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발광다이오드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014039224
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 발광다이오드는 도전성 기판 상에 형성된 p형 전극, 상기 p형 전극 상에 형성된 p형 질화물 반도체층, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층, 상기 활성층 상에 형성된 n형 질화물 반도체층 및 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 n형 전극을 포함하여 구성되고, 상기 n형 질화물 반도체층의 일부 영역에 요철부가 형성되어 있고, 상기 n형 전극은 상기 n형 질화물 반도체층에 형성되어 있는 요철부의 철부 상에 형성되어 있고, 상기 n형 질화물 반도체층에 형성되어 있는 요철부의 요부에는 형광체가 채워진 것을 특징으로 한다.본 발명에 따르면, 형광체의 도포 면적 및 형광변환효율을 획기적으로 증가시킬 수 있는 새로운 구조의 발광다이오드 및 그 제조방법이 제공되는 효과가 있다.
Int. CL H01L 33/50 (2014.01) H01L 33/22 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020100139624 (2010.12.30)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1291153-0000 (2013.07.24)
공개번호/일자 10-2012-0077600 (2012.07.10) 문서열기
공고번호/일자 (20130731) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.30)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 송양희 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 김범준 대한민국 경기도 고양시 일산동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0878477-95
2 보정요구서
Request for Amendment		 2011.01.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0002140-96
3 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2011.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0012587-76
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0022163-11
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0313416-96
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0593862-88
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.07.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0593863-23
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.11.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0707073-14
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0062942-67
10 보정요구서
Request for Amendment		 2013.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0011052-56
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.02.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0162275-34
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0162273-43
13 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2013.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0087704-37
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
15 등록결정서
Decision to grant		 2013.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0501904-10
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
발광다이오드에 있어서,도전성 기판 상에 형성된 p형 전극;상기 p형 전극 상에 형성된 p형 질화물 반도체층;상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층;상기 활성층 상에 형성된 n형 질화물 반도체층; 및상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 n형 전극을 포함하고,상기 n형 질화물 반도체층의 일부 영역에 요철부가 형성되어 있고,상기 n형 전극은 상기 n형 질화물 반도체층에 형성되어 있는 요철부의 철부 상에 형성되어 있고,상기 n형 질화물 반도체층에 형성되어 있는 요철부의 요부에는 형광체가 채워져 있고,상기 요철부의 요부는 상기 n형 질화물 반도체층과 상기 활성층을 관통하여 상기 p형 질화물 반도체층의 일부 영역에까지 형성되어 있고,상기 요철부의 요부에 채워진 형광체는 2종 이상이고,상기 활성층에 인접하는 요부 영역에는, 상기 활성층에서 비복사 재결합으로 손실되는 전자-정공 에너지를 공명 에너지 전달(FRET, FResonance Energy Transfer, 프렛) 현상을 통해 전달받아 가시광선을 생성할 수 있는 형광체가 채워진 것을 특징으로 하는, 발광다이오드
2 2
제1 항에 있어서,상기 n형 질화물 반도체층과 상기 n형 전극 사이에 형성된 투명전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광다이오드
3 3
제2 항에 있어서,상기 투명전극은 ITOX, ZnOX, CaOX, WOX, TiOX로 이루어진 군중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광다이오드
4 4
제2 항에 있어서,상기 투명전극의 두께는 10nm 이상 300nm 이하인 것을 특징으로 하는, 발광다이오드
5 5
제1 항에 있어서,상기 n형 질화물 반도체층에 형성되어 있는 요철부의 요부와 상기 형광체 사이에 형성된 보호막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광다이오드
6 6
제5 항에 있어서,상기 보호막은 SiOX, SiNX, MgOX, AlOX, GaOX로 이루어진 군중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광다이오드
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
발광다이오드에 있어서,입사되는 광을 산란시켜 반사시키기 위한 패턴이 형성되어 있는 기판;상기 기판 상에 형성되어 있으며 제1 영역 및 상기 제1 영역과 단차를 가지며 외부로 노출되어 있는 제2 영역으로 이루어진 n형 질화물 반도체층;상기 n형 질화물 반도체층의 제1 영역 상에 형성된 활성층;상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층;상기 n형 질화물 반도체층의 제2 영역 상에 형성된 n형 전극; 및상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 p형 전극을 포함하고,요철부가 상기 p형 질화물 반도체층과 상기 활성층을 관통하여 상기 n형 질화물 반도체층의 일부 영역에까지 형성되어 있고,상기 요철부의 요부에는 형광체가 채워져 있고,상기 요철부의 요부에 채워진 형광체는 2종 이상이고,상기 활성층에 인접하는 요부 영역에는, 상기 활성층에서 비복사 재결합으로 손실되는 전자-정공 에너지를 공명 에너지 전달(FRET, FResonance Energy Transfer, 프렛) 현상을 통해 전달받아 가시광선을 생성할 수 있는 형광체가 채워진 것을 특징으로 하는, 발광다이오드
10 10
제9 항에 있어서,상기 p형 질화물 반도체층과 상기 p형 전극 사이에 형성된 투명전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광다이오드
11 11
제10 항에 있어서,상기 투명전극은 ITOX, ZnOX, CaOX, WOX, TiOX로 이루어진 군중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광다이오드
12 12
제11 항에 있어서,상기 투명전극의 두께는 10nm 이상 300nm 이하인 것을 특징으로 하는, 발광다이오드
13 13
제9 항에 있어서,상기 요철부의 요부와 상기 형광체 사이에 형성된 보호막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광다이오드
14 14
제13 항에 있어서,상기 보호막은 SiOX, SiNX, MgOX, AlOX, GaOX로 이루어진 군중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광다이오드
15 15
삭제
16 16
발광다이오드 제조방법에 있어서,도전성 기판 상에 p형 전극, p형 질화물 반도체층, 활성층, n형 질화물 반도체층을 형성하는 제1 단계;상기 n형 질화물 반도체층의 일부 영역에 요철부를 형성하는 제2 단계;상기 요철부의 요부에 형광체를 채우는 제3 단계;상기 n형 질화물 반도체층의 철부와 상기 형광체 상에 투명전극을 형성하는 제4 단계; 및상기 n형 질화물 반도체층 상에 n형 전극을 형성하는 제5 단계를 포함하고,상기 요철부의 요부는 상기 n형 질화물 반도체층과 상기 활성층을 관통하여 상기 p형 질화물 반도체층의 일부 영역에까지 형성되고,상기 요철부의 요부에 채워진 형광체는 2종 이상이고,상기 활성층에 인접하는 요부 영역에는, 상기 활성층에서 비복사 재결합으로 손실되는 전자-정공 에너지를 공명 에너지 전달(FRET, FResonance Energy Transfer, 프렛) 현상을 통해 전달받아 가시광선을 생성할 수 있는 형광체가 채워진 것을 특징으로 하는, 발광다이오드의 제조방법
17 17
삭제
18 18
삭제
19 19
발광다이오드 제조방법에 있어서,입사되는 광을 산란시켜 반사시키기 위한 패턴이 형성되어 있는 기판 상에 n형 질화물 반도체층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층을 형성하는 제1 단계;상기 p형 질화물 반도체층, 상기 활성층 및 상기 n형 질화물 반도체층의 일부를 메사 식각하여 상기 n형 질화물 반도체층의 일부를 노출시키는 제2 단계;상기 p형 질화물 반도체층과 상기 활성층을 관통하여 상기 n형 질화물 반도체층의 일부 영역에까지 요철부를 형성하는 제3 단계;상기 요철부의 요부에 형광체를 채우는 제4 단계;상기 p형 질화물 반도체층의 철부와 상기 형광체 상에 투명전극을 형성하는 제5 단계; 및상기 투명전극상에 p형 전극을 형성하고 상기 n형 질화물 반도체층의 노출 영역 상에 n형 전극을 형성하는 제6 단계를 포함하고,상기 요철부의 요부에 채워진 형광체는 2종 이상이고,상기 활성층에 인접하는 요부 영역에는, 상기 활성층에서 비복사 재결합으로 손실되는 전자-정공 에너지를 공명 에너지 전달(FRET, FResonance Energy Transfer, 프렛) 현상을 통해 전달받아 가시광선을 생성할 수 있는 형광체가 채워진 것을 특징으로 하는, 발광다이오드의 제조방법
20 20
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2 WO2012091275 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 포항공과대학교 산학협력단 산업원천기술개발사업(산업기술) 180 LM/W급 고효율 나노기반 LED 개발
2 교육과학기술부 포항공과대학교 산학협력단 기초개인연구 스마트 표면을 이용한 나노임프린트 기술 개발