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PST 이종층 박막들을 채택하는 유전체막, 그 제조 방법및 상기 유전체막을 포함하는 가변 커패시터

  • 기술번호 : KST2014038614
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 PST 이종층 박막들을 채택하는 유전체막, 그 제조 방법 및 상기 유전체막을 포함하는 가변 커패시터가 제공된다. 상기 유전체막은 입방정 구조를 갖는 (PbxSr1-x)TiO3(0003c#x003c#1)을 함유하는 제1 유전막을 구비한다. 상기 제1 유전막 상에 정방정 구조를 갖는 (PbySr1-y)TiO3(0003c#y003c#1)을 함유하는 제2 유전막이 제공된다. 상기 제1 및 제2 유전막들은 서로 번갈아가면서 반복적으로 적층된다. 상기 유전체막의 제조 방법 또한 제공된다. 아울러, 상기 유전체막을 포함하는 가변 커패시터가 제공된다. 강유전체막, 유전 손실, 전압 가변성
Int. CL H01G 5/013 (2006.01.01) H01G 5/011 (2006.01.01)
CPC H01G 5/0134(2013.01) H01G 5/0134(2013.01) H01G 5/0134(2013.01)
출원번호/일자 1020070017973 (2007.02.22)
출원인 중앙대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0953200-0000 (2010.04.08)
공개번호/일자 10-2008-0078207 (2008.08.27) 문서열기
공고번호/일자 (20100416) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.02.22)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김경태 대한민국 서울특별시 동작구
2 김관하 대한민국 서울특별시 동작구
3 김창일 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울 동작구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2007-0157548-89
2 보정요구서
Request for Amendment
2007.03.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0027897-20
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2007.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2007-0197666-95
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.12.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.01.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0000442-00
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.07.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0362365-65
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.09.05 수리 (Accepted) 1-1-2008-0633298-36
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.09.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0633296-45
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2009.01.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0007760-49
10 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2009-0071253-01
11 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2009.02.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2009-0008284-34
12 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination
2009.04.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0144934-11
13 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment
2009.04.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0144933-76
14 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2009.05.08 수리 (Accepted) 7-8-2009-0015835-64
15 등록결정서
Decision to grant
2010.01.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0012364-14
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2011-5148879-89
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2011-5148883-62
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000494-54
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2014-5123944-33
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.04 수리 (Accepted) 4-1-2018-5125629-51
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2019-5151122-15
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.01 수리 (Accepted) 4-1-2019-5153932-16
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번호 청구항
1 1
입방정 구조를 갖는 (PbxSr1-x)TiO3(0003c#x003c#1)을 함유하는 제1 유전막; 및 상기 제1 유전막 상에 정방정 구조를 갖는 (PbySr1-y)TiO3(0003c#y003c#1)을 함유하는 제2 유전막을 포함하되, 상기 제1 및 제2 유전막들은 인위적으로 서로 번갈아가면서 반복적으로 적층되는 유전체막
2 2
제1 항에 있어서, 상기 (PbxSr1-x)TiO3은 0
3 3
제1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 유전막들은 페로브스카이트(perovskite) 결정상을 갖는 유전체막
4 4
기판 상에 입방정 구조를 갖는 (PbxSr1-x)TiO3(0003c#x003c#1)을 함유하는 제1 유전막을 형성하고, 상기 제1 유전막 상에 정방정 구조를 갖는 (PbySr1-y)TiO3(0003c#y003c#1)을 함유하는 제2 유전막을 형성하는 것을 포함하되, 상기 제1 및 제2 유전막들은 인위적으로 서로 번갈아가면서 반복적으로 적층되도록 형성되는 유전체막의 제조 방법
5 5
제4 항에 있어서, 상기 (PbxSr1-x)TiO3은 0
6 6
제4 항에 있어서, 상기 제1 유전막을 형성하는 것은 상기 기판 상에 입방정 구조를 갖는 (PbxSr1-x)TiO3막을 적층하고, 상기 (PbxSr1-x)TiO3막에 대하여 열처리하여 상기 (PbxSr1-x)TiO3막을 결정화하는 것을 포함하는 유전체막의 제조 방법
7 7
제4 항에 있어서, 상기 제2 유전막을 형성하는 것은 상기 제1 유전체막 상에 정방정 구조를 갖는 (PbySr1-y)TiO3막을 적층하고, 상기 (PbySr1-y)TiO3막에 대하여 열처리하여 상기 (PbySr1-y)TiO3막을 결정화하는 것을 포함하는 유전체막의 제조 방법
8 8
제4 항에 있어서, 상기 기판은 란탄 알루미늄 산화막(LaAl2O3), 마그네슘 산화막(MgO2), 세슘 산화막(CeO2), 알루미늄 산화막(Al2O3) 및 실리콘막으로 이루어지는 군에서 선택된 어느 하나로 형성되는 유전체막의 제조 방법
9 9
기판; 상기 기판 상에 배치되는 하나 또는 다수의 전극들; 및 상기 기판 및 상기 전극 사이에 개재되는 유전체막을 포함하되, 상기 유전체막은 입방정 구조를 갖는 (PbxSr1-x)TiO3(0003c#x003c#1)을 함유하는 제1 유전막과 상기 제1 유전막 상에 정방정 구조를 갖는 (PbySr1-y)TiO3(0003c#y003c#1)을 함유하는 제2 유전막을 구비하고, 상기 제1 및 제2 유전막은 인위적으로 서로 번갈아가면서 반복적으로 적층되는 가변 커패시터(tunable capacitor)
10 10
제9 항에 있어서, 상기 (PbxSr1-x)TiO3은 0
11 11
제9 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 유전막들은 페로브스카이트(perovskite) 결정상을 갖는 가변 커패시터
12 12
제9 항에 있어서, 상기 기판은 란탄 알루미늄 산화막(LaAl2O3), 마그네슘 산화막(MgO2), 세슘 산화막(CeO2), 알루미늄 산화막(Al2O3) 및 실리콘막으로 이루어지는 군에서 선택된 어느 하나인 가변 커패시터
13 13
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순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국학술진흥재단 중앙대학교 두뇌한국(BK)21 사업 차세대이동통신을 위한 트랜시버 핵심기술