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나노 구조물 상에 유기 박막을 형성하기 위한 방법

  • 기술번호 : KST2014038932
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요약 본 발명은 수직 배열 성장된 산화아연(ZnO) 나노 구조체 표면에 유기 박막을 균일하게 형성하는 방법에 관한 것으로, 기판에 산화물 나노 구조물을 형성하는 단계; 상기 산화물 나노 구조물을 이산화탄소 초임계 형성용 셀내에 상기 기판을 배치하는 단계; 상기 초임계 형성용 셀내에 유기물과 용매로 이루어진 유기물 용액을 제공하는 단계; 상기 초임계 형성용 셀내에 이산화탄소를 공급하는 단계; 상기 이산화탄소가 공급된 초임계 형성용 셀 내의 온도 및 압력을 조절하여 초임계 형성용 셀 내의 이산화탄소, 유기물 및 용매를 하나의 페이즈 상태의 초임계 상태를 형성하는 단계; 및 유기물이 산화물 나노 구조물에 성막되도록 초임계 상태를 유지하는 단계를 포함하는 것을 구성적 특징으로 한다.
Int. CL H01L 51/42 (2014.01)
CPC H01L 51/4266(2013.01) H01L 51/4266(2013.01)
출원번호/일자 1020100137862 (2010.12.29)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1171757-0000 (2012.08.01)
공개번호/일자 10-2012-0075940 (2012.07.09) 문서열기
공고번호/일자 (20120807) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.29)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이경일 대한민국 경기도 과천시
2 조진우 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 김성현 대한민국 경기도 용인시 수지구
4 김선민 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍순우 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, 영진벤처빌딩 *층 (서초동)(라온국제특허법률사무소)
2 김해중 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, 영진벤처빌딩 *층 라온국제특허법률사무소 (서초동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)티앤아이컴퍼니 충청남도 아산시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0872094-72
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.09.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.10.20 수리 (Accepted) 9-1-2011-0085277-70
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0765117-38
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0144655-24
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.02.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0144669-63
7 등록결정서
Decision to grant
2012.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0438979-10
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2012.08.01 수리 (Accepted) 1-1-2012-0614945-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산화물 나노 구조물 상에 유기 박막을 형성하는 방법에 있어서,기판에 산화물 나노 구조물을 형성하는 단계;상기 산화물 나노 구조물이 형성된 상기 기판을 이산화탄소 초임계 형성용 셀내에 배치하는 단계;상기 초임계 형성용 셀내에 유기물과 용매로 이루어진 유기물 용액을 제공하는 단계;상기 초임계 형성용 셀내에 이산화탄소를 공급하는 단계;상기 이산화탄소가 공급된 초임계 형성용 셀 내의 온도 및 압력을 조절하여 초임계 형성용 셀 내의 이산화탄소, 유기물 및 용매를 하나의 페이즈 상태의 초임계 상태로 형성하는 단계; 및유기물이 산화물 나노 구조물에 성막되도록 초임계 상태를 유지하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 나노 구조물 상에 유기 박막을 형성하는 방법
2 2
제1항에 있어서,유기물을 산화물 나노 구조물에 성막한 후, 이산화탄소, 용매 및 유기물 잔유물을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 나노 구조물 상에 유기 박막을 형성하는 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 산화물 나노 구조물은 기판상에 산화물 시드층을 형성하고 상기 산화물 시드층으로부터 성장되어 형성되는 것을 특징으로 하는 산화물 나노 구조물 상에 유기 박막을 형성하는 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 산화물 나노 구조물은 산화 아연 나노 와이어인 것을 특징으로 하는 산화물 나노 구조물 상에 유기 박막을 형성하는 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 용매는 상압에서 상기 유기물을 용해할 수 있고, 초임계 상태에서 이산화탄소에 대해 용해도가 높은 용매를 공동 용매로 사용하는 것을 특징으로 하는 산화물 나노 구조물 상에 유기 박막을 형성하는 방법
6 6
기판; 기판 위에 형성되는 산화물 시드층; 상기 산화물 시드층으로부터 성장된 산화물 나노 구조물; 및 상기 산화물 나노 구조물 상에 형성되는 유기 박막을 포함하는 유기 태양전지에 있어서,상기 유기 박막은 상기 산화물 나노 구조물 상에 초임계 이산화탄소를 용매로 하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기 태양전지
7 7
제6항에 있어서,상기 산화물 나노 구조물은 산화 아연 나노 와이어인 것을 특징으로 하는 유기 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.