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나노 구조체를 이용한 발광다이오드 제조 방법과 이에 의해 제조된 발광다이오드

기술번호 : KST2014039158
담당센터 : 대구기술혁신센터
전화번호 : 053-550-1450

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 나노 구조체를 활용한 건식 에칭을 통해 광 추출 효율이 향상된 발광다이오드의 제조방법과 이 방법에 의해 제조된 광 추출 효율이 우수한 발광다이오드에 관한 것이다.본 발명은, 제1 반도체층 상에 활성층 및 제2 반도체층이 순차적으로 형성된 수직형 발광다이오드의 제조방법으로서, (a) 상기 제2 반도체층의 상에 구 모양의 나노구조체를 코팅하는 단계; (b) 상기 나노구조체를 마스크로 이용하여 상기 제2 반도체층을 건식에칭하여 상기 제2 반도체층에 요철부를 형성하는 단계; 및 (c) 상기 요철부를 습식에칭하여 상기 요철부를 구성하는 각각의 요철 표면에 서브요철부가 형성되도록 미세 패터닝하는 단계;를 포함하는 방법을 제공한다.
Int. CL	H01L 33/22 (2014.01)
CPC	H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01)
출원번호/일자	1020100139523 (2010.12.30)
출원인	포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2012-0077534 (2012.07.10) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	거절
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2010.12.30)
심사청구항수	12

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	포항공과대학교 산학협력단	대한민국	경상북도 포항시 남구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	이종람	대한민국	경상북도 포항시 남구
2	김종욱	대한민국	경상북도 경산시 대학로길 *
3	손준호	대한민국	경상북도 경산시 경안로*길

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인아이엠	대한민국	서울특별시 강남구 봉은사로 *, *호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2010.12.30	수리 (Accepted)	1-1-2010-0878237-44
2	보정요구서 Request for Amendment	2011.01.07	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2011-0002143-22
3	[출원서등 보정]보정서(납부자번호) [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)	2011.01.10	수리 (Accepted)	1-1-2011-0012592-05
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2012.07.10	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0395554-88
5	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)	2012.09.10	수리 (Accepted)	1-1-2012-0728990-46
6	보정요구서 Request for Amendment	2012.09.18	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2012-0117118-99
7	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)	2012.10.10	수리 (Accepted)	1-1-2012-0823500-50
8	[출원서등 보정]보정서(납부자번호) [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)	2012.10.10	수리 (Accepted)	1-1-2012-0755042-11
9	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)	2012.11.12	수리 (Accepted)	1-1-2012-0927959-08
10	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)	2012.12.10	무효 (Invalidation)	1-1-2012-1024250-90
11	보정요구서 Request for Amendment	2012.12.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2012-0151922-78
12	무효처분통지서 Notice for Disposition of Invalidation	2013.01.18	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2013-0006473-46
13	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2013.04.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0289852-15
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2013.06.13	수리 (Accepted)	4-1-2013-0025573-58
15	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.02.25	수리 (Accepted)	4-1-2014-5024386-11
16	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.11.20	수리 (Accepted)	4-1-2019-5243581-27
17	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.11.22	수리 (Accepted)	4-1-2019-5245997-53
18	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.11.25	수리 (Accepted)	4-1-2019-5247115-68

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 제1 반도체층 상에 활성층 및 제2 반도체층이 순차적으로 형성된 수직형 발광다이오드의 제조방법으로서,(a) 상기 제2 반도체층의 상에 구 모양의 나노구조체를 코팅하는 단계;(b) 상기 나노구조체를 마스크로 이용하여 상기 제2 반도체층을 건식에칭하여 상기 제2 반도체층에 요철부를 형성하는 단계; 및 (c) 상기 요철부를 습식에칭하여 상기 요철부를 구성하는 각각의 요철 표면에 서브요철부가 형성되도록 미세 패터닝하는 단계;를 포함하는 발광다이오드의 제조방법
2	2 제 1 항에 있어서,상기 구 모양의 나노구조체는 폴리스틸렌, 폴리에틸렌, 실리카 또는 유리로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
3	3 제 1 항에 있어서,상기 구 모양의 나노구조체의 직경은 100nm ~ 3㎛인 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
4	4 제 1 항에 있어서,상기 구 모양의 나노구조체는 서로 다른 직경을 갖는 2 종 이상의 것이 혼합된 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
5	5 제 1 항에 있어서,상기 습식에칭은 1M ~ 8M 농도의 KOH 또는 NaOH 등의 용액에서 5분 ~ 60분간 수행되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
6	6 제 1 항에 있어서,상기 (a) 단계 전에 상기 제2 반도체 표면을 표면처리하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
7	7 제 1 항에 있어서,상기 요철부에 추가로 나노선 또는 나노막대를 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
8	8 제 1 항에 있어서,상기 제2 반도체층이 n-face를 갖는 n형인 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
9	9 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층을 포함하며,상기 제2 반도체층의 표면에는 요철부가 형성되어 있고, 상기 요철부를 구성하는 각각의 요철의 표면에는 다시 서브요철부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
10	10 제 9 항에 있어서, 상기 제2 반도체층의 표면에 추가로 나노선 또는 나노막대가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
11	11 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 요철부는 반구형으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광다이오드
12	12 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 제1 반도체층 및 제2 반도체층은 질화갈륨으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광다이오드

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	WO2012091325	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	FAMILY
2	WO2012091325	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	WO2012091325	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	DOCDBFAMILY
2	WO2012091325	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	DOCDBFAMILY

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	지식경제부	포항공과대학교 산학협력단	산업원천기술개발사업(산업기술)	180 LM/W급 고효율 나노기반 LED 개발

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2010.12.30	수리 (Accepted)	1-1-2010-0878237-44
2	보정요구서	2011.01.07	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2011-0002143-22
3	[출원서등 보정]보정서(납부자번호)	2011.01.10	수리 (Accepted)	1-1-2011-0012592-05
4	의견제출통지서	2012.07.10	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0395554-88
5	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서	2012.09.10	수리 (Accepted)	1-1-2012-0728990-46
6	보정요구서	2012.09.18	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2012-0117118-99
7	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서	2012.10.10	수리 (Accepted)	1-1-2012-0823500-50
8	[출원서등 보정]보정서(납부자번호)	2012.10.10	수리 (Accepted)	1-1-2012-0755042-11
9	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서	2012.11.12	수리 (Accepted)	1-1-2012-0927959-08
10	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서	2012.12.10	무효 (Invalidation)	1-1-2012-1024250-90
11	보정요구서	2012.12.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2012-0151922-78
12	무효처분통지서	2013.01.18	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2013-0006473-46
13	거절결정서	2013.04.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0289852-15
14	출원인정보변경(경정)신고서	2013.06.13	수리 (Accepted)	4-1-2013-0025573-58
15	출원인정보변경(경정)신고서	2014.02.25	수리 (Accepted)	4-1-2014-5024386-11
16	출원인정보변경(경정)신고서	2019.11.20	수리 (Accepted)	4-1-2019-5243581-27
17	출원인정보변경(경정)신고서	2019.11.22	수리 (Accepted)	4-1-2019-5245997-53
18	출원인정보변경(경정)신고서	2019.11.25	수리 (Accepted)	4-1-2019-5247115-68


기술번호	KST2014039158
자료제공기관	NTB
기술공급기관	포항공과대학교 산학협력단
기술명	나노 구조체를 이용한 발광다이오드 제조 방법과 이에 의해 제조된 발광다이오드
기술개요	본 발명은 나노 구조체를 활용한 건식 에칭을 통해 광 추출 효율이 향상된 발광다이오드의 제조방법과 이 방법에 의해 제조된 광 추출 효율이 우수한 발광다이오드에 관한 것이다.본 발명은, 제1 반도체층 상에 활성층 및 제2 반도체층이 순차적으로 형성된 수직형 발광다이오드의 제조방법으로서, (a) 상기 제2 반도체층의 상에 구 모양의 나노구조체를 코팅하는 단계; (b) 상기 나노구조체를 마스크로 이용하여 상기 제2 반도체층을 건식에칭하여 상기 제2 반도체층에 요철부를 형성하는 단계; 및 (c) 상기 요철부를 습식에칭하여 상기 요철부를 구성하는 각각의 요철 표면에 서브요철부가 형성되도록 미세 패터닝하는 단계;를 포함하는 방법을 제공한다.
개발상태	기술개발진행중
기술의 우수성
응용분야	ㅡ
시장규모 및 동향
희망거래유형	라이센스
사업화적용실적	ㅡ
도입시고려사항	ㅡ


과제고유번호	1415107189
세부과제번호	10035598
연구과제명	180lm/W급 고효율 나노기반 LED 개발
성과구분	출원
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	한국산업기술평가관리원
연구주관기관명	포항공과대학교산학협력단
성과제출연도	2010
연구기간	201003~201502
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	IT(정보기술)

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