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기판의 표면에 요철부를 형성하고, 상기 기판상에 제1 반도체층, 활성층, 제2 반도체층을 상기 요철부의 형상이 유지되도록 순차적으로 형성함으로써, 발광다이오드의 일면에 요철부가 형성되도록 하는 단계와, 상기 발광다이오드에 형성된 요철부의 요부(凹部)에 형광체를 삽입되도록 도포하는 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법
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기판상에 제1 반도체층을 형성하고 상기 제1 반도체층의 표면에 요철부를 형성한 후, 제1 반도체층 상에, 활성층 및 제2 반도체층을 상기 요철부의 형상이 유지되도록 순차적으로 형성함으로써, 발광다이오드의 일면에 요철부가 형성되도록 하는 단계와, 상기 발광다이오드에 형성된 요철부의 요부(凹部)에 형광체를 삽입되도록 도포하는 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 요철부는 패턴이 형성된 보호층을 형성한 후 건식에칭을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
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제 3 항에 있어서,상기 보호층은 MgOx, AlOx, SiOx, GaOx, TiOx 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
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5
제 3 항에 있어서, 상기 보호층의 패턴은 리소그라피를 통한 리프트 오프(lift-off) 방법 또는 나노임프린팅 후 습식에칭을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
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제 3 항에 있어서, 상기 건식에칭을 통해 형성된 요철부의 요부와 철부 사이의 경사각이 60 ~ 90°인 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
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7
제 1 항에 있어서,상기 요철부가 형성된 기판상에 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층을 순차적으로 에피성장시키는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 요철부가 형성된 제1 반도체층 상에 활성층 및 제2 반도체층을 순차적으로 에피성장시키는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 형광체를 도포하기 전에 발광다이오드의 표면을 UVO 또는 플라즈마로 표면처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
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10
발광다이오드와 상기 발광다이오드상에 도포된 형광체를 포함하는 발광소자로서, 상기 형광체가 도포되는 발광다이오드의 면에 요철부가 형성되어 있고, 상기 요철부에 형광체가 삽입되는 형태로 도포되어 있는 것을 특징으로 하는 발광소자
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11
제 10 항에 있어서,상기 발광다이오드는, 상면에 요철부가 형성된 기판과, 상기 기판상에 상기 요철부의 형상이 유지되도록 순차적으로 형성된 제1 반도체층, 활성층, 제2 반도체층 및 투명전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자
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12
제 10 항에 있어서,상기 발광다이오드는, 기판과 상기 기판상에 형성되며 상면에 요철부가 형성된 제1 반도체층과, 상기 제1 반도체층에 형성된 요철부의 형상이 유지되도록 순차적으로 형성된 활성층, 제2 반도체층 및 투명전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자
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13
제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 요철부의 요부와 철부 사이의 각도는 60 ~ 90°인 것을 특징으로 하는 발광소자
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14
제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 발광다이오드는 수평형 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 발광소자
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