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베이스 기판을 준비하는 준비 단계;상기 베이스 기판 위에 질화물계 에피층을 형성하는 에피층 형성 단계;상기 에피층 위에 일정 간격을 두고 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 소스 및 드레인 전극 형성 단계;상기 에피층 위를 덮으며, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 게이트 컨택홀이 갖는 보호층을 형성하는 보호층 형성 단계; 및상기 게이트 컨택홀을 충전하며 상기 보호층 위로 돌출된 접속부와, 상기 접속부의 상부에 형성되며 상기 보호층 위에 떠 있는 전극부를 구비하는 게이트 전극을 형성하는 게이트 전극 형성 단계;를 포함하고, 상기 보호층 형성 단계는,상기 베이스 기판 위의 상기 에피층, 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 덮는 상기 보호층을 형성하는 단계;상기 보호층 위에 버퍼층을 형성하는 단계; 및상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이의 상기 에피층 부분이 노출되게 상기 보호층과 상기 버퍼층을 식각하여 게이트 컨택홀을 형성하는 게이트 컨택홀 형성 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플로팅된 게이트 전극을 갖는 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 버퍼층은 상기 보호층에 대해 식각 선택비가 높은 것을 특징으로 하는 플로팅된 게이트 전극을 갖는 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 버퍼층은 상기 보호층에 비해서 두께가 낮은 것을 특징으로 하는 플로팅된 게이트 전극을 갖는 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 보호층의 소재는 실리콘질화물(SiNX)이고,상기 버퍼층의 소재는 알루미늄질화물(AlN), 티타늄산화물(TiO2), 알루미늄산화물(Al2O3), 실리콘산화물(SiO2), 티타늄(Ti) 및 감광제 중에 하나인 것을 특징으로 하는 플로팅된 게이트 전극을 갖는 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 게이트 전극 형성 단계는,상기 보호층 및 상기 버퍼층에 형성된 상기 게이트 컨택홀을 충전하게 상기 접속부를 형성하고, 상기 접속부에 연결되며 상기 게이트 컨택홀 주위의 상기 버퍼층 위에 상기 전극부를 형성하는 단계;상기 보호층 위의 상기 버퍼층을 선택적으로 제거하여 상기 전극부와 상기 보호층 간에 공간부를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플로팅된 게이트 전극을 갖는 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 에피층 형성 단계는,상기 베이스 기판 위에 GaN층을 형성하는 단계;상기 GaN층과 계면 부분에 2-차원 전자 가스(2DEG)층을 형성하는 AlGaN층을 상기 GaN층 위에 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플로팅된 게이트 전극을 갖는 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
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제14항에 있어서, 상기 게이트 컨택홀 형성 단계는,상기 게이트 컨택홀이 형성된 상기 버퍼층을 식각 마스크로 하여 상기 AlGaN층의 일부를 식각하여 리세스를 형성하는 단계;를 더 포함하며,상기 게이트 전극 형성 단계에서, 상기 게이트 전극을 형성하는 물질이 상기 리세스에 충전되는 것을 특징으로 하는 플로팅된 게이트 전극을 갖는 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
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