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플렉서블 소자를 제조하는 방법으로,
유리 기판상에 GaN 또는 GaOx 로 이루어진 박리층을 형성하는 단계와;
상기 박리층 상에 불순물 방지층을 형성하는 단계와;
상기 불순물 방지층 상에 전사층을 형성하는 단계와;
상기 전사층 상에 플라스틱 기판을 접합시키는 단계와;
상기 유리 기판상에 레이저를 조사하여 상기 박리층을 분해 제거함으로써 상기 유리 기판을 상기 플라스틱 기판이 접합된 전사층으로부터 분리시키는 단계를; 포함하는 플렉서블 소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 레이저 조사에 의해 상기 박리층이 분해될 때 발생하는 기체가 배출될 수 있는 통로 역할을 하는 패턴이 상기 박리층에 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자의 제조방법
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제 2 항에 있어서, 상기 패턴은 셀 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자의 제조방법
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제 3 항에 있어서, 상기 셀 구조는 1㎝×1㎝ 이하의 크기로 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자의 제조방법
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제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 박리층의 각 패턴 간의 간격이 30㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자의 제조방법
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제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 불순물 방지층은 산화 실리콘, 질화 실리콘으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자의 제조방법
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제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 불순물 방지층의 상부, 하부 또는 내부에 열 방지층이 형성되는 단계를 추가로 포함하는 플렉서블 소자의 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 열 방지층은 Ag, Cu, Au, Al, W, Rh, Ir, Mo, Ru, Zn, Co, Cd, Ni로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 성분으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자의 제조방법
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제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전사층은 유기 발광 다이오드인 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자의 제조방법
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