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고분자 100 중량부에 대하여 금속 나노입자의 전구체 0
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청구항 1 에 있어서, 상기 단계 1 에서, 고분자는 알콜, 에테르, 에스테르, 카르복실산, 니트릴, 아민 또는 아미드 관능 그룹을 갖고 있는 합성 고분자인 폴리비닐알콜, 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐락탐, 폴리비닐아민, 폴리아크릴산, 폴리메타크릴산, 폴리아크릴로니트릴, 폴리에틸렌 글라이콜, 폴리(에틸렌 옥사이드-코-프로필렌 옥사이드-코-에틸렌 옥사이드) 또는 폴리비닐피리딘; 또는 에틸 셀룰로오스, 메틸 셀룰로오스, 하이드록시프로필 셀룰로오스 또는 니트로 셀룰로오스인 셀룰로오스 유도체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나 혹은 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온빔 또는 방사선을 이용한 금속 나노입자 함유 고분자 패턴 및 이를 이용한 금속 입자 패턴의 형성 방법
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청구항 1 에 있어서, 상기 단계 1 에서 사용되는 금속 나노입자의 전구체는 금, 은, 백금, 구리, 철, 니켈 또는 망간인 금속 나노입자를 형성시킬 수 있는 전구체인 것을 특징으로 하는 이온빔 또는 방사선을 이용한 금속 나노입자 함유 고분자 패턴 및 이를 이용한 금속 입자 패턴의 형성 방법
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청구항 1 에 있어서, 상기 단계 1 에서, 고분자의 함량은 용매 100 중량% 에 대하여 1 중량% ~ 70 중량% 인 것을 특징으로 하는 이온빔 또는 방사선을 이용한 금속 나노입자 함유 고분자 패턴 및 이를 이용한 금속 입자 패턴의 형성 방법
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삭제
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청구항 1 에 있어서, 상기 단계 1에서, 기판은 유리, 실리콘 웨이퍼, 또는 폴리이미드, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트 등과 같은 내열성 고분자인 것을 특징으로 하는 이온빔 또는 방사선을 이용한 금속 나노입자 함유 고분자 패턴 및 이를 이용한 금속 입자 패턴의 형성 방법
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청구항 1 에 있어서, 상기 이온빔의 조사시 총조사량은 1× 1010 내지 1× 1019 ions/cm2 이고, 상기 방사선은 전자빔, 감마선 및 알파선에서 선택되며, 이 중 전자빔의 조사시 총조사량은 1 kGy ~ 1000 kGy 인 것을 특징으로 하는 이온빔 또는 방사선을 이용한 금속 나노입자 함유 고분자 패턴 및 이를 이용한 금속 입자 패턴의 형성 방법
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청구항 1 에 기재된 방법으로 수득한, 금속 나노입자 함유 고분자 패턴 및 이를 이용한 금속 입자 패턴을 포함하는 기판
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