| 1 |
1
반도체 기판(100);
상기 반도체 기판(100)의 일 측면 상에 형성된 제1 전극(200);
상기 반도체 기판(100)의 타 측면 상에 형성된, 절연체인 산화막(300);
상기 산화막(300) 상에 형성된, 가스 흡착금속으로 구성된 촉매금속전극(400); 및
상기 반도체 기판(100)의 타 측면 상에 형성된 제2 전극(500);
을 포함하고, 상기 반도체 기판(100)으로 방사선이 입사한 경우, 상기 방사선에 의해 여기된 전하 운반자가 상기 제1 전극(200) 및 제2 전극(500)간에 인가된 전기장에 의해 분리되어 방사선 강도에 비례하는 전기적 신호를 생성하여 제어부에 의해 상기 방사선의 강도를 측정하고,
상기 촉매금속전극(400)에 가스가 흡착된 경우, 상기 흡착된 가스에 비례하여 상기 산화막(300)에 발생하는 전위차를 이용해 상기 가스의 농도에 비례하는 전기적 신호를 생성하여 상기 제어부에 의해 상기 가스의 농도를 측정하는 방사선 및 가스 동시 측정센서
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,
상기 촉매금속전극(400)에 흡착되는 가스는 수소인 것을 특징으로 하는 방사선 및 가스 동시 측정센서
|
| 3 |
3
제 2 항에 있어서,
상기 촉매금속전극(400)의 가스 흡착금속은 백금 또는 팔라듐 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 방사선 및 가스 동시 측정센서
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,
상기 반도체 기판(100)은 탄화물 또는 질화물계 반도체인 것을 특징으로 하는 방사선 및 가스 동시 측정센서
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,
상기 제2 전극(500)은 상기 반도체 기판(100)과 접하고, 상기 산화막(300)에 의해 둘러싸인 것을 특징으로 하는 방사선 및 가스 동시 측정센서
|
| 6 |
6
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 반도체 기판(100)은 MOS형 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 방사선 및 가스 동시 측정센서
|
| 7 |
7
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 반도체 기판(100)은 MOSFET형 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 방사선 및 가스 동시 측정센서
|
| 8 |
8
반도체 기판(100)을 제공하는 단계;
상기 반도체 기판(100)의 일 측면 상에 제1 전극(200)을 형성하는 단계;
상기 반도체 기판(100)의 타 측면 상에 절연체인 산화막(300)을 형성하는 단계;
상기 산화막(300) 상에 가스 흡착금속으로 구성된 촉매금속전극(400)을 형성하는 단계; 및
상기 반도체 기판(100)의 타 측면 상에, 상기 반도체 기판(100)과 접촉하게 제2 전극(500)을 형성하는 단계;
를 포함하는 방사선 및 가스 동시 측정센서 제조 방법
|
| 9 |
9
제 8 항에 있어서,
상기 촉매금속전극(400)의 가스 흡착금속은 백금 또는 팔라듐 중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 방사선 및 가스 동시 측정센서 제조 방법
|
| 10 |
10
제 8 항에 있어서,
상기 반도체 기판(100)은 탄화물 또는 질화물계 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 방사선 및 가스 동시 측정센서 제조 방법
|
| 11 |
11
제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 반도체 기판(100)은 MOS형 반도체 기판으로 형성하는 것을 특징으로 하는 방사선 및 가스 동시 측정센서 제조 방법
|
| 12 |
12
제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 반도체 기판(100)은 MOSFET형 반도체 기판으로 형성하는 것을 특징으로 하는 방사선 및 가스 동시 측정센서 제조 방법
|
