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접촉식 정전용량형 센서의 전극 평탄화 방법

  • 기술번호 : KST2014039261
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전극 부분을 절연코팅하여 접촉식으로 사용하는 접촉식 정전용량형 센서의 전극 평탄화 방법으로, 고정요소(20)와 이동요소(10)의 각각의 기판을 식각하여 소정의 모양으로 패터닝하는 단계와, 상기 식각된 곳에 전극재를 충진하는 단계와, 상기 충진된 전극재가 소정의 깊이가 될 때까지 CMP를 실행하여 전극을 형성하는 단계와, 상기 형성된 전극상에 코팅층을 증착하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 평탄화로 인해 MEMS 구조물에 존재하는 요철이 평탄화공정기술의 에러율 이하로 낮아져서 패턴 충돌에 의한 신호잡음이 감소하고, 마모가 줄어든다. 또 복층구조의 공정 조건이 완만해져서, 접촉 상대운동을 하는 마이크로머시닝 센서류의 수명 및 품질을 높일 수 있고, 센서 단품, 피드백용 센서 등과 복잡한 구조의 트랜스듀서류에 적용할 수 있는 효과를 가진다.
Int. CL H01L 29/84 (2006.01) H01L 21/304 (2006.01) G01L 1/14 (2006.01)
CPC G01L 1/14(2013.01) G01L 1/14(2013.01) G01L 1/14(2013.01) G01L 1/14(2013.01)
출원번호/일자 1020090036498 (2009.04.27)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0117832 (2010.11.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.04.27)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강대실 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 문원규 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 제일특허법인(유) 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)
2 김원준 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2009-0254143-79
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2009.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2009-0285742-23
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.08.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.09.13 수리 (Accepted) 9-1-2010-0056759-61
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.04.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0203110-94
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.06.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0434792-16
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.06.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0434791-60
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.09.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0499183-13
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
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번호 청구항
1 1
고정물체상에 각각 전도성패턴이 형성되어 서로 맞닿도록 배치되는 고정요소 또는 이동요소 중, 전원이 인가되지 않는 어느 하나의 전도성패턴에 연결되어 이동요소의 이동에 따른 고정요소와 이동요소사이의 전기용량의 변화를 검출하는 신호검출회로를 포함하는 접촉식 정전용량형 센서의 전극 평탄화 방법에 있어서, 상기 고정요소와 이동요소의 각각의 기판을 식각하여 소정의 모양으로 패터닝하는 단계와, 상기 식각된 곳에 전극재를 충진하는 단계와, 상기 충진된 전극재가 소정의 깊이가 될 때까지 CMP를 실행하여 전극을 형성하는 단계와, 상기 형성된 전극상에 코팅층을 증착하는 단계를 포함하는 접촉식 정전용량형 센서의 전극 평탄화 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 유리 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 접촉식 정전용량형 센서의 전극 평탄화 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 전극재는 크롬을 사용하는 것을 특징으로 하는 접촉식 정전용량형 센서의 전극 평탄화 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 CMP의 실행깊이는 1 ㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 접촉식 정전용량형 센서의 전극 평탄화 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 코팅층은 DLC(Diamond-Like-Carbon)인 것을 특징으로 하는 접촉식 정전용량형 센서의 전극 평탄화 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 포항공과대학교 산학협력단 국가지정연구실사업 대변위 초정밀 위치제어 시스템 기반 기술