맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

광가교 폴리이미드 고분자 및 이의 제조 방법과 이를 이용한 메모리 소자

  • 기술번호 : KST2014039268
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고분자 메모리 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 고분자 메모리 소자에 사용될 수 있는 새로운 광가교성 고분자 화합물과 광가교 폴리이미드 고분자를 상부 전극과 하부 전극사이에서 활성층에 포함하는 새로운 비휘발성 메모리 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 고분자 메모리 소자는 하기 화학식으로 표현되는 광가교 폴리이미드 고분자를 활성층으로 사용한다. (I)
Int. CL C08G 73/10 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01) C08L 79/08 (2006.01)
CPC C08G 73/101(2013.01) C08G 73/101(2013.01) C08G 73/101(2013.01) C08G 73/101(2013.01) C08G 73/101(2013.01) C08G 73/101(2013.01) C08G 73/101(2013.01) C08G 73/101(2013.01) C08G 73/101(2013.01)
출원번호/일자 1020100031604 (2010.04.07)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1180063-0000 (2012.08.30)
공개번호/일자 10-2011-0112487 (2011.10.13) 문서열기
공고번호/일자 (20120905) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.07)
심사청구항수 10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이문호 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 박삼대 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 함석규 대한민국 경상북도 경주시
4 김진철 대한민국 경상북도 포항시 남구
5 고용기 대한민국 경기도 부천시 원미구
6 최준만 대한민국 부산광역시 동래구
7 이택준 대한민국 서울 노원구
8 김동민 대한민국 부산광역시 동래구
9 김경태 대한민국 경북 포항시 남구
10 권원상 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박상훈 대한민국 서울특별시 영등포구 선유로 *길 **, **층 ****호 (문래동*가, 문래 sk v*센터)(새생명특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2010-0219894-97
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0545117-34
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0940462-34
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.11.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0940498-77
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0215423-39
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.05.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0355239-37
7 등록결정서
Decision to grant		 2012.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0503376-14
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
하기 화학식(1)로 표현되는 폴리이미드 고분자를 가교시킨 활성층을 가지는 고분자 메모리 소자
8 8
제7항에 있어서, 상기 고분자 메모리 소자는 제 1전극, 상기 제 1전극 상에 형성된 활성층, 및 상기 활성층 상에 형성된 제 2 전극을 포함하는 고분자 메모리 소자
9 9
제8항에 있어서, 상기 제1전극은 금, 은, 백금, 구리, 코발트, 니켈, 주석, 알루미늄, 인튬틴옥사이드, 티타늄, 또는 이들의 조합으로 구성되는 군에서 선택되는 것임을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자
10 10
제 8항에 있어서, 상기 제2전극은 금, 은, 백금, 구리, 코발트, 니켈, 주석, 알루미늄, 인튬틴옥사이드, 티타늄, 또는 이들의 조합으로 구성되는 군에서 선택되는 것임을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자
11 11
제 8항에 있어서, 상기 활성층은 전극과 다이오드로 연결되는 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자
12 12
제 11항에 있어서, 상기 다이오드는 P-N 다이오드 또는 쇼트키 다이오드인 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자
13 13
기판 상에 형성된 하부 전극 위에 활성층을 형성하는 단계; 및상기 활성층과 접촉하도록 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 여기서, 상기 활성층은 하기 화학식(1)로 표현되는 폴리이미드 고분자를 가교시킨 활성층이며, (I)여기서, X는 -CH-, N 또는 P이고,Y는 아래와 같은 유도체 군으로부터 선택되어지는 유도체들이고,여기서, R은 H, 또는 탄소수 1 내지 8의 알킬이며; Z는 아래와 같은 유도체 군으로부터 선택되어 지는 방향족 또는 지방족 유도체들이며,여기서, n은 반복단위를 나타내는 양의 정수이며, 상기 폴리이미드 고분자 화합물의 중량평균 분자량은 5,000 내지 5,000,000 인 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자의 제작 방법
14 14
제13항에 있어서, 고분자 활성층을 형성 단계는 고분자를 포함하는 용매를 코팅하는 단계임을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자의 제조 방법
15 15
제 14항에 있어서, 상기 코팅 단계는 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 정전기 코팅, 딥코팅, 블레이트 코팅, 잉크젯 코팅 및 롤 코팅으로 중 하나의 방법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자의 제조 방법
16 16
제15항에 있어서, 광을 조사하여 코팅층을 가교시켜 나노패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자의 제조 방법
17 17
삭제
18 18
삭제
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02557106 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP02557106 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP05558626 JP 일본 FAMILY
4 JP25528671 JP 일본 FAMILY
5 US08981353 US 미국 FAMILY
6 US20130140532 US 미국 FAMILY
7 WO2011126235 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
8 WO2011126235 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP2557106 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP2557106 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 EP2557106 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 JP2013528671 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP5558626 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 US2013140532 US 미국 DOCDBFAMILY
7 US8981353 US 미국 DOCDBFAMILY
8 WO2011126235 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
9 WO2011126235 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 포항공과대학교 산학협력단 선도_ERC/SRC 분자-소자 융합계의 전자-광 거동 연구센터