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나노 임프린트 몰드 제조방법, 이 방법에 의해 제조된 나노 임프린트 몰드를 이용한 발광다이오드 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광다이오드

  • 기술번호 : KST2014039234
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노 임프린트 몰드 제조방법, 이를 이용한 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 발광다이오드 제조방법은 임시기판 상에 n형 질화물 반도체층, 발광층 및 p형 질화물 반도체층을 형성하는 단계, p형 질화물 반도체층 상에 p형 전극을 형성하는 단계, p형 전극 상에 도전성 기판을 형성하는 단계, 임시기판을 제거하여 n형 질화물 반도체층을 노출시키는 단계, n형 질화물 반도체층 상에 나노 임프린트 레지스트층을 형성하는 단계, 나노 임프린트 몰드를 나노 임프린트 레지스트층에 가압하여 나노 패턴을 나노 임프린트 레지스트층에 전사하는 단계, 나노 패턴이 형성된 나노 임프린트 레지스트층으로부터 나노 임프린트 몰드를 분리하는 단계 및 나노 패턴이 형성된 나노 임프린트 레지스트층의 일부를 식각하여 n형 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성된다.본 발명에 따르면, 발광다이오드의 광추출 효율을 향상시키기 위한 나노 패턴을 효율적이고 경제적으로 형성할 수 있는 나노 임프린트 몰드 제조방법, 이 나노 임프린트 몰드를 이용한 발광다이오드 제조방법 및 발광다이오드가 제공되는 효과가 있다.
Int. CL B29C 33/38 (2006.01) B29C 59/02 (2006.01) G03F 7/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020100139057 (2010.12.30)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1233768-0000 (2013.02.08)
공개번호/일자 10-2012-0077188 (2012.07.10) 문서열기
공고번호/일자 (20130215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.30)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 손준호 대한민국 경상북도 경산시 경안로**길 *
3 송양희 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0876776-95
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.05.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.06.25 수리 (Accepted) 9-1-2012-0051671-50
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.08.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0470624-79
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.08.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0688743-58
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0688745-49
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0052099-49
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노 임프린트 몰드 제조방법에 있어서,질화물 반도체 기판의 일면에 상기 질화물 반도체 기판을 지지하기 위한 지지기판을 형성하는 단계;상기 지지기판이 형성되어 있는 질화물 반도체 기판을 수산화칼륨 수용액과 수산화나트륨 수용액 중에서 선택된 하나의 식각용액에 침지한 후 자외선을 조사하는 광화학 에칭을 통하여 피라미드 형태의 나노 패턴을 상기 질화물 반도체 기판의 타면에 형성하는 단계;상기 질화물 반도체 기판의 타면에 형성되어 있는 피라미드 형태의 나노 패턴을 나노 임프린팅 방식으로 나노 임프린트 몰드에 전사하는 단계; 및상기 피라미드 형태의 나노 패턴이 형성된 나노 임프린트 몰드를 상기 질화물 반도체 기판으로부터 분리하는 단계를 포함하는, 나노 임프린트 몰드 제조방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 식각용액의 몰농도와 상기 광화학 에칭 시간 중 적어도 하나를 조절하여 상기 나노 임프린트 몰드의 나노 패턴의 크기를 조절하는 것을 특징으로 하는, 나노 임프린트 몰드 제조방법
3 3
제2 항에 있어서,상기 식각용액의 몰농도는 1몰(M) 이상 8몰(M) 이하이고, 상기 광화학 에칭 시간은 1분(min) 이상 60분(min) 이하인 것을 특징으로 하는, 나노 임프린트 몰드 제조방법
4 4
삭제
5 5
발광다이오드 제조방법에 있어서,임시기판 상에 n형 질화물 반도체층, 발광층 및 p형 질화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 p형 질화물 반도체층 상에 p형 전극을 형성하는 단계;상기 p형 전극 상에 도전성 기판을 형성하는 단계;상기 임시기판을 제거하여 상기 n형 질화물 반도체층을 노출시키는 단계;상기 n형 질화물 반도체층 상에 나노 임프린트 레지스트층을 형성하는 단계;제1 항의 방법에 의해 제조된 나노 임프린트 몰드를 상기 나노 임프린트 레지스트층에 가압하여 상기 나노 패턴을 상기 나노 임프린트 레지스트층에 전사하는 단계;상기 나노 패턴이 형성된 나노 임프린트 레지스트층으로부터 상기 나노 임프린트 몰드를 분리하는 단계;상기 나노 패턴이 형성된 나노 임프린트 레지스트층의 일부를 식각하여 n형 전극을 형성하는 단계; 및상기 n형 질화물 반도체층과 상기 나노 임프린트 레지스트층 사이에 상기 n형 질화물 반도체층의 굴절률보다 작고 상기 나노 임프린트 레지스트층의 굴절률보다 큰 굴절률을 갖는 굴절률 조절층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광다이오드 제조방법
6 6
제5 항에 있어서,상기 굴절률 조절층은 상기 발광층으로부터의 광을 서로 다른 굴절률로 굴절시키는 제1 굴절률 조절층과 제2 굴절률 조절층을 순차적으로 적층하여 형성하는 것을 특징으로 하는, 발광다이오드 제조방법
7 7
제6 항에 있어서,상기 제1 굴절률 조절층은 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성되고 상기 제1 굴절률 조절층의 굴절률은 상기 n형 질화물 반도체층의 굴절률보다 작고,상기 제2 굴절률 조절층은 상기 제1 굴절률 조절층 상에 형성되고 상기 제2 굴절률 조절층의 굴절률은 상기 제1 굴절률 조절층의 굴절률보다 작고 상기 나노 임프린트 레지스트층의 굴절률보다 큰 것을 특징으로 하는, 발광다이오드 제조방법
8 8
제6 항에 있어서,상기 제1 굴절률 조절층은 ZnO, Al-doped ZnO, In-doped ZnO, Ga-doped ZnO, ZrO2, TiO2, SiO2, SiO, Al2O3, CuOX 및 ITO로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광다이오드 제조방법
9 9
제6 항에 있어서,상기 제2 굴절률 조절층은 MgO계 산화물인 것을 특징으로 하는, 발광다이오드 제조방법
10 10
제9 항에 있어서,상기 제2 굴절률 조절층을 구성하는 MgO계 산화물은 MgO에 다른 원소를 첨가하여 형성된 다원화합물인 것을 특징으로 하는, 발광다이오드 제조방법
11 11
제5 항에 있어서,상기 n형 전극은 상기 나노 패턴이 형성된 나노 임프린트 레지스트층의 일부를 상기 n형 질화물 반도체층이 노출되도록 식각한 후 상기 식각된 영역에 도전성 물질을 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는, 발광다이오드 제조방법
12 12
제5 항 내지 제11 항 중 어느 한 항에 기재된 발광다이오드 제조방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는, 발광다이오드
13 13
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14 14
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2 EP02660027 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
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4 US08951820 US 미국 FAMILY
5 US20130161685 US 미국 FAMILY
6 WO2012091271 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
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4 EP2660027 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
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6 US2013161685 US 미국 DOCDBFAMILY
7 US8951820 US 미국 DOCDBFAMILY
8 WO2012091271 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
9 WO2012091271 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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1 지식경제부 포항공과대학교 산학협력단 산업원천기술개발사업(산업기술) 180 LM/W급 고효율 나노기반 LED 개발