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주석 중심 덴드리머 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광소자

  • 기술번호 : KST2014038678
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 주석 중심 원자에 스틸베노이드 또는 그 치환체가 결합된 덴드리머 화합물에 관한 것으로, 상기 화합물을 포함하는 유기 전계 발광소자는 고휘도 발광이 가능하고, 열안정성이 우수하다.
Int. CL C07F 7/22 (2006.01) C09K 11/06 (2006.01) H01L 51/54 (2006.01)
CPC C07F 7/2208(2013.01) C07F 7/2208(2013.01) C07F 7/2208(2013.01) C07F 7/2208(2013.01) C07F 7/2208(2013.01)
출원번호/일자 1020110003487 (2011.01.13)
출원인 중앙대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1582804-0000 (2015.12.30)
공개번호/일자 10-2012-0082147 (2012.07.23) 문서열기
공고번호/일자 (20160108) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.04.18)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박광용 대한민국 서울특별시 서초구
2 조현종 대한민국 서울특별시 금천구
3 홍석희 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 서울특별시 동작구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0028876-85
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2011-5148883-62
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2011-5148879-89
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0569245-85
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0570820-53
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2013.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0340356-65
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000494-54
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0599797-63
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2014-5123944-33
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2014-1053351-41
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2014-1163917-85
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.12.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1163916-39
13 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2015.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0284807-78
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-0630085-35
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.06.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0630171-64
16 등록결정서
Decision to grant		 2015.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0832711-48
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.04 수리 (Accepted) 4-1-2018-5125629-51
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2019-5151122-15
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.01 수리 (Accepted) 4-1-2019-5153932-16
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1의 구조를 갖는 주석 중심 덴드리머 화합물:[화학식 1]상기 식에서, R1은 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 알케닐기 또는 알콕시기; 탄소수 1 내지 20의 아실기; 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 및 탄소수 3 내지 30의 헤테로시클릭기로 이루어진 군으로부터 선택되며,R2 및 R3는 각각 독립적으로 수소; 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 알케닐기 또는 알콕시기; 탄소수 1 내지 20의 아실기; 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 및 탄소수 3 내지 30의 헤테로시클릭기로 이루어진 군으로부터 선택되고,R2 및 R3 중 어느 하나 이상은 수소이고, R1, R2 및 R3 중 어느 하나 이상은 치환기를 포함하는 치환체 또는 비치환체로서, 상기 치환기는 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 알콕시기, 알콕시카르보닐기 또는 디알킬아미노기; 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 디아릴아미노기, 헤테로시클릭기, 아릴옥시기 또는 아릴옥시카르보닐기; 나프틸기; 피리딜기; 탄소수 1 내지 20의 아실기, 아실옥시기 또는 아실아미노기; 시아노기; 카르복실기; 아미노카르보닐기; 카바모일기; 아라닐기; 비닐기; 스타이릴기; 하이드록실기; 아미노기; 니트로기; 할로겐; 탄소수 1 내지 6의 알킬머캅토; 머캅토 및 산소족 원소로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상이다
2 2
제 1 항에 있어서,상기 화학식 1에서, R1은 벤질; 페닐; 바이페닐; 톨릴; 나프틸; 피리딜; 및 비닐로 이루어진 군으로부터 선택되며, R2 및 R3는 각각 독립적으로 수소; 벤질; 페닐; 바이페닐; 톨릴; 나프틸; 피리딜; 및 비닐로 이루어진 군으로부터 선택되고,R2 및 R3 중 어느 하나 이상은 수소이고,R1, R2 및 R3 중 어느 하나 이상은 치환기를 포함하는 치환체 또는 비치환체로서, 상기 치환기는 머캅토; 탄소수 1 내지 6의 알킬머캅토; 할로겐; 및 산소족원소로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 주석 중심 덴드리머 화합물
3 3
제 1 항에 있어서,하기 화학식 2의 구조를 갖는 주석 중심 덴드리머 화합물:[화학식 2]화학식 2에서, R4는 탄소수 1 내지 5의 알킬, 벤질, 페닐, 톨릴, 나프탈렌 및 바이페닐로 이루어진 군으로부터 선택되며,R5는 수소, 탄소수 1 내지 5의 알킬, 벤질, 페닐, 톨릴, 나프탈렌 및 바이페닐로 이루어진 군으로부터 선택되며,R4 및 R5 중 어느 하나 이상은 치환기를 포함하는 치환체 또는 비체환체이고, 상기 치환기는 탄소수 1 내지 5의 알킬 또는 알킬머캅토; 할로겐; 벤질; 페닐; 및 바이페닐로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상이다
4 4
제 3 항에 있어서,상기 화학식 2에서, R4 및 R5는 각각 독립적으로 , , , , 및 로 이루어진 군으로부터 선택되는 주석 중심 덴드리머 화합물
5 5
제 1 항에 있어서,주석 중심 덴드리머 화합물은,테트라키스[4-(1,2-디-p-톨릴비닐)페닐]틴;테트라키스[4-[1-p-톨릴-2-(4-바이페닐)비닐]페닐]틴;테트라키스[4-[1-(4-브로모페닐)-2-(p-톨릴)비닐]페닐]틴;테트라키스[4-[1-(4-브로모페닐)-2-(1-나프틸)비닐]페닐]틴;테트라키스[4-[1-(4-브로모페닐)-2-(4-바이페닐)비닐]페닐]틴;테트라키스[4-[1-(p-메틸머캅토페닐)-2-(p-톨릴)-비닐]페닐]틴;테트라키스[4-[1-(p-메틸머캅토페닐)-2-(1-나프틸)비닐]페닐]틴;테트라키스[4-[1-(p-메틸머캅토페닐)-2-(4-바이페닐)비닐]페닐]틴;테트라키스[4-[2-(2-나프틸)-2-(p-톨릴)비닐]페닐]틴;테트라키스[4-[1-(2-나프틸)-2-(1-나프틸)비닐]페닐]틴;테트라키스[4-[1-(2-나프틸)-2-(4-바이페닐)비닐]페닐]틴;테트라키스[4-[1-(4-바이페닐)-2-(p-톨릴)비닐]페닐]틴;테트라키스[4-[1-(4-바이페닐)-2-(1-나프틸)비닐]페닐]틴; 및테트라키스[4-[1,2-디-(4-바이페닐)비닐]페닐]틴으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상인 주석 중심 덴드리머 화합물
6 6
제1 전극, 발광층을 포함하는 1 층 이상으로 이루어진 유기층 및 제2 전극이 적층된 구조이며, 상기 유기층을 구성하는 하나의 층 이상은 하기 화학식 1로 표시되는 주석 중심 덴드리머 화합물을 포함하는 유기 전계 발광소자: [화학식 1]상기 식에서, R1은 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 알케닐기 또는 알콕시기; 탄소수 1 내지 20의 아실기; 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 및 탄소수 3 내지 30의 헤테로시클릭기로 이루어진 군으로부터 선택되며,R2 및 R3는 각각 독립적으로 수소; 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 알케닐기 또는 알콕시기; 탄소수 1 내지 20의 아실기; 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 및 탄소수 3 내지 30의 헤테로시클릭기로 이루어진 군으로부터 선택되고,R2 및 R3 중 어느 하나 이상은 수소이고, R1, R2 및 R3 중 어느 하나 이상은 치환기를 포함하는 치환체 또는 비치환체로서, 상기 치환기는 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 알콕시기, 알콕시카르보닐기 또는 디알킬아미노기; 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 디아릴아미노기, 헤테로시클릭기, 아릴옥시기 또는 아릴옥시카르보닐기; 나프틸기; 피리딜기; 탄소수 1 내지 20의 아실기, 아실옥시기 또는 아실아미노기; 시아노기; 카르복실기; 아미노카르보닐기; 카바모일기; 아라닐기; 비닐기; 스타이릴기; 하이드록실기; 아미노기; 니트로기; 할로겐; 탄소수 1 내지 6의 알킬머캅토; 머캅토 및 산소족 원소로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상이다
7 7
제 6 항에 있어서,발광층은 호스트 및 도펀트 물질을 포함하며, 상기 호스트 물질은 상기 화학식 1로 표시되는 주석 중심 덴드리머 화합물인 유기 전계 발광소자
8 8
제 6 항에 있어서,상기 발광층은 호스트 및 도펀트 물질을 포함하며, 상기 호스트 물질은 상기 화학식 1로 표시되는 주석 중심 덴드리머 화합물이고, 상기 도펀트 물질은 인광성 화합물 또는 형광성 화합물인 유기 전계 발광소자
9 9
제 6 항에 있어서,상기 발광층은 호스트 및 도펀트 물질을 포함하며, 상기 도펀트 물질은 상기 화학식 1로 표시되는 주석 중심 덴드리머 화합물인 유기 전계 발광소자
10 10
제 6 항에 있어서,상기 유기층은 정공수송층을 포함하며, 상기 정공수송층은 상기 화학식 1로 표시되는 주석 중심 덴드리머 화합물을 포함하는 유기 전계 발광소자
11 11
제 6 항에 있어서,상기 유기층은 정공저지층을 포함하며, 상기 정공저지층은 상기 화학식 1로 표시되는 주석 중심 덴드리머 화합물을 포함하는 유기 전계 발광소자
12 12
제 6 항에 있어서,상기 유기층은 전자수송층을 포함하며, 상기 전자수송층은 상기 화학식 1로 표시되는 주석 중심 덴드리머 화합물을 포함하는 유기 전계 발광소자
13 13
제 6 항에 있어서,상기 유기 전계 발광소자는 디스플레이 또는 조명용 소자인 유기 전계 발광소자
지정국 정보가 없습니다
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1 KR101259401 KR 대한민국 FAMILY
2 WO2012096538 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
3 WO2012096538 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 중앙대학교 산학협력단 이공분야기초연구사업 텍톤 기반 유사덴드리머 발광체 개발