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반도체 나노 결정의 화학적 식각 방법에 있어서, (1) 할로겐화 용매에 포스핀을 용해시켜 용액을 형성하는 단계; 및(2) 상기 용액에 반도체 나노 결정을 첨가하여 상기 반도체 나노 결정의 화학적 식각을 유도하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 나노 결정의 화학적 식각 방법
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제1항에 있어서, 상기 (1) 단계 및 상기 (2) 단계 사이에, (a) 상기 용액을 산소 중에 노출시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 나노 결정의 화학적 식각 방법
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제1항에 있어서, (3) 상기 반도체 나노 결정이 첨가된 상기 용액을 산소 중에 노출시킴으로써, 상기 반도체 나노 결정의 화학적 식각을 유도하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 나노 결정의 화학적 식각 방법
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제1항에 있어서, (3) 상기 반도체 나노 결정이 첨가된 상기 용액을 산소 중에 노출시키고 자외선 여기광을 조사함으로써, 상기 반도체 나노 결정의 화학적 식각을 유도하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 나노 결정의 화학적 식각 방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체 나노결정은 II-VI족, III-V족 및 IV-VI족 화합물 반도체 나노결정 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 나노 결정의 화학적 식각 방법
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제5항에 있어서, 상기 반도체 나노결정은 ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, GaN, GaP, GaAs, InN, InP, InAs, PbS, PbSe, PbTe를 포함하는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, InAlNP, SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS을 포함하는 삼원소 화합물; 및 GaAlNP, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe을 포함하는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 나노 결정의 화학적 식각 방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체 나노결정은 헤테로 구조(heterostructure)인 것을 특징으로 하는, 반도체 나노 결정의 화학적 식각 방법
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제7항에 있어서, 상기 헤테로 구조는 접합(junction) 구조, 코어-쉘(core-shell) 구조, 초격자(superlattice) 구조 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는, 반도체 나노 결정의 화학적 식각 방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 할로겐화 용매는 하나 이상의 할로겐으로 치환된 C1-C18 알칸, C2-C18 알켄, 톨루엔, 페놀 및 벤젠으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는, 반도체 나노 결정의 화학적 식각 방법
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제9항에 있어서, 상기 할로겐화 용매는 디클로로메탄(CH2Cl2), 클로로포름(CHCl3), 테트라클로로메탄(CCl4), 디브로모메탄(CH2Br2), 브로모포름(CHBr3), 테트라브로모메탄(CBr4), 디아이오도메탄(CH2I2), 아이오도포름(CHI3) 및 테트라아이오도메탄(CI4) 및 테트라클로로에틸렌(C2Cl4)으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는, 반도체 나노 결정의 화학적 식각 방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 포스핀은 3차 포스핀이며,상기 3차 포스핀의 탄소 가지(carbon branch)는 C3-C12 알칸, C3-C12 알켄, C3-C12 포화 지방아민, C3-C12 불포화 지방 아민, C3-C12 포화 지방알콜, C3-C12 불포화 지방알콜, C3-C12 포화 지방산, C3-C12 불포화 지방산, C3-C12 포화 지방티올, C3-C12 불포화 지방티올, 페닐(C6H5) 및 벤질(C6H5CH2)로 이루어지는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는,반도체 나노 결정의 화학적 식각 방법
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제11항에 있어서, 상기 3차 포스핀이 3차 포스핀 올리고머 및 3차 포스핀 폴리머 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는, 반도체 나노 결정의 화학적 식각 방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,반도체 나노결정의 식각 속도는 반도체 나노결정의 농도, 포스핀의 농도, 포스핀의 종류, 할로겐화 용매의 종류 및 산화 조건 중 어느 하나 이상에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는, 반도체 나노 결정의 화학적 식각 방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체 나노결정의 화학적 식각은 비등방성 식각인 것을 특징으로 하는, 반도체 나노 결정의 화학적 식각 방법
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