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ZnO 나노선을 이용한 UV 센서 제조 방법 및 UV 센서

  • 기술번호 : KST2014039112
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 명세서에서는 ZnO 나노선을 이용한 UV 센서 제조 방법 및 UV 센서를 제공한다. 본 명세서의 일 실시예에 따른 ZnO 나노선을 이용한 UV 센서 제조 방법은 기판에 나노선 FET 소자를 형성하는 단계, 상기 소자에서 형성된 나노선에 Ti 나노 입자를 형성하는 단계, 및 상기 Ti 나노입자를 열공정으로 산화시켜 TiO2 나노입자를 상기 나노선의 표면에 코팅시키는 단계를 포함한다.
Int. CL G01J 1/42 (2006.01) C08K 3/08 (2006.01)
CPC C04B 35/453(2013.01) C04B 35/453(2013.01) C04B 35/453(2013.01) C04B 35/453(2013.01) C04B 35/453(2013.01) C04B 35/453(2013.01)
출원번호/일자 1020100019499 (2010.03.04)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자 10-1195972-0000 (2012.10.24)
공개번호/일자 10-2011-0100478 (2011.09.14) 문서열기
공고번호/일자 (20121101) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.03.04)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김강필 대한민국 대구광역시 달서구
2 장대익 대한민국 대구광역시 수성구
3 류홍근 대한민국 대구광역시 달성군 화원읍 명
4 임상규 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김은구 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 옥산빌딩)(특허법인(유한)유일하이스트)
2 송해모 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 옥산빌딩)(특허법인(유한)유일하이스트)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대구 달성군 현
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2010-0140134-97
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2010-5060059-92
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2011-5007932-94
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.04.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.05.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0044435-93
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.11.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0654048-16
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.01.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0021457-95
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0021440-19
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.05.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0270329-79
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2012-0439304-55
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.06.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0439312-10
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164108-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164104-34
14 등록결정서
Decision to grant
2012.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0631120-57
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-5149764-85
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판에 ZnO 나노선을 이용하여 FET 소자를 형성하는 단계;상기 ZnO 나노선 표면에 Ti 나노 입자를 형성하는 단계; 및상기 Ti 나노입자를 열공정으로 산화시켜 TiO2 나노입자를 상기 ZnO 나노선의 표면에 코팅시키는 단계를 포함하는, ZnO 나노선을 이용한 UV 센서 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 Ti 나노 입자를 형성하는 단계는 광증착에 의해 Ti 나노 입자를 상기 ZnO 나노선에 형성하는 단계를 포함하며,상기 형성된 Ti 나노 입자의 전구체로 Titanium(II) Chloride(TiCl2), Titanium(III) Chloride(TiCl3), Titanium(IV) Chloride(TiCl4) 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는, ZnO 나노선을 이용한 UV 센서 제조 방법
3 3
제 1항에 있어서, 공기(Air), O2, N2, N2O, He, Ar 가스 중 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합된 가스를 사용하여 상기 열공정을 진행하는 것을 특징으로 하는, ZnO 나노선을 이용한 UV 센서 제조 방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 ZnO 나노선을 이용한 FET 소자를 형성하는 단계는상기 기판에 Zn을 확산시키는 단계; 온도를 조절하여 상기 기판에 상기 ZnO 나노선을 형성하는 단계를 포함하는, ZnO 나노선을 이용한 UV 센서 제조 방법
5 5
기판; 및상기 기판에 ZnO 나노선을 이용하여 형성된 FET 소자;를 포함하며,상기 ZnO 나노선의 표면에는 열공정에 의해 Ti 나노 입자가 산화된 TiO2 나노입자가 코팅된 것을 특징으로 하는, ZnO 나노선을 이용한 UV 센서
6 6
제 5항에 있어서, 상기 Ti 나노 입자는 광증착에 의해 상기 ZnO 나노선에 형성되며, 상기 Ti 나노 입자의 전구체로 Titanium(II) Chloride(TiCl2), Titanium(III) Chloride(TiCl3), Titanium(IV) Chloride(TiCl4) 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는, ZnO 나노선을 이용한 UV 센서
7 7
제 5항에 있어서, 공기(Air), O2, N2, N2O, He, Ar 가스 중 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합된 가스를 사용하여 상기 열공정을 진행하는 것을 특징으로 하는, ZnO 나노선을 이용한 UV 센서
8 8
제 5항에 있어서, 상기 ZnO 나노선은 상기 기판에 Zn을 확산시킨 후, 온도를 조절하여 상기 기판에 형성된 것을 특징으로 하는, ZnO 나노선을 이용한 UV 센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.