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탄도전자 방출소자를 이용한 리소그래피 장치

  • 기술번호 : KST2014038472
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전자의 면 방출이 가능한 탄도전자 방출소자를 이용한 리소그래피 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 탄도전자 방출소자를 이용한 리소그래피 장치는 내부가 진공상태로 이루어지며, 전자가 투과가 가능하도록 어느 일 면에 투과창이 구비되는 본체와 상기 본체의 내부에 장착되고, 면 영역으로 전자의 방출이 가능하며, 터널링 효과로 방출되는 전자의 직진성이 확보되도록 구성되는 탄도전자 방출소자와 상기 탄도전자 방출소자로부터 전자의 방출을 위해 탄도전자 방출소자에 전위차를 형성시키도록, 직류의 전류를 공급하는 전원, 전원을 개폐시키는 스위치 및 탄도전자 방출소자의 상부전극과 본체를 접지시켜 방출되지 않은 일부 전자가 탄도전자 방출소자와 본체에 충전되는 것을 방지하는 접지부를 포함하는 전원공급부와 상기 탄도전자 방출소자, 상기 투과창 또는 상기 투과창과 전자가 조사되는 레지스트 사이에, 전자가 투과되지 못하는 물질로 이루어지는 박막 또는 박판 형태로 제공되되, 상기 레지스트에 형성시키고자 하는 패턴으로 형성되는 마스크를 포함하여, 상기 탄도전자 방출소자에서 방출되는 전자를 상기 레지스트에 조사시켜 반응을 일으켜 요구되는 패턴이 형성되도록 구성될 수 있다. 상기와 같은 구성에 의해 본 발명은 리소그래피 공정을 위한 전자조사가 대면적으로 이루어질 수 있고, 낮은 전력으로도 전자의 방출이 이루어질 수 있으며, 패터닝을 위한 전자의 이동경로를 보정 또는 패터닝을 위한 스캐닝 과정이 요구되지 않아 장치의 구조를 단순화 할 수 있으며, 리소그래피 공정에 요구되는 시간을 단축시킬 수 있다. 리소그래피, 탄도전자, 반도체, 마스크, 레지스트, 터널링
Int. CL H01J 1/304 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01J 37/3174(2013.01) H01J 37/3174(2013.01) H01J 37/3174(2013.01)
출원번호/일자 1020090047424 (2009.05.29)
출원인 한국원자력연구원
등록번호/일자 10-1042250-0000 (2011.06.10)
공개번호/일자 10-2010-0128802 (2010.12.08) 문서열기
공고번호/일자 (20110617) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.05.29)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한영환 대한민국 대전광역시 대덕구
2 이병철 대한민국 서울특별시 강남구
3 최용운 대한민국 부산광역시 연제구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2009-0325431-67
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.12.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.01.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0005024-83
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0098842-54
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.04.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0298384-33
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0298383-98
7 등록결정서
Decision to grant
2011.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0296234-04
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2012-5134067-95
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
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번호 청구항
1 1
내부가 진공상태로 이루어지며, 전자가 투과가 가능하도록 어느 일 면에 투과창이 구비되는 본체와; 상기 본체의 내부에 장착되고, 면 영역으로 전자의 방출이 가능하며, 터널링 효과로 방출되는 전자의 직진성이 확보되도록 구성되는 탄도전자 방출소자와; 상기 탄도전자 방출소자로부터 전자의 방출을 위해 탄도전자 방출소자에 전위차를 형성시키도록, 직류의 전류를 공급하는 전원, 전원을 개폐시키는 스위치 및 탄도전자 방출소자의 상부전극과 본체를 접지시켜 방출되지 않은 일부 전자가 탄도전자 방출소자와 본체에 충전되는 것을 방지하는 접지부를 포함하는 전원공급부와; 상기 탄도전자 방출소자, 상기 투과창 또는 상기 투과창과 전자가 조사되는 레지스트 사이에, 전자가 투과되지 못하는 물질로 이루어지는 박막 또는 박판 형태로 제공되되, 상기 레지스트에 형성시키고자 하는 패턴으로 형성되는 마스크;를 포함하여, 상기 탄도전자 방출소자에서 방출되는 전자를 상기 레지스트에 조사시켜 반응을 일으켜 요구되는 패턴이 형성되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 탄도전자 방출소자를 이용한 리소그래피 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 탄도전자 방출소자는 실리콘 소재의 기판과; 상기 기판의 일 면에 배치되는 금속으로 이루어지는 하부전극과; 상기 하부전극과 마주하는 상기 기판의 다른 일 면에 배치되며, 전위차에 의해 여기된 전자를 가속 시키는 터널링부와; 상기 기판과 마주하는 상기 터널링부의 다른 일 면에 배치되는 상부전극;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 탄도전자 방출소자를 이용한 리소그래피 장치
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제 2 항에 있어서, 상기 터널링부는 산화된 다공질의 폴리실리콘으로 이루어져 복수의 미세 실리콘 결정이 산화막에 둘러싸이는 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄도전자 방출소자를 이용한 리소그래피 장치
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5 5
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6 6
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제 1 항에 있어서, 상기 탄도전자 방출소자와 투과장 사이에는 전자의 선량을 조절하기 위한 선량 조절전극이 더 구비되고, 상기 전원공급부에는 선량 조절전극으로 직류의 전류를 공급하는 별도의 전원이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 탄도전자 방출소자를 이용한 리소그래피 장치
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제 8 항에 있어서, 상기 선량 조절전극은 격자전극으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄도전자 방출소자를 이용한 리소그래피 장치
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제 8 항에 있어서, 상기 선량 조절전극으로 직류의 전류를 공급하는 전원에는 가변 스위치가 더 구비되어 방출전자의 선량 조절을 위해 공급되는 전류의 세기가 조절 가능하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 탄도전자 방출소자를 이용한 리소그래피 장치
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12 12
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