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제 1 기판 상에 멤브레인층을 형성하고, 상기 멤브레인층 상부에 제 1 고반사 필터층 및 제 1 전극을 형성하는 제 1 단계;제 2 고반사 필터층이 하부에 형성된 제 2 기판 위에 상기 제 1 고반사 필터층과 대응되는 부분이 인입되어 형성되는 스페이서층을 임프린팅 몰드 공정을 사용하여 상기 제 2 고반사 필터층 하부에 제작하고 상기 스페이서층의 하부에 제 2 전극을 형성하는 제 2 단계; 및 상기 제 1 전극 및 제 2 전극이 마주보도록 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판을 접합하여 소자 제작을 완료하는 제 3 단계;를 포함하는 정전기력 파장 가변 필터 제작방법
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청구항 1에 있어서,상기 제 1 단계에서 상기 멤브레인의 외곽에는 웨이퍼 접합층이 형성되는 정전기력 파장 가변 필터 제작방법
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청구항 1에 있어서,상기 제 1 기판 또는 상기 제 2 기판은 Si, 유리, Ge 또는 사파이어(Sappire) 재질 중 어느 하나로 형성되는 정전기력 파장 가변 필터 제작방법
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청구항 1에 있어서,상기 제 2 단계에서 상기 임프린팅 몰드 공정은 UV(Ultraviolet) 임프린팅 몰드 공정 또는 Thermal 임프린팅 몰드 공정인 정전기력 파장 가변 필터 제작방법
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청구항 1에 있어서,상기 제 2 단계는,상기 제 2 기판에 상기 제 2 고반사 필터층을 제작하는 (a)단계;상기 제 2 고반사 필터층 상에 고분자 수지층을 형성하는 (b)단계;상기 제 1 고반사 필터층과 대응되도록 일부가 돌출되어 형성되는 임프린팅 몰드를 정렬 위치하는 (c)단계;상기 임프린팅 몰드를 상기 제 2 기판과 압착하여 상기 스페이서층을 형성하는 (d)단계;열 또는 UV를 인가하여 상기 스페이서층을 굳히는 (e)단계; 및상기 임프린팅 몰드를 제거하여 상기 스페이서층 제작을 완료하는 (f)단계;를 포함하는 정전기력 파장 가변 필터 제작방법
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청구항 5에 있어서,상기 (f)단계가 완료되면, E-Beam 증착 방법으로 제 2 전극을 형성하고 포토리소그래피로 제 2 전극 패턴을 형성하는(g)단계;를 더 포함하는 정전기력 파장 가변 필터 제작방법
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청구항 5에 있어서,상기 (c)단계에서 상기 임프린팅 몰드는 PDMS(Polydimethylsiloxane) 또는 금속재질 중 어느 하나인 정전기력 파장 가변 필터 제작방법
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청구항 5에 있어서,상기 (b)단계에서 상기 고분자 수지층에 사용되는 고분자 수지는 광투과성 고분자 수지 또는 열경화성 고분자 수지 중 어느 하나인 정전기력 파장 가변 필터 제작방법
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