 차이에 의해 상기 제 1 에피택셜층의 스텝으로 이동하는 (d) 단계 및 상기 제 1 에피택셜층 상에 제 2 에피택셜층을 성장시키는 (e) 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
개발상태	특허만신청(등록)
기술의 우수성
응용분야	에피택셜 성장 방법 및 이를 이용한 에피택셜층 적층 구조
시장규모 및 동향
희망거래유형	기술매매,라이센스,기술협력,기술지도,M&A,
사업화적용실적
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