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광민감성을 이용한 평판형 도파로 광소자 제작방법

  • 기술번호 : KST2014039017
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광도파로 소재의 광민감성을 높이고 자외선 레이저광을 이용하여 평판형 광소자를 제작하는 기술에 관한 것이다. 본 발명은 광분배기, 광결합기, WDM 광소자, 광스위치 등 평판형 광도파로 수동소자 및 광증폭기와 같은 능동소자를 제작하는데 있어 종래의 도파로 제작방법인 증착 및 식각 공정을 대폭 줄일 수 있고, 공정중의 이물질 인입과 결정상 형성되는 등의 문제점을 해결할 수 있으며 상부 클래드층을 열처리한 후 도파로 형성에 따른 코어 영역의 확산 및 코어의 굴절률 변화 등의 문제점을 해결할 수 있다. 결과적으로, 광도파로 제작 공정수를 줄이고 재현성을 향상시켜 광도파로의 전송효율과 특성을 효과적으로 개선할 수 있다. 평판형 광도파로, 광소자, 광통신, 게르마늄, 자외선 레이저
Int. CL G02B 6/02 (2006.01)
CPC G02B 6/13(2013.01) G02B 6/13(2013.01)
출원번호/일자 1020020014519 (2002.03.18)
출원인 전남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0464552-0000 (2004.12.22)
공개번호/일자 10-2003-0075350 (2003.09.26) 문서열기
공고번호/일자 (20050202) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.04.03)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임기건 대한민국 광주광역시 북구
2 정경갑 대한민국 광주광역시 북구
3 김민이 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이현재 대한민국 광주광역시 동구 동명로 ***, ***호 서석특허법률사무소 (지산동, 법조타운)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에스제이포토닉스 주식회사 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2002-0078372-81
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document		 2002.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2002-5073468-32
3 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 2002.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2002-0082510-35
4 출원심사청구서
Request for Examination		 2002.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2002-0100454-99
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2003-0053003-17
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0036350-29
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2004.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2004-0130229-49
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2004.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2004-0183373-36
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.05.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-5084372-85
11 의견서
Written Opinion		 2004.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2004-0232238-19
12 등록결정서
Decision to grant		 2004.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0504087-15
13 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2004.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2004-0598315-10
14 보정요구서
Request for Amendment		 2005.01.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2005-0003277-13
15 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2005.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2005-0026448-14
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2012-5157698-67
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000058-61
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2015-5076218-57
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5093177-51
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

평판형 도파로 광소자 제작방법에 있어서,

실리콘 혹은 실리카 기판, 알루미나 기판 상면에 에어로졸 화염가수분해증착(AFD)으로 하부 클래드층을 형성시키는 하부 클래드층 형성공정과,

상기 하부 클래드층 상면에 에어로졸 화염가수분해증착(AFD)으로 수 mol% 이상의 게르마늄(Ge) 또는 게르마늄과 희토류원소(Er, Yb, Nb 등)가 첨가된 다성분계 산화물박막의 코어층을 형성시키는 코어층 형성공정과,

상기 코어층 상면에 에어로졸 화염가수분해증착(AFD)으로 상부 클래드층을 형성시키는 상부 클래드층 형성공정과,

상기 코어층의 게르마늄(Ge)과 UV선 간의 광민감성을 증가시키기 위해 증착 박막을 온도와 압력에 따라 수소처리하는 수소처리공정과,

수소 처리된 상기 상부 클래드층 상면에 포토마스크와 시준된 UV선을 조사하여 광도파로를 형성하는 광도파로 형성공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 광민감성을 이용한 평판형 도파로 광소자 제작방법

2 2

제 1항에 있어서,

상기 광도파로 형성공정과 여기에 활용된 UV레이저 장치를 이용하고 상기 포토마스크를 위상마스크로 대체하여 이득화평탄화를 구현한 평판형 광증폭기 제작공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광민감성을 이용한 평판형 도파로 광소자 제작방법

3 3

제 1항에 있어서,

상기 광도파로 형성공정과 여기에 활용된 UV 레이저 장치를 이용하고 상기 포토마스크를 위상마스크로 대체하여 파장분할기능을 구현한 WDM 필터 제작공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광민감성을 이용한 평판형 도파로 광소자 제작방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.